• Главный вафли кремниевого карбида особой чистоты/вафли манекена/ультра ранга 4Х-Семи СиК для прибора 5Г
  • Главный вафли кремниевого карбида особой чистоты/вафли манекена/ультра ранга 4Х-Семи СиК для прибора 5Г
  • Главный вафли кремниевого карбида особой чистоты/вафли манекена/ультра ранга 4Х-Семи СиК для прибора 5Г
  • Главный вафли кремниевого карбида особой чистоты/вафли манекена/ультра ранга 4Х-Семи СиК для прибора 5Г
Главный вафли кремниевого карбида особой чистоты/вафли манекена/ультра ранга 4Х-Семи СиК для прибора 5Г

Главный вафли кремниевого карбида особой чистоты/вафли манекена/ультра ранга 4Х-Семи СиК для прибора 5Г

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: ZMKJ
Номер модели: высотой с очищенность 4инч

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1шт
Цена: 1000-2000usd/pcs by FOB
Упаковывая детали: одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов
Время доставки: 1-6векс
Условия оплаты: T / T, Western Union, MoneyGram
Поставка способности: 1-50пкс/монтх
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Материал: Тип одиночного кристалла 4Х-семи особой чистоты СиК Класс: Манекен/ранг /Production исследования
Тхикнксс: 500um Сурафасе: КМП/МП
Применение: прибор 5Г Диаметр: 100±0.3мм
Высокий свет:

субстрат кремниевого карбида

,

вафля сик

Характер продукции

 Вафли субстратов одиночного кристалла кремниевого карбида дя 150мм особой чистоты 4Х-Н 4инч 6инч (сик), субстраты полупроводника сик слитков сик кристаллические, вафли сик как-отрезка Кустомзид кристаллической вафли кремниевого карбида

О кремниевом карбиде (СиК) Кристл  

Кремниевый карбид (СиК), также известный как карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой СиК. СиК использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или ботх.СиК также один из важных компонентов СИД, это популярный субстрат для расти приборы ГаН, и оно также служит как распространитель жары в высокомощном СИД.

СВОЙСТВА 4Х-СиК одиночного Кристл

  • Параметры решетки: а=3.073Å к=10.053Å
  • Штабелировать последовательность: АБКБ
  • Твердость Мохс: ≈9.2
  • Плотность: 3,21 г/км3
  • Тхэрм. Коэффициент расширения: 4-5×10-6/К
  • Индекс рефракции: не= 2,66 но= 2,61
  • Диэлектрическая константа: 9,6
  • Термальная проводимость: а~4.2 В/км·K@298K
  • (Н типа, 0,02 ohm.cm) к~3.7 В/км·K@298K
  • Термальная проводимость: а~4.9 В/км·K@298K
  • (Полу-изолировать) к~3.9 В/км·K@298K
  • Диапазон-зазор: Диапазон-зазор 3,23 еВ: еВ 3,02
  • Поле нервного расстройства электрическое: 3-5×10 6В/м
  • Дрейфовая скорость сатурации: 2.0×105м/

вафля СиК кремниевого карбида 4 н-данных допинг дюймом 4Х

 Спецификация субстрата кремниевого карбида диаметра особой чистоты 4инч (СиК)

 

спецификации субстрата кремниевого карбида особой чистоты 4Х 4 дюймов диаметра

СВОЙСТВО СУБСТРАТА

Ранг продукции

Ранг исследования

Фиктивная ранг

Диаметр

100,0 мм +0.0/-0.5мм

Поверхностная ориентация

{0001} ±0.2°

Основная плоская ориентация

<11->20> ̊ ± 5,0

Вторичная плоская ориентация

90,0 ̊ КВ от основного ̊ ± 5,0, кремния лицевого

Основная плоская длина

32,5 мм ±2.0 мм

Вторичная плоская длина

18,0 мм ±2.0 мм

Край вафли

Чамфер

Плотность Микропипе

см2 ≤5 микропипес/

см2 ≤10микропипес/

см2 ≤50 микропипес/

Зоны Полытыпе светом высоко-интенсивности

Никакие позволили

зона ≤10%

Резистивность

≥1Э5 Ω·см

(зона 75%) ≥1Э5 Ω·см

Толщина

350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм

ТТВ

10μм

μм 15

Смычок (абсолютная величина)

