 |
Si дал допинг Undoped вафле нитрида галлия прибора лазера
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | zmkj |
| Номер модели: | GaN-FS-SIN-D-C50-SSP 2inch |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 1PCS |
|---|---|
| Цена: | 1000~2500usd/pc |
| Упаковывая детали: | одиночный случай вафли пакетом вакуума |
| Время доставки: | 1-5векс |
| Условия оплаты: | T/T, западное соединение |
| Поставка способности: | 50pcs в месяц |
|
Подробная информация |
|||
| Материал: | Кристалл GaN одиночный | размер: | 2inch |
|---|---|---|---|
| толщина: | 0.35mm | тип: | N типа/undoped, данный допинг, |
| Применение: | Дисплей проекции лазера, прибор силы | Рост: | HVPE |
| Высокий свет: | вафля нитрида галлия прибора лазера,Undoped вафля нитрида галлия,Undoped вафля Gan |
||
Характер продукции
шаблон субстратов 2inch GaN, вафля для LeD, semiconducting вафля для ld, шаблон GaN нитрида галлия GaN, вафля mocvd GaN, свободно стоящие субстраты подгонянным размером, небольшая вафля для СИД, вафля 10x10mm GaN GaN размера нитрида галлия mocvd, 5x5mm, вафля 10x5mm GaN, неполярные Freestanding субстраты GaN (-самолет и m-самолет)
Характеристика вафли GaN
- III-нитрид (GaN, AlN, гостиница)
Нитрид галлия один вид сложных полупроводников огромной разницы. Субстрат нитрида галлия (GaN)
высококачественный субстрат одно-Кристл. Он сделан с первоначальным методом HVPE и технологическим прочессом вафли, который первоначально был начат для 10+years в Китае. Особенности высокое кристаллическое, хорошее единообразие, и главное качество поверхности. Субстраты GaN использованы для много видов применений, для белого СИД и LD (фиолетовый, голубой и зеленый) Furthermore, развитие развил для силы и высокочастотных применений электронного устройства.
Запрещенная крышка ширины связи (светоиспускающой и абсорбции) ультрафиолетовый луч, видимый свет и инфракрасный.
Применения
GaN можно использовать в много зон как дисплей СИД, с высокой энергией обнаружение и воображение,
Дисплей проекции лазера, прибор силы, etc.
- Высокочастотные приборы с высокой энергией обнаружение микроволны и представить
- Новое обнаружение окружающей среды технологии водопода solor энергии и биологическая медицина
- Диапазон terahertz источника света
- Дисплей проекции лазера, прибор силы, etc. Хранение даты
- С низким энергопотреблением освещение Дисплей fla полного цвета
- Лазер Projecttions Электронные устройства высокой эффективности
спецификация 2 субстратов GaN дюйма свободно стоящая
Наше зрение предприятия Factroy
мы обеспечим высококачественный субстрат GaN и технологию применения для индустрии с нашей фабрикой.
Высококачественное GaNmaterial задерживая фактор для применения III-нитридов, например длинной жизни
и высокая стабильность LDs, наивысшая мощность и высокие приборы микроволны надежности, высокая яркость
и высокая эффективность, энергосберегающее СИД.
- вопросы и ответы –
Q: Что вы можете поставить снабжение и цену?
(1) мы признаваем DHL, Federal Express, TNT, UPS, EMS, SF и etc.
(2) если вы имеете ваш собственный срочный номер, то оно большие.
Если не, мы смогли помочь вам для того чтобы поставить. Freight=USD25.0 (первый вес) + USD12.0/kg
Q: Что срок поставки?
(1) для стандартных продуктов как вафля 2inch 0.33mm.
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после заказа.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 4 рабочей недели после заказа.
Q: Как оплатить?
100%T/T, PayPal, западное соединение, MoneyGram, безопасная оплата и торговое обеспечение.
Q: Что MOQ?
(1) для инвентаря, MOQ 1pcs.
(2) для подгонянных продуктов, MOQ 5pcs-10pcs.
Оно зависит от количества и методов.
Q: Вы имеете отчет о проверке для материала?
Мы можем поставить отчет о ROHS и достигнуть отчеты для наших продуктов.
Пакет