 |
Бесцветный прозрачный объектив вафель СиК кремниевого карбида особой чистоты вафли кремниевого карбида
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | ZMKJ |
| Номер модели: | высотой с очищенность 4инч |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 1шт |
|---|---|
| Упаковывая детали: | одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов |
| Время доставки: | 1-6векс |
| Условия оплаты: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Поставка способности: | 1-50пкс/монтх |
|
Подробная информация |
|||
| Материал: | Тип одиночного кристалла 4Х-Н СиК | Ранг: | Манекен/ранг /Production исследования |
|---|---|---|---|
| Тхикнксс: | 350ум или 500ум | Сурафасе: | КМП/МП |
| Применение: | тест создателя прибора полируя | Диаметр: | 100±0.3мм |
| Высокий свет: | субстрат кремниевого карбида,вафля сик |
||
Характер продукции
Ресистивиты1Э10 бесцветный прозрачный объектив вафель СиК кремниевого карбида особой чистоты 2/3/4/6инч
бесцветные прозрачные вафли субстратов одиночного кристалла кремниевого карбида дя 150мм особой чистоты 4Х-Н 4инч 6инч объектива вафель СиК кремниевого карбида особой чистоты 2/3/4/6инч (сик), субстраты полупроводника сик слитков сик кристаллические, вафли сик как-отрезка Кустомзид кристаллической вафли кремниевого карбида
О кремниевом карбиде (СиК) Кристл
Кремниевый карбид (СиК), также известный как карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой СиК. СиК использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или ботх.СиК также один из важных компонентов СИД, это популярный субстрат для расти приборы ГаН, и оно также служит как распространитель жары в высокомощном СИД.
СВОЙСТВА 4Х-СиК одиночного Кристл
- Параметры решетки: а=3.073Å к=10.053Å
- Штабелировать последовательность: АБКБ
- Твердость Мохс: ≈9.2
- Плотность: 3,21 г/км3
- Тхэрм. Коэффициент расширения: 4-5×10-6/К
- Индекс рефракции: не= 2,66 но= 2,61
- Диэлектрическая константа: 9,6
- Термальная проводимость: а~4.2 В/км·K@298K
- (Н типа, 0,02 ohm.cm) к~3.7 В/км·K@298K
- Термальная проводимость: а~4.9 В/км·K@298K
- (Полу-изолировать) к~3.9 В/км·K@298K
- Диапазон-зазор: Диапазон-зазор 3,23 еВ: еВ 3,02
- Поле нервного расстройства электрическое: 3-5×10 6В/м
- Дрейфовая скорость сатурации: 2.0×105м/
Спецификация субстрата кремниевого карбида диаметра особой чистоты 4инч (СиК)
спецификации субстрата кремниевого карбида особой чистоты 4Х 4 дюймов диаметра
|
СВОЙСТВО СУБСТРАТА |
Ранг продукции |
Ранг исследования |
Фиктивная ранг |
|
Диаметр |
100,0 мм +0.0/-0.5мм |
||
|
Поверхностная ориентация |
{0001} ±0.2° |
||
|
Основная плоская ориентация |
<11->20> ̊ ± 5,0 |
||
|
Вторичная плоская ориентация |
90,0 ̊ КВ от основного ̊ ± 5,0, кремния лицевого |
||
|
Основная плоская длина |
32,5 мм ±2.0 мм |
||
|
Вторичная плоская длина |
18,0 мм ±2.0 мм |
||
|
Край вафли |
Чамфер |
||
|
Плотность Микропипе |
см2 ≤5 микропипес/ |
см2 ≤10микропипес/ |
см2 ≤50 микропипес/ |
|
Зоны Полытыпе светом высоко-интенсивности |
Никакие позволили |
зона ≤10% |
|
|
Резистивность |
≥1Э5 Ω·см |
(зона 75%) ≥1Э5 Ω·см |
|
|
Толщина |
350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм |
||
|
ТТВ |
≦10μм |
μм ≦15 |
|
|
Смычок (абсолютная величина) |
μм ≦25 |
μм ≦30 |
|
|
Искривление |
μм ≦45 |
