 |
Вафля слоя шаблона AlN субстрата сапфира 2 дюймов для приборов 5G BAW
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | ZMKJ |
| Номер модели: | AlN-сапфир 2inch |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 5pcs |
|---|---|
| Цена: | by case |
| Упаковывая детали: | одиночный контейнер вафли в комнате чистки |
| Время доставки: | в 30дайс |
| Условия оплаты: | T/T, западное соединение, PayPal |
| Поставка способности: | 50ПКС/Монтх |
|
Подробная информация |
|||
| субстрат: | вафля сапфира | слой: | Шаблон AlN |
|---|---|---|---|
| толщина слоя: | 1-5um | тип проводимости: | N/P |
| Ориентация: | 0001 | применение: | наивысшая мощность/высокочастотные электронные устройства |
| применение 2: | приборы 5G saw/BAW | толщина кремния: | 525um/625um/725um |
| Высокий свет: | шаблон AlN 2 дюймов,шаблон AlN приборов 5G BAW,субстрат сапфира 2 дюймов |
||
Характер продукции
сапфир 2inch 4iinch 6Inch основал фильм AlN шаблонов AlN на субстрате сапфира
2inch на вафле слоя шаблона AlN субстрата сапфира для приборов 5G BAW
Применения Шаблон AlN
Наш OEM начинал сериалы собственнических технологий и -государство- - реакторов и объектов роста искусства PVT к
изготовьте различные размеры высококачественных одиночных кристаллических вафель AlN, temlpates AlN. Мы одно из немногие мир-ведущих
высокотехнологичные компании которые собственное полное capa изготовления AlN? bilities для произведения высококачественных boules и вафель AlN, и, который нужно обеспечить
profes? обслуживания sional и полностью готовые решения к нашим клиентам, аранжированным от дизайна реактора и hotzone роста,
моделирование и симуляция, проект процесса и оптимизирование, выращивание кристаллов,
wafering и материальное characteriza? tion. До апреля 2019, они прикладывали больше чем 27 патентов (включая PCT).
Спецификация
Спецификация
Ch aracteristic
Ch aracteristic
Другая спецификация шаблона relaterd 4INCH GaN
| Субстраты ₃ ₂ o Al GaN/(4") 4inch | |||
| Деталь | ООН-данный допинг | N типа |
Высоко-данный допинг N типа |
| Размер (mm) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
| Структура субстрата | GaN на сапфире (0001) | ||
| SurfaceFinished | (Стандарт: Вариант SSP: DSP) | ||
| Толщина (μm) | 4.5±0.5; 20±2; Подгонянный | ||
| Тип кондукции | ООН-данный допинг | N типа | Высоко-данное допинг N типа |
| Резистивность (Ω·см) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| Единообразие толщины GaN |
≤±10% (4") | ||
| Плотность дислокации (см-2) |
≤5×108 | ||
| Годная к употреблению поверхностная область | >90% | ||
| Пакет | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100. | ||
| Кристаллическая структура |
Вуртцит |
| Константа решетки (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Тип зоны проводимости | Сразу bandgap |
| Плотность (g/cm3) | 3,23 |
| Поверхностный microhardness (тест Knoop) | 800 |
| Точка плавления (℃) | 2750 (бар 10-100 в N2) |
| Термальная проводимость (W/m·K) | 320 |
| Энергия зазора диапазона (eV) | 6,28 |
| Подвижность электрона (v·s/cm2) | 1100 |
| Электрическое поле нервного расстройства (MV/cm) | 11,7 |
Хотите узнать больше подробностей об этом продукте