• вафля кремниевого карбида 4H-N Dia 150mm толщины 0.5mm
  • вафля кремниевого карбида 4H-N Dia 150mm толщины 0.5mm
  • вафля кремниевого карбида 4H-N Dia 150mm толщины 0.5mm
вафля кремниевого карбида 4H-N Dia 150mm толщины 0.5mm

вафля кремниевого карбида 4H-N Dia 150mm толщины 0.5mm

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: ZMKJ
Номер модели: вафли 4h-n 6inch sic

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1пкс
Цена: by case
Упаковывая детали: одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов
Время доставки: 1-6векс
Условия оплаты: Т/Т, западное соединение, МонейГрам
Поставка способности: 1-50пкс/монтх
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Материал: Тип одиночного кристалла 4Х-Н СиК Ранг: Фиктивная ранг /Production
Тхикнксс: 0.35мм 0.5мм Сурафасе: двойная отполированная сторона
Применение: тест создателя прибора полируя Диаметр: 150±0.5мм
Высокий свет:

Вафля кремниевого карбида 4H-N

,

Вафля кремниевого карбида Dia 150mm

,

Вафля SiC одиночного Кристл

Характер продукции

 

 

вафли субстратов одиночного кристалла кремниевого карбида dia 150mm слитков 2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/особой чистоты 4H-N 4inch 6inch (sic), субстраты полупроводника sic слитков sic кристаллические, вафли sic как-отрезка Customzied кристаллической вафли кремниевого карбида

 

вафли SiC вафли Sic как-отрезка кремниевого карбида 4H-N 4inch 2inch 6inch подгонянной толщиной

Около кремниевый карбид (SiC) Кристл

 

Кремниевый карбид (SiC), также известный как карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой SiC. SiC использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или both.SiC также один из важных компонентов СИД, это популярный субстрат для расти приборы GaN, и оно также служит как распространитель жары в высокомощном СИД.

 
1. Описание
Свойство 4H-SiC, одиночное Кристл 6H-SiC, одиночное Кристл
Параметры решетки a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Штабелировать последовательность ABCB ABCACB
Твердость Mohs ≈9.2 ≈9.2
Плотность 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Коэффициент расширения 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Индекс @750nm рефракции

отсутствие = 2,61

ne = 2,66

отсутствие = 2,60

ne = 2,65

Диэлектрическая константа c~9.66 c~9.66
ohm.cm термальной проводимости (N типа, 0,02)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Термальная проводимость (Полу-изолировать)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Диапазон-зазор eV 3,23 eV 3,02
Поле нервного расстройства электрическое 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Дрейфовая скорость сатурации 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

4 дюйма n-дал допинг вафле SiC кремниевого карбида 4H

Стандартные технические условия для вафель sic

 

Спецификация субстрата кремниевого карбида диаметра особой чистоты 4inch (SiC)

вафля кремниевого карбида 4H-N Dia 150mm толщины 0.5mm 1

Шоу продукта:

 

вафля кремниевого карбида 4H-N Dia 150mm толщины 0.5mm 2вафля кремниевого карбида 4H-N Dia 150mm толщины 0.5mm 3

вафля кремниевого карбида 4H-N Dia 150mm толщины 0.5mm 4

 
КАТАЛОГ   ОБЩИЙ РАЗМЕР
                            
 

 

Тип 4H-N/вафля/слитки SiC особой чистоты
2 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC
3 вафля дюйма 4H N типа SiC
4 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC
6 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC

 

4H Полу-изолируя/вафля SiC особой чистоты

2 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
3 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
4 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
6 дюймов 4H Полу-изолируя вафлю SiC
 
 
вафля 6H N типа SiC
2 вафля/слиток дюйма 6H N типа SiC

 
 Размер Customzied для 2-6inch
 
 

О ZMKJ Компании

 

ZMKJ может снабжает высококачественную одиночную кристаллическую вафлю SiC (кремниевый карбид) электронная и электронно-оптическая индустрия. Вафля SiC материал полупроводника следующего поколени, с уникальными электрическими свойствами и превосходные термальные свойства, сравненные к кремниевой пластине и вафле GaAs, вафля SiC более соответствующие для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю SiC можно поставить в дюйме диаметра 2-6, и 4H и 6H SiC, N типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный. Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации о продукте.

 

вопросы и ответы:

Q: Что путь доставки и цены?

: (1) мы признаваем DHL, Federal Express, EMS etc.

(2) оно отлично если вы имеете ваш собственный срочный счет, то если не, мы смогли помочь вам грузить их и

Перевозка в соответствии с фактическим поселением.

 

Q: Как оплатить?

: Депозит T/T 100% перед доставкой.

 

Q: Что ваше MOQ?

: (1) для инвентаря, MOQ 1pcs. если 2-5pcs оно лучшее.

(2) для подгонянных общих продуктов, MOQ 10pcs вверх.

 

Q: Что срок поставки?

: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 через -4 недели после вас контакт заказа.

 

Q: Вы имеете стандартные продукты?

: Наши стандартные продукты в запасе. как вероятные субстраты 4inch 0.35mm.

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно вафля кремниевого карбида 4H-N Dia 150mm толщины 0.5mm не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.