SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD 86--15801942596 Eric-wang@sapphire-substrate.com
6 Inch 4H Silicon Carbide SiC Substrates Wafers For Device Epitaxial Growth Customized

Вафли субстратов СиК кремниевого карбида 6 дюймов 4Х для подгонянного эпитаксиального роста прибора

  • Высокий свет

    субстрат кремниевого карбида

    ,

    вафля сик

  • Материал
    Тип одиночного кристалла 4Х-Н СиК
  • Класс
    Манекен/ранг /Production исследования
  • Тхикнксс
    430ум или подгонянный
  • Сурафасе
    ЛП/ЛП
  • Применение
    тест создателя прибора полируя
  • Диаметр
    150±0.5мм
  • Место происхождения
    Китай
  • Фирменное наименование
    ZMKJ
  • Номер модели
    6инч сик
  • Количество мин заказа
    1шт
  • Цена
    600-1500usd/pcs by FOB
  • Упаковывая детали
    одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов
  • Время доставки
    1-6векс
  • Условия оплаты
    T / T, Western Union, MoneyGram
  • Поставка способности
    1-50пкс/монтх

Вафли субстратов СиК кремниевого карбида 6 дюймов 4Х для подгонянного эпитаксиального роста прибора

Вафли субстратов одиночного кристалла кремниевого карбида дя 150мм ранга 6инч испытания 4Х-Н (сик), субстраты полупроводника сик слитков сик кристаллические, вафля кремниевого карбида кристаллическая

О кремниевом карбиде (СиК) Кристл  

Кремниевый карбид (СиК), также известный как карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой СиК. СиК использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или ботх.СиК также один из важных компонентов СИД, это популярный субстрат для расти приборы ГаН, и оно также служит как распространитель жары в высокомощном СИД

 

1. Спецификация                               

диаметр 6 дюймов, спецификация субстрата кремниевого карбида (СиК)  
Ранг Зеро ранг МПД Ранг продукции Ранг исследования Фиктивная ранг
Диаметр 150,0 мм±0.2мм
ТхикнессΔ 350 μм±25μм или 500±25ун
Ориентация вафли С оси: 4.0° к< 1120=""> ±0.5° для 4Х-Н на оси: <0001>±0.5° для 6Х-СИ/4Х-СИ
Основная квартира {10-10} ±5.0°
Основная плоская длина 47,5 мм±2.5 мм
Исключение края 3 мм
ТТВ/Бов /Warp ≤15μм/≤40μм/≤60μм
Плотность Микропипе см-2 ≤1 см-2 ≤5 см-2 ≤15 см-2 ≤100
Резистивность 4Х-Н 0.015~0.028 Ω·см
4/6Х-СИ ≥1Э5 Ω·см
Шершавость Польское Ра≤1 нм
КМП Ра≤0.5 нм
Отказы светом высокой интенсивности Никакие 1 позволенный, ≤2 мм Кумулятивное ≤ 10мм длины, одиночное лентх≤2мм
Плиты наговора светом высокой интенсивности Кумулятивная область ≤1% Кумулятивная область ≤2% Кумулятивная область ≤5%
Зоны Полытыпе светом высокой интенсивности Никакие Кумулятивное ареа≤2% Кумулятивное ареа≤5%
Царапины светом высокой интенсивности 3 царапины к длине диаметра 1×вафер кумулятивной 5 царапин к длине диаметра 1×вафер кумулятивной 5 царапин к длине диаметра 1×вафер кумулятивной
Обломок края Никакие 3 позволенного, ≤0.5 мм каждое 5 позволенных, ≤1 мм каждое
Загрязнение светом высокой интенсивности Никакие

 

Вафли субстратов СиК кремниевого карбида 6 дюймов 4Х для подгонянного эпитаксиального роста прибора 0Вафли субстратов СиК кремниевого карбида 6 дюймов 4Х для подгонянного эпитаксиального роста прибора 1

 

О наших ЗМКДЖ Компании
КО. ТОРГОВЛЕЙ ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ, ЛТД. размещает в городе Шанхая, который самый лучший город Китая, и наша фабрика основана в городе Укси в 2014.
Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и кустиомизед оптически стекло парц.компоненц широко используемые в электронике, оптике, оптической электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР.
Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутатяонс.
Вафли субстратов СиК кремниевого карбида 6 дюймов 4Х для подгонянного эпитаксиального роста прибора 2
 
РАЗМЕР ОБЩЕГО КАТАЛОГА                             
Тип 4Х-Н/вафля СиК особой чистоты
2 вафля дюйма 4Х Н типа СиК
3 вафля дюйма 4Х Н типа СиК
4 вафля дюйма 4Х Н типа СиК
6 вафля дюйма 4Х Н типа СиК

 

4Х Полу-изолируя/вафля СиК особой чистоты

2 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК
3 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК
4 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК
6 дюймов 4Х Полу-изолируя вафлю СиК
 
 
вафля 6Х Н типа СиК
2 вафля дюйма 6Х Н типа СиК

 
 
 

*

Продажи & обслуживание клиента               

Покупать материалов

Отдел снабжения материалов ответственен для того чтобы собрать все сырье нужное для произведения вашего продукта. Полный трасеабилиты всех продуктов и материалов, включая химический и физический анализ всегда доступен.

Качество

Во время и после изготовления или подвергать механической обработке ваших продуктов, отдел контроля качества включается в убеждаться что все материалы и допуски соотвествуют или превышают вашей спецификации.

 

Обслуживание

Мы гордимся в иметь штат инженерства продаж с над 5 многолетними опытами в индустрии полупроводника. Они натренированы для того чтобы ответить технические вопросы так же, как обеспечить своевременные цитаты для ваших потребностей.

мы на вашей стороне в любое время когда вы имеете проблему, и разрешаем ее в 10хоурс.