• вафля 2 3 4 6инч Сик, тип слитки кремниевой пластины 4Х-Н/Семи СиК промышленные
  • вафля 2 3 4 6инч Сик, тип слитки кремниевой пластины 4Х-Н/Семи СиК промышленные
  • вафля 2 3 4 6инч Сик, тип слитки кремниевой пластины 4Х-Н/Семи СиК промышленные
  • вафля 2 3 4 6инч Сик, тип слитки кремниевой пластины 4Х-Н/Семи СиК промышленные
  • вафля 2 3 4 6инч Сик, тип слитки кремниевой пластины 4Х-Н/Семи СиК промышленные
вафля 2 3 4 6инч Сик, тип слитки кремниевой пластины 4Х-Н/Семи СиК промышленные

вафля 2 3 4 6инч Сик, тип слитки кремниевой пластины 4Х-Н/Семи СиК промышленные

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: ZMKJ
Номер модели: слитки 2инч сик

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1шт
Цена: by case
Упаковывая детали: одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов
Время доставки: 1-6векс
Условия оплаты: T / T, Western Union, MoneyGram
Поставка способности: 1-50пкс/монтх
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Материал: Тип 4H-N SiC одиночный кристаллический Ранг: Фиктивная ранг /Production
Thicnkss: 6-15mm Suraface: LP/as-cut
Применение: тест создателя прибора полируя Диаметр: 50.8±0.3mm
Высокий свет:

субстрат кремниевого карбида

,

вафля сик

Характер продукции

 

вафли субстратов одиночного кристалла кремниевого карбида dia 150mm слитков 2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/особой чистоты 4H-N 4inch 6inch (sic), субстраты полупроводника sic слитков sic кристаллические, вафли sic как-отрезка Customzied кристаллической вафли кремниевого карбида

Около кремниевый карбид (SiC) Кристл

 

Кремниевый карбид (SiC), также известный как карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой SiC. SiC использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или both.SiC также один из важных компонентов СИД, это популярный субстрат для расти приборы GaN, и оно также служит как распространитель жары в высокомощном СИД.

1. Описание
Свойство 4H-SiC, одиночное Кристл 6H-SiC, одиночное Кристл
Параметры решетки a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Штабелировать последовательность ABCB ABCACB
Твердость Mohs ≈9.2 ≈9.2
Плотность 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Коэффициент расширения 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Индекс @750nm рефракции

отсутствие = 2,61

ne = 2,66

отсутствие = 2,60

ne = 2,65

Диэлектрическая константа c~9.66 c~9.66
ohm.cm термальной проводимости (N типа, 0,02)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Термальная проводимость (Полу-изолировать)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Диапазон-зазор eV 3,23 eV 3,02
Поле нервного расстройства электрическое 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Дрейфовая скорость сатурации 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

 

4 дюйма n-дал допинг вафле SiC кремниевого карбида 4H

Спецификация субстрата кремниевого карбида диаметра особой чистоты 4inch (SiC)

вафля 2 3 4 6инч Сик, тип слитки кремниевой пластины 4Х-Н/Семи СиК промышленные 1

вафля 2 3 4 6инч Сик, тип слитки кремниевой пластины 4Х-Н/Семи СиК промышленные 2вафля 2 3 4 6инч Сик, тип слитки кремниевой пластины 4Х-Н/Семи СиК промышленные 3вафля 2 3 4 6инч Сик, тип слитки кремниевой пластины 4Х-Н/Семи СиК промышленные 4

 

О применениях субстратов SiC
 
вафля 2 3 4 6инч Сик, тип слитки кремниевой пластины 4Х-Н/Семи СиК промышленные 5
 
КАТАЛОГ   ОБЩИЙ РАЗМЕР
                            
 

 

Тип 4H-N/вафля/слитки SiC особой чистоты
2 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC
3 вафля дюйма 4H N типа SiC
4 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC
6 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC

 

4H Полу-изолируя/вафля SiC особой чистоты

2 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
3 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
4 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
6 дюймов 4H Полу-изолируя вафлю SiC
 
 
вафля 6H N типа SiC
2 вафля/слиток дюйма 6H N типа SiC

 
 Размер Customzied для 2-6inch
 
 

О ZMKJ Компании

 

ZMKJ может снабжает высококачественную одиночную кристаллическую вафлю SiC (кремниевый карбид) электронная и электронно-оптическая индустрия. Вафля SiC материал полупроводника следующего поколени, с уникальными электрическими свойствами и превосходные термальные свойства, сравненные к кремниевой пластине и вафле GaAs, вафля SiC более соответствующие для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю SiC можно поставить в дюйме диаметра 2-6, и 4H и 6H SiC, N типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный. Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации о продукте.

 

вопросы и ответы:

Q: Что путь доставки и цены?

: (1) мы признаваем DHL, Federal Express, EMS etc.

(2) оно отлично если вы имеете ваш собственный срочный счет, то если не, мы смогли помочь вам грузить их и

Перевозка в соответствии с фактическим поселением.

 

Q: Как оплатить?

: Депозит T/T 100% перед доставкой.

 

Q: Что ваше MOQ?

: (1) для инвентаря, MOQ 1pcs. если 2-5pcs оно лучшее.

(2) для подгонянных общих продуктов, MOQ 10pcs вверх.

 

Q: Что срок поставки?

: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 через -4 недели после вас контакт заказа.

 

Q: Вы имеете стандартные продукты?

: Наши стандартные продукты в запасе. как вероятные субстраты 4inch 0.35mm.

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно вафля 2 3 4 6инч Сик, тип слитки кремниевой пластины 4Х-Н/Семи СиК промышленные не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.