 |
Одиночный цинк ориентации субстрата 10С10мм Кристл сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | zmkj |
| Номер модели: | ZnO |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 10pcs |
|---|---|
| Цена: | by case |
| Упаковывая детали: | одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов |
| Время доставки: | 2-4 Weeks |
| Условия оплаты: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Поставка способности: | 1000pcs |
|
Подробная информация |
|||
| Материал: | Субстрат кристалла ЗнО | Общий размер: | 10кс10 20кс20 |
|---|---|---|---|
| Ориентация: | <0001> | цвет: | БЕСЦВЕТНЫЙ |
| Общяя толщина: | 500um | Название продукта: | субстрат одиночного кристалла |
| Высокий свет: | Окись магния,высокотемпературные суперкондукторс |
||
Характер продукции
субстрат <0001> одиночного кристалла ЗнО окиси цинка ориентации 10С10мм/20кс20/5кс5ммт
Название продукта: Субстрат окиси цинка (ЗнО) кристаллический
Характер продукции: Субстрат окиси цинка (ЗнО) кристаллический широко использован в субстрате ГаН (голубого СИД) эпитаксиальном, приборах широкого диапазона соединяясь и других полях.
Технические параметры:
| Кристаллическая структура |
Шестиугольный; а = 3,325 Å к = 5.213Å |
| Точка плавления (°К) | 1975 |
| Плотность (г/см 3) | 5,605 |
| Теплоемкость (дж/гк) | 0,125 |
| Коэффициент теплового расширения (10 -6/к) |
6.5 / /а; 3,7//к
|
| Термальная проводимость (с м.кат 300К) | 30 |
| Длина волны передачи (μм) | 0,4 | 0,6 |
| Индекс рефракции |
1,922 (о); 1,936 (е)
|
Спецификации:
Метод роста: гидротермический метод; Максимальный размер: 20кс20кс10мм; Примечание: Вы можете также подгонять согласно ориентации и размеру покупательского спроса особенным.
Упаковка стандарта: чистая сумка 1000 чистая комната, 100 или одиночная упаковка коробки
Применение:
Материал ЗнО широкий материал полупроводника бандгап с сразу зазором диапазона. Это многофункциональный кристалл с люминисцентным, електро-оптическим, сцинтилляцией, полупроводником и другими свойствами. Превосходный основной материал для эпитаксиальных пленок ЗнО, ГаН и приборов. приборы Коротк-длины волны светоизлучающие как СИД и ЛДс имеют больший потенциал для развития, и были другой Точкой доступа исследования в поле широких-бандгап полупроводников после ГаН.
НАШИ РОДСТВЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
вопросы и ответы
К. Вы имеете запас вафли или слитков?
да, аслике 3инч, общие вафли субстратов размера 4инч в запасах.
К. Где ваша компания обнаружена местонахождение?
Наша компания расположенная в Шанхае, Китае. фабрика в городе укси.
К. сколько времени примет для того чтобы получить продукты?
Вообще оно будет принимать 1~4 недели к процессу и после этого доставке.
Оно зависит от количества и размера продуктов.
К: Как о условии & доставке оплаты?
Т/Т 50%депосит и левая часть перед доставкой ФОБ.