• Вафля арсенида галлия 2INCH 3INCH 4Inch Undoped Semi изолируя субстрат GaAs для СИД
  • Вафля арсенида галлия 2INCH 3INCH 4Inch Undoped Semi изолируя субстрат GaAs для СИД
  • Вафля арсенида галлия 2INCH 3INCH 4Inch Undoped Semi изолируя субстрат GaAs для СИД
Вафля арсенида галлия 2INCH 3INCH 4Inch Undoped Semi изолируя субстрат GaAs для СИД

Вафля арсенида галлия 2INCH 3INCH 4Inch Undoped Semi изолируя субстрат GaAs для СИД

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmkj
Номер модели: 4инч СЭМИ

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 5 шт
Цена: by case
Упаковывая детали: одиночная вафля упаковала в 6" пластиковая коробка под Н2
Время доставки: 2-4 Weeks
Условия оплаты: T / T, Western Union, MoneyGram
Поставка способности: 500pcs в месяц
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Материал: Кристалл GaAs одиночный Размер: 4инч
Толщина: 625um или customzied типа: квартиры
Ориентация: (100) 2°off Поверхность: DSP
метод роста: vFG
Высокий свет:

субстрат вафли

,

вафля полупроводника

Характер продукции

тип вафля 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N GaAs арсенида галлия /Si-doped полу-изоляции

Характер продукции

Наше 2' „до 6" „полу-проводя & полу-изолируя кристалл & вафля GaAs дико использовано в применении применения интегральной схемаы полупроводника & освещения СИД общего.

Особенность и применение вафли GaAs
ОсобенностьОбласть применения
Высокая подвижность электронаСветоизлучающие диоды
Частота коротковолнового диапазонаЛазерные диоды
Высокая эффективность преобразованияФотовольтайческие приборы
Потребление низкой мощностиВысокий транзистор подвижности электрона
Сразу зазор диапазонаТранзистор гетероперехода двухполярный

Вафля арсенида галлия 2INCH 3INCH 4Inch Undoped Semi изолируя субстрат GaAs для СИД 0

Вафля арсенида галлия 2INCH 3INCH 4Inch Undoped Semi изолируя субстрат GaAs для СИД 1
ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ
 

Спецификации полу-проводить вафлю GaAs

     

 Метод роста

VGF

Dopant

p типа: Zn

n типа: Si

Форма вафли

Круг (dia: 2", 3", 4", 6")

Поверхностная ориентация *

(100) ±0.5°

* другие ориентации возможно доступные по требованию

Dopant

Si (n типа)

Zn (p типа)

Концентрация несущей (cm-3)

(0.8-4) × 1018

(0.5-5) × 1019

Подвижность (cm2/V.S.)

× 103 (1-2.5)

50-120

Вытравите плотность тангажа (cm2)

100-5000

3,000-5,000

Диаметр вафли (mm)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

Толщина (µm)

350±25

625±25

625±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

ИСКРИВЛЕНИЕ (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

(mm)

17±1

22±1

32.5±1

/ЕСЛИ (mm), то

7±1

12±1

18±1

Polish*

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

Спецификации полу-изолировать вафлю GaAs

Метод роста

VGF

Dopant

Тип SI: Углерод

Форма вафли

Круг (DIA: 2", 3", 4", 6")

Поверхностная ориентация *

(100) ±0.5°

* другие ориентации возможно доступные по требованию

Резистивность (Ω.cm)

× 107 ≥ 1

× 108 ≥ 1

Подвижность (cm2/V.S)

≥ 5 000

≥ 4 000

Вытравите плотность тангажа (cm2)

1,500-5,000

1,500-5,000

Диаметр вафли (mm)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

150±0.3

Толщина (µm)

350±25

625±25

625±25

675±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 10

ИСКРИВЛЕНИЕ (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 15

(mm)

17±1

22±1

32.5±1

ЗАЗУБРИНА

/ЕСЛИ (mm), то

7±1

12±1

18±1

N/A

Polish*

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

 
Вафля арсенида галлия 2INCH 3INCH 4Inch Undoped Semi изолируя субстрат GaAs для СИД 2
Вафля арсенида галлия 2INCH 3INCH 4Inch Undoped Semi изолируя субстрат GaAs для СИД 3
вопросы и ответы –
Q: Что вы можете поставить снабжение и цену?
(1) мы признаваем DHL, Federal Express, TNT, UPS, EMS, SF и etc.
(2) если вы имеете ваш собственный срочный номер, то оно большие.
Если не, мы смогли помочь вам для того чтобы поставить. Freight=USD25.0 (первый вес) + USD12.0/kg
Q: Как оплатить?
T/T, PayPal, западное соединение, MoneyGram, безопасная оплата и торговое обеспечение на Alibaba и etc…
Q: Что MOQ?
(1) для инвентаря, MOQ 5pcs.
(2) для подгонянных продуктов, MOQ 5pcs-20pcs.
Оно зависит от количества и методов
Q: Вы имеете отчет о проверке для материала?
Мы можем поставить подробный отчет для наших продуктов.
 
Упаковка – Logistcs
мы относимся каждое детали пакета, чистка, противостатическая, шоковая терапия. Согласно количеству и форме продукта,
мы примем различный упаковывая процесс!
 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно Вафля арсенида галлия 2INCH 3INCH 4Inch Undoped Semi изолируя субстрат GaAs для СИД не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.