• Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
  • Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
  • Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
  • Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
  • Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов
Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов

Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmkj
Номер модели: InP

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 3ПКС
Цена: by case
Упаковывая детали: одиночный пакет вафли в комнате чистки 1000 рангов
Время доставки: 2-4векс
Условия оплаты: Т/Т, западное соединение
Поставка способности: 500пкс
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Материал: InP метод роста: vFG
Размер: 2~ 4 ДЮЙМА Толщина: 350-650um
Применение: Материал полупроводника bandgap III-V сразу Поверхность: ssp/dsp
ПАКЕТ: одиночная коробка вафли
Высокий свет:

Субстрат полупроводника InP

,

Субстрат полупроводника одиночного Кристл

,

вафли InP 650um

Характер продукции

ТИП субстрат S+/данное допинг вафлями Zn+ /Fe вафель 3inch 4inch N/P InP 2inch полупроводника InP +

 

рост (доработанный метод VFG) использован для того чтобы вытянуть одиночный кристалл через борную жидкость окиси encapsulant старт с семенем.

Dopant (Fe, s, Sn или Zn) добавлен к тиглю вместе с polycrystal. Высокое давление приложено внутри камеры предотвратить декомпозицию компании индия Phosphide.he начинало процесс для того чтобы произвести кристалл полностью stoechiometric, особой чистоты и низкой плотности дислокации inP одиночный.

Метод VFG улучшает на спасибо метода LEC термальная технология дефлектора в связи с численным

моделирование термальных условий роста. tCZ рентабельная зрелая технология с высококачественной воспроизводимостью от boule к boule.

 

Применения:
IIt имеет преимущества высокой электронной скорости смещения предела, хорошего сопротивления радиации и хорошей кондукции жары. Соответствующий для приборов изготовлять высокочастотных, высокоскоростных, высокомощных микроволны и интегральных схема.

 

Особенности:
1. Кристалл растется жидкост-загерметизированной технологией прям-чертежа (LEC), со зрелой технологией и стабилизированным электрическим представлением.
2, используя аппаратуру рентгеновского снимка дирекционную для точной ориентации, отступление ориентировки кристаллов только ±0.5°
3, вафля отполированы химической механической полируя (CMP) технологией, шероховатость поверхности <0> 4, для того чтобы достигнуть «открытой коробки готовой для использования» требований
5, согласно требованиям к потребителя, особенная обработка продукта спецификаций

 

Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов 0

Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов 1

Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов 2

   
             
размер (mm) Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm можно подгонять
Ра Шероховатость поверхности (Ра):<>
блеск одиночный или двойник встаньте на сторону отполированный
пакет полиэтиленовый пакет чистки 100 рангов в 1000 очищая комнатах

 

Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов 3Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов 4

---вопросы и ответы –

Q: Вы торговая компания или изготовитель?

: zmkj торговая компания но имеет изготовитель сапфира
 как поставщик вафель материалов полупроводника для широкой пяди применений.

Q: Сколько времени ваш срок поставки?

: Вообще 5-10 дней если товары в запасе. или 15-20 дней если товары нет

в запасе, оно согласно количеству.

Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?

: Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.

Q: Что ваши условия платежа?

: Payment=1000USD<>,
50% T/T заранее, баланс перед пересылкой.
Если вы имеете другой вопрос, то pls чувствуют свободными связаться мы как ниже:

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно Толстое 650um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 4 дюймов не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.