 |
Тип n вафли Dia 200mm AlGaN Si Epi на микро- СИД 6 дюймов
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | КИТАЙ |
| Фирменное наименование: | zmkj |
| Номер модели: | 8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-на-HR Si Epiwafer |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 1pcs |
|---|---|
| Цена: | 1200~2500usd/pc |
| Упаковывая детали: | одиночный случай вафли пакетом вакуума |
| Время доставки: | 1-5weeks |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 50PCS в месяц |
|
Подробная информация |
|||
| Материал: | ГаН-слой на sI-субстрате | Размер: | 8 дюймов / 6 дюймов |
|---|---|---|---|
| Толщина GaN: | 2-5UM | Тип: | N-TYPE |
| Применение: | Полупроводниковое устройство | ||
| Высокий свет: | Вафля Dia 200mm Si Epi,Вафля Si Epi 6 дюймов,Вафля арсенида галлия AlGaN |
||
Характер продукции
8 дюймовый 6 дюймовый AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer для микро-LED для RF-приложения
Характеристика вафеля GaN
- III-нитрид ((GaN,AlN,InN)
Нитрид галлия является одним из видов широкоразрывных полупроводников.
Высококачественный однокристаллический субстрат, изготовленный с использованием оригинального метода HVPE и технологии обработки пластинок, которая была первоначально разработана в течение 10+ лет в Китае.Особенности высококристаллические., хорошая однородность и превосходное качество поверхности. ГаН-субстраты используются для многих видов применений, для белого светодиода и LD ((фиолетовый, синий и зеленый).Развитие продвинулось в области применения мощных и высокочастотных электронных устройств.
Для применения энергии
Спецификация продукта
| Положения | Значения/пространство применения |
| Субстрат | Да, да. |
| Диаметр пластины | 4 ¢/ 6?? / 8” |
| Толщина эпислоя | 4-5мм |
| Волокна для вафелей | < 30ммТипично |
| Морфология поверхности | RMS < 0,5 нм в 5×5 мкм² |
| Барьер | Аль.XПошли.1-XN, 0 |
| Кап. слой | In-situSiNили GaN (D-режим); p-GaN (E-режим) |
| Плотность 2DEG | > 9E12/см2(20nm Al)0.25GaN) |
| Мобильность электронов | > 1800 см2/Vs(20nm Al)0.25GaN) |
Для применения радиочастотного излучения
Спецификация продукта
| Положения | Значения/пространство применения |
| Субстрат | HR_Si/SiC |
| Диаметр пластины | 4/6/ дляSiC, 4 ¢/ 6 ¢/ 8 ¢ дляHR_Si |
| Эпи- толщина слоя | 2-3мм |
| Волокна для вафелей | < 30ммТипично |
| Морфология поверхности | RMS < 0,5 нм в 5×5 мкм² |
| Барьер | AlGaNилиAlNилиInAlN |
| Кап. слой | In-situSiNили GaN |
Для светодиодного применения
О НАШЕЙ фабрике OEM
Наше видение предприятия Factroy
Мы предоставим высококачественный ГаН субстрат и технологии применения для промышленности с нашей фабрикой.
Высококачественный GaN материал является ограничивающим фактором для применения III-нитридов, например, длительный срок службы
и высокой стабильности LD, высокой мощности и высокой надежности микроволновых устройств, высокая яркость
и высокоэффективные, энергосберегающие светодиоды.
- Часто задаваемые вопросы
Вопрос: Что вы можете предоставить логистику и стоимость?
(1) Мы принимаем DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF и т.д.
(2) Если у вас есть свой экспресс-номер, это здорово.
Если нет, мы можем помочь вам доставить.
В: Сколько времени на доставку?
(1) Для стандартных изделий, таких как 2 дюймовые 0,33 мм пластины.
Для инвентаря: доставка осуществляется через 5 рабочих дней после заказа.
Для индивидуальных изделий: доставка осуществляется через 2 или 4 рабочих недели после заказа.
Вопрос: Как платить?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, безопасные платежи и торговая гарантия.