||
|
Поверхностный финиш |
Двойной блеск стороны, КМП стороны Си (полировать химиката) |
||
|
Шероховатость поверхности |
Сторона Ра≤0.5 нм КМП Си |
Н/А |
|
|
Отказы светом высоко-интенсивности |
Никакие позволили |
||
|
Обломоки/инденц края диффузным освещением |
Никакие позволили |
Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм |
Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм |
|
Полная годная к употреблению область |
≥90% |
≥80% |
Н/А |
*Тхэ другие спецификации можно подгонять согласно требованиям к клиента
6 дюймов - высокочистые Полу-изолируя спецификации субстратов 4Х-СиК
|
Свойство |
Ранг у (ультра) |
Ранг п (продукции) |
Ранг р (исследования) |
Ранг д (фиктивная) |
|
Диаметр |
150,0 мм±0.25 мм |
|||
|
Поверхностная ориентация |
± 0.2° {0001} |
|||
|
Основная плоская ориентация |
<11-20> ̊ ± 5,0 |
|||
|
Вторичная плоская ориентация |
Н/А |
|||
|
Основная плоская длина |
47,5 мм ±1.5 мм |
|||
|
Вторичная плоская длина |
Никакие |
|||
|
Край вафли |
Чамфер |
|||
|
Плотность Микропипе |
≤1 /cm2 |
≤5 /cm2 |
≤10 /cm2 |
≤50 /cm2 |
|
Зона Полытыпе светом Высоко-интенсивности |
Никакие |
≤ 10% |
||
|
Резистивность |
≥1Э7 Ω·см |
(зона 75%) ≥1Э7 Ω·см |
||
|
Толщина |
350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм |
|||
|
ТТВ |
μм ≦10 |
|||
|
Смычок (абсолютная величина) |
μм ≦40 |
|||
|
Искривление |
μм ≦60 |
|||
|
Поверхностный финиш |
К-сторона: Оптически полировать, Си-сторона: КМП |
|||
|
Шершавость (10μм ×10μм) |
Ра Си-стороны КМП<> 0,5 нм |
Н/А |
||
|
Отказ светом Высоко-интенсивности |
Никакие |
|||
|
Обломоки/Инденц края диффузным освещением |
Никакие |
Кты≤2, длина и ширина каждое<> 1мм |
||
|
Полезная площадь |
≥90% |
≥80% |
Н/А |
|
* пределы дефектов применяются к всей поверхности вафли за исключением зоны исключения края. # царапины должны быть проверены на стороне Си только.
|
Тип 4Х-Н/вафля/слитки СиК особой чистоты
2 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК
3 вафля дюйма 4Х Н типа СиК 4 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК 6 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК |
4Х Полу-изолируя/вафля СиК особой чистоты 2 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК
3 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК 4 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК 6 дюймов 4Х Полу-изолируя вафлю СиК |
|
вафля 6Х Н типа СиК
2 вафля/слиток дюйма 6Х Н типа СиК |
Размер Кустомзид для 2-6инч
|
Продажи & обслуживание клиента
Покупать материалов
Отдел снабжения материалов ответственен для того чтобы собрать все сырье нужное для произведения вашего продукта. Полный трасеабилиты всех продуктов и материалов, включая химический и физический анализ всегда доступен.
Качество
Во время и после изготовления или подвергать механической обработке ваших продуктов, отдел контроля качества включается в убеждаться что все материалы и допуски соотвествуют или превышают вашей спецификации.
Обслуживание
Мы гордимся в иметь штат инженерства продаж с над 5 многолетними опытами в индустрии полупроводника. Они натренированы для того чтобы ответить технические вопросы так же, как обеспечить своевременные цитаты для ваших потребностей.
мы на вашей стороне в любое время когда вы имеете проблему, и разрешаем ее в 10хоурс.