• ИИИ - Нитрид вафля ГаН 2 ДЮЙМОВ свободная стоящая для прибора силы дисплея проекции лазера
  • ИИИ - Нитрид вафля ГаН 2 ДЮЙМОВ свободная стоящая для прибора силы дисплея проекции лазера
  • ИИИ - Нитрид вафля ГаН 2 ДЮЙМОВ свободная стоящая для прибора силы дисплея проекции лазера
ИИИ - Нитрид вафля ГаН 2 ДЮЙМОВ свободная стоящая для прибора силы дисплея проекции лазера

ИИИ - Нитрид вафля ГаН 2 ДЮЙМОВ свободная стоящая для прибора силы дисплея проекции лазера

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmkj
Номер модели: ГаН-ФС-К-У-К50-ССП 2инч

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 10pcs
Цена: 1200~2500usd/pc
Упаковывая детали: одиночный случай вафли пакетом вакуума
Время доставки: 1-5weeks
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 50 шт в месяц
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Материал: Кристалл ГаН одиночный Размер: 2inch
Толщина: 0.35mm Тип: Н типа/типа полу
Применение: Дисплей проекции лазера, прибор силы Рост: ХВПЭ
Высокий свет:

ган вафля

,

Вафля арсенида галлия

Характер продукции

шаблон субстратов 2инч ГаН, вафля для ЛеД, семикондуктинг вафля для льд, шаблон ГаН нитрида галлия ГаН, вафля моквд ГаН, свободно стоящие субстраты подгонянным размером, небольшая вафля для СИД, вафля 10кс10мм ГаН ГаН размера нитрида галлия моквд, 5кс5мм, вафля 10кс5мм ГаН, неполярные Фрестандинг субстраты ГаН (-самолет и м-самолет)

 

Характеристика вафли ГаН

  1. ИИИ-нитрид (ГаН, АлН, гостиница)

Нитрид галлия один вид сложных полупроводников огромной разницы. Субстрат нитрида галлия (ГаН)

высококачественный субстрат одно-Кристл. Он сделан с первоначальным методом ХВПЭ и технологическим прочессом вафли, который первоначально был начат для 10+еарс в Китае. Особенности высоко кристаллическое, хорошее единообразие, и главное качество поверхности. Субстраты ГаН использованы для много видов применений, для белого СИД и ЛД (фиолетовый, голубой и зеленый) Фуртерморе, развитие развил для применений электронного устройства силы и частоты коротковолнового диапазона.

 

Запрещенная крышка ширины связи (светоиспускающой и абсорбции) ультрафиолетовый луч, видимый свет и инфракрасный.

 

спецификация 2 субстратов ГаН дюйма свободно стоящая

ИИИ - Нитрид вафля ГаН 2 ДЮЙМОВ свободная стоящая для прибора силы дисплея проекции лазера 0

  н типа п типа Полу-изолировать
н [см-3] до 1019 - -
п [см-3] - до 1018 -
п [см-3] 10-3 до 10-2 102 до 103 109 до 1012
¼ Î [см2/Вс] до 150 - -
Полное изменение (TTV)/µм толщины <40> <40> <40>
Бов/µм <10> <10> <10>
ФВХМ [арксек] кривой рентгеновского снимка тряся, епи-готовой поверхности, на ¼ м кс 100 Î разрез ¼ м 100 Î <20>
Плотность дислокации [см-2] <10>5
Мисориентатион/дег По требованию
Поверхностный финиш Как отрезано/смолото
Грубо отполированный
Оптически отполированный (РМС < 3="" nm=""> Эпи-готовый (РМС < 0="">

Преимущества этой спецификации 

  Более небольшая погнутость Меньше вывихиваний Более электрические несущие
Лазеры Более высокие выходы Понизьте напряжение тока порога Более высокая сила
СИД Лучшая эффективность (ИКЭ)
Транзисторы Понизьте течение утечки Более высокий по

Применение:

ГаН можно использовать в много зон как дисплей СИД, с высокой энергией обнаружение и воображение,
Дисплей проекции лазера, прибор силы, етк.

 

  • Высокочастотные приборы с высокой энергией обнаружение микроволны и представляют
  • Новое обнаружение окружающей среды технологии водопода солор энергии и биологическая медицина
  • Диапазон терахэртц источника света
  • Дисплей проекции лазера, прибор силы, хранение даты етк.
  • С низким энергопотреблением дисплей фла полного цвета освещения
  • Электронные устройства высокой эффективности лазера Проджекттионс

ИИИ - Нитрид вафля ГаН 2 ДЮЙМОВ свободная стоящая для прибора силы дисплея проекции лазера 1

 

 

О НАШЕЙ фабрике ОЭМ

ИИИ - Нитрид вафля ГаН 2 ДЮЙМОВ свободная стоящая для прибора силы дисплея проекции лазера 2

 

Наше зрение предприятия Фактрой
мы обеспечим высококачественный субстрат ГаН и технологию применения для индустрии с нашей фабрикой.
Высококачественное ГаНматериал задерживая фактор для применения ИИИ-нитридов, например длинной жизни
и высокая стабильность ЛДс, наивысшая мощность и высокие приборы микроволны надежности, высокая яркость
и высокая эффективность, энергосберегающее СИД.

- вопросы и ответы –
К: Что вы можете поставить снабжение и цену?
(1) мы признаваем ДХЛ, Федерал Экспресс, ТНТ, УПС, ЭМС, СФ и етк.
(2) если вы имеете ваш собственный срочный номер, то оно большие.
Если не, мы смогли помочь вам для того чтобы поставить. Фрайгхт=УСД25.0 (первый вес) + УСД12.0/кг

К: Что срок поставки?
(1) для стандартных продуктов как вафля 2инч 0.33мм.
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после заказа.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 4 рабочей недели после заказа.

К: Как оплатить?
100%Т/Т, ПайПал, западное соединение, МонейГрам, безопасная оплата и обеспечение торговлей.

К: Что МОК?
(1) для инвентаря, МОК 5пкс.
(2) для подгонянных продуктов, МОК 5пкс-10пкс.
Оно зависит от количества и методов.

К: Вы имеете отчет о проверке для материала?
Мы можем поставить отчеты о отчете о и достигаемости РОХС для наших продуктов.

 

Пакет 

ИИИ - Нитрид вафля ГаН 2 ДЮЙМОВ свободная стоящая для прибора силы дисплея проекции лазера 3

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно ИИИ - Нитрид вафля ГаН 2 ДЮЙМОВ свободная стоящая для прибора силы дисплея проекции лазера не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.