• Тип субстрат Si n 4 дюймов полупроводника 15° дал допинг вафле SSP GaAs
  • Тип субстрат Si n 4 дюймов полупроводника 15° дал допинг вафле SSP GaAs
Тип субстрат Si n 4 дюймов полупроводника 15° дал допинг вафле SSP GaAs

Тип субстрат Si n 4 дюймов полупроводника 15° дал допинг вафле SSP GaAs

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmkj
Номер модели: GaAs-N-3inch

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 5pcs
Цена: 100-200usd/pcs
Упаковывая детали: в случае вафли одиночного или кассеты 25pcs пакетом вакуума
Время доставки: 2-4weeks
Условия оплаты: T/T, западное соединение
Поставка способности: 2000pcs в месяц
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Материал: GaAs Кристл Метод: VGF
размер: dia76.2mm thickess: 350um
Поверхность: DSP Применение: приведенный, прибор ld
тип: N типа давать допинг: SI-данный допинг
Высокий свет:

Si дал допинг GaAs Wafe

,

Субстрат GaAs Wafe полупроводника

,

Тип вафля n ssp

Характер продукции

 
 
Metod N типа 2inch/3inch VFG, 4inch, вафли арсенида галлия 6inch dia150mm GaAs N типа
Полу-изолируя тип для микроэлектроники,
 
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Вафли арсенида галлия (GaAs)
Арсенид галлия (GaAs) смесь элементов галлия и мышьяка. Это полупроводник bandgap III-V сразу
с кристаллической структурой сфалерита цинка.
Арсенид галлия использован в изготовлении приборов как интегральные схемаы частоты микроволны, монолитовом
интегральные схемаы микроволны, ультракрасные светоизлучающие диоды, лазерные диоды, фотоэлементы и оптически окна. [2]
 
GaAs часто использован как материал субстрата для эпитаксиального роста других полупроводников III-V включая арсенид галлия индия,
алюминиевый арсенид галлия и другие.
 
.
Особенность и применение вафли GaAs

ОсобенностьОбласть применения
Высокая подвижность электронаСветоизлучающие диоды
Частота коротковолнового диапазонаЛазерные диоды
Высокая эффективность преобразованияФотовольтайческие приборы
Потребление низкой мощностиВысокий транзистор подвижности электрона
Сразу зазор диапазонаТранзистор гетероперехода двухполярный

Тип субстрат Si n 4 дюймов полупроводника 15° дал допинг вафле SSP GaAs 0
Спецификация
Undoped GaAs
Полу-изолируя спецификации GaAs
 

Метод ростаVGF
DopantУглерод
Вафля Shape*Круг (DIA: 2", 3", 4", и 6")
Поверхностная ориентация **(100) ±0.5°

» Вафли *5 доступные по требованию
** Другие ориентации возможно доступные по требованию
 

Резистивность (Ω.cm)≥1 × 107≥1 × 108
Подвижность (см2 /V.S)≥ 5 000≥ 4 000
Вытравите плотность тангажа (см2)1,500-5,0001,500-5,000

 

Диаметр вафли (mm)50.8±0.376.2±0.3100±0.3150±0.3
Толщина (µm)350±25625±25625±25675±25
TTV [P/P] (µm)≤ 4≤ 4≤ 4≤ 4
TTV [P/E] (µm)≤ 10≤ 10≤ 10≤ 10
ИСКРИВЛЕНИЕ (µm)≤10≤10≤10≤5
(mm)17±122±132.5±1ЗАЗУБРИНА
/ЕСЛИ (mm), то7±112±118±1N/A
Polish*E/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished
Тип субстрат Si n 4 дюймов полупроводника 15° дал допинг вафле SSP GaAs 1

Родственные продукты для списка инвентаря
 
вафля арсенида галлия SI-Dopant 2 дюймов N типа, SSP/DSP
Применения LED/LD
вафля арсенида галлия SI-Dopant 4 дюймов N типа, SSP/DSP
Применения LED/LD
вафля арсенида галлия SI-Dopant 6 дюймов N типа, SSP/DSP
Применения LED/LD
вафля арсенида галлия 2 дюймов Undoped, SSP/DSP
Применения микроэлектроники
вафля арсенида галлия 4 дюймов Undoped, SSP/DSP
Применения микроэлектроники
вафля арсенида галлия 6 дюймов Undoped, SSP/DSP
Применения микроэлектроники


Пакет & доставка
Тип субстрат Si n 4 дюймов полупроводника 15° дал допинг вафле SSP GaAs 2
Тип субстрат Si n 4 дюймов полупроводника 15° дал допинг вафле SSP GaAs 3
Тип субстрат Si n 4 дюймов полупроводника 15° дал допинг вафле SSP GaAs 4
ВОПРОСЫ И ОТВЕТЫ & КОНТАКТ
   Это Эрик wang, администраторов по сбыту zmkj, наша компания расположенная в Шанхае, Китае. Наша продолжительность эксплуатации все время от понедельника - субботы. Мы огорченны для неудобства причиненного разницой во времени. Если любые вопросы, вы могут выйти моей электронной почте сообщение и также добавить мое WeChat, что приложение, Skype, я будут онлайн. Добро пожаловать, который нужно связаться я!
 
Q: Вы торговая компания или изготовитель? : Мы имеем наши для изготовлять вафли.
 Q: Сколько времени ваш срок поставки? : Вообще 1-5 дней если товары в запасе, то если не, он для 2-3weeks
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные? : Да, мы смогли предложить свободный образец некоторым размером.
Q: Что ваши условия платежа? : для первого дела 100% перед доставкой.
 
 
 
 

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно Тип субстрат Si n 4 дюймов полупроводника 15° дал допинг вафле SSP GaAs не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.