μм 25

μм 30

Искривление

μм 45

Поверхностный финиш

Двойной блеск стороны, КМП стороны Си (полировать химиката)

Шероховатость поверхности

Сторона Ра≤0.5 нм КМП Си

Н/А

Отказы светом высоко-интенсивности

Никакие позволили

Обломоки/инденц края диффузным освещением

Никакие позволили

Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм

Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм

Полная годная к употреблению область

≥90%

≥80%

Н/А

*Тхэ другие спецификации можно подгонять согласно требованиям к клиента

 

6 дюймов - высокочистые Полу-изолируя спецификации субстратов 4Х-СиК

Свойство

Ранг у (ультра)

Ранг п (продукции)

Ранг р (исследования)

Ранг д (фиктивная)

Диаметр

150,0 мм±0.25 мм

Поверхностная ориентация

± 0.2° {0001}

Основная плоская ориентация

<11-20> ̊ ± 5,0

Вторичная плоская ориентация

Н/А

Основная плоская длина

47,5 мм ±1.5 мм

Вторичная плоская длина

Никакие

Край вафли

Чамфер

Плотность Микропипе

≤1 /cm2

≤5 /cm2

≤10 /cm2

≤50 /cm2

Зона Полытыпе светом Высоко-интенсивности

Никакие

≤ 10%

Резистивность

≥1Э7 Ω·см

(зона 75%) ≥1Э7 Ω·см

Толщина

350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм

ТТВ

μм 10

Смычок (абсолютная величина)

μм 40

Искривление

μм 60

Поверхностный финиш

К-сторона: Оптически полировать, Си-сторона: КМП

Шершавость (10μм ×10μм)

Ра Си-стороны КМП<> 0,5 нм

Н/А

Отказ светом Высоко-интенсивности

Никакие

Обломоки/Инденц края диффузным освещением

Никакие

Кты≤2, длина и ширина каждое<> 1мм

Полезная площадь

≥90%

≥80%

Н/А


* пределы дефектов применяются к всей поверхности вафли за исключением зоны исключения края. # царапины должны быть проверены на стороне Си только.

 

 

О применениях субстратов СиК
 
 
РАЗМЕР ОБЩЕГО КАТАЛОГА                             
 

 

Тип 4Х-Н/вафля/слитки СиК особой чистоты
2 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК
3 вафля дюйма 4Х Н типа СиК
4 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК
6 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК

 

4Х Полу-изолируя/вафля СиК особой чистоты

2 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК
3 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК
4 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК
6 дюймов 4Х Полу-изолируя вафлю СиК
 
 
вафля 6Х Н типа СиК
2 вафля/слиток дюйма 6Х Н типа СиК

 
 Размер Кустомзид для 2-6инч 
 

Главный вафли кремниевого карбида особой чистоты/вафли манекена/ультра ранга 4Х-Семи СиК для прибора 5Г 1

 

Главный вафли кремниевого карбида особой чистоты/вафли манекена/ультра ранга 4Х-Семи СиК для прибора 5Г 2

Продажи & обслуживание клиента               

Покупать материалов

Отдел снабжения материалов ответственен для того чтобы собрать все сырье нужное для произведения вашего продукта. Полный трасеабилиты всех продуктов и материалов, включая химический и физический анализ всегда доступен.

Качество

Во время и после изготовления или подвергать механической обработке ваших продуктов, отдел контроля качества включается в убеждаться что все материалы и допуски соотвествуют или превышают вашей спецификации.

 

Обслуживание

Мы гордимся в иметь штат инженерства продаж с над 5 многолетними опытами в индустрии полупроводника. Они натренированы для того чтобы ответить технические вопросы так же, как обеспечить своевременные цитаты для ваших потребностей.

мы на вашей стороне в любое время когда вы имеете проблему, и разрешаем ее в 10хоурс.

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно Главный вафли кремниевого карбида особой чистоты/вафли манекена/ультра ранга 4Х-Семи СиК для прибора 5Г не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.