 |
Свободные стоящие вафли субстратов HVPE GaN GaN пудрят GaN-На-сапфир GaN-На-SiC прибора
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | zmkj |
| Номер модели: | GaN-FS-C-U-C50-SSP |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 1pcs |
|---|---|
| Цена: | 1000~3000usd/pc |
| Упаковывая детали: | одиночный случай вафли пакетом вакуума |
| Время доставки: | 1-5weeks |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 50PCS в месяц |
|
Подробная информация |
|||
| Материал: | Кристалл GaN одиночный | Размер: | 2INCH 4inch |
|---|---|---|---|
| Толщина: | 0.4mm | Тип: | N-type/Un-doped si-дало допинг типа полу |
| Применение: | полупроводниковое устройство | Применение: | Прибор порошка |
| Поверхность: | SSP | Пакет: | одиночная коробка контейнера вафли |
| Высокий свет: | Свободный стоящий субстрат нитрида галлия,Вафля HVPE GaN Epi,Прибор порошка вафли арсенида галлия |
||
Характер продукции
шаблон субстратов 2inch GaN, вафля для LeD, semiconducting вафля для ld, шаблон GaN нитрида галлия GaN, вафля mocvd GaN, свободно стоящие субстраты подгонянным размером, небольшая вафля для СИД, вафля 10x10mm GaN GaN размера нитрида галлия mocvd, 5x5mm, вафля 10x5mm GaN, неполярные Freestanding субстраты GaN (-самолет и m-самолет)
вафли субстратов HVPE GaN 4inch 2inch свободно стоящие GaN
Характеристика вафли GaN
- III-нитрид (GaN, AlN, гостиница)
Нитрид галлия один вид сложных полупроводников огромной разницы. Субстрат нитрида галлия (GaN)
высококачественный субстрат одно-Кристл. Он сделан с первоначальным методом HVPE и технологическим прочессом вафли, который первоначально был начат для 10+years в Китае. Особенности высокое кристаллическое, хорошее единообразие, и главное качество поверхности. Субстраты GaN использованы для много видов применений, для белого СИД и LD (фиолетовый, голубой и зеленый) Furthermore, развитие развил для силы и высокочастотных применений электронного устройства.
Запрещенная крышка ширины связи (светоиспускающой и абсорбции) ультрафиолетовый луч, видимый свет и инфракрасный.
Применение
GaN можно использовать в много зон как дисплей СИД, с высокой энергией обнаружение и воображение,
Дисплей проекции лазера, прибор силы, etc.
- Дисплей проекции лазера, прибор силы, etc. Хранение даты
- С низким энергопотреблением освещение Дисплей fla полного цвета
- Лазер Projecttions Электронные устройства высокой эффективности
- Высокочастотные приборы микроволны С высокой энергией обнаружение и представить
- Новая технология водопода solor энергии Обнаружение окружающей среды и биологическая медицина
- Диапазон terahertz источника света
Спецификация для свободно стоящих вафель GaN
| Размер | 2" | 4" | ||
| Диаметр | 50,8 mm 士 0,3 mm | 100,0 mm 士 0,3 mm | ||
| Толщина | 400 um 士 30 um | 450 um 士 30 um | ||
| Ориентация | c-самолет Ga-стороны (0001) (стандарт); N-сторона (000-1) (опционная) | |||
| Кривая FWHM 002 XRD тряся | < 100="" arcsec=""> | |||
| Кривая FWHM 102 XRD тряся | < 100="" arcsec=""> | |||
| Радиус решетки погнутости | > 10 m (измерил на диаметре x 80%) | |||
| Offcut к m-самолету | 0.5° ± 0.15° к [10-10] @ центру вафли | |||
| Offcut к ортогональному -самолету | 0.0° ± 0.15° к [1-210] @ центру вафли | |||
| Направление В-самолета Offcut | Пункты проекции вектора c-самолета к майору | |||
| Самолет главной ориентации плоский | m-самолет 2° (10-10) (стандарт); ±0.1° (опционное) | |||
| Длина главной ориентации плоская | 16,0 mm ±1 mm | 32,0 mm ± 1 mm | ||
| Ориентация небольшой ориентации плоская | Ga-сторона = главный на нижнего и небольшого на левой стороны | |||
| Длина небольшой ориентации плоская | 8,0 mm ± 1 mm | 18,0 mm ± 1 mm | ||
| Наклон края | скошенный | |||
| TTV (исключение края 5 mm) | < 15="" um=""> | < 30="" um=""> | ||
| Искривление (исключение края 5 mm) | < 20="" um=""> | < 80="" um=""> | ||
| Смычок (исключение края 5 mm) | -10 um до +5 um | -40 um до +20 um | ||
| Шершавость лицевой стороны (Sa) | < 0=""> | |||
| < 1=""> | ||||
| Задний бортовой поверхностный финиш | отполированный (стандарт); вытравите (опционный) | |||
| Задняя бортовая шершавость (Sa) | отполированный: < 3="" nm=""> | |||
| вытравленный: 1 um ± 0,5 um (WLI: 239 um x 318 um областей) | ||||
| Лазер Марк | задняя сторона на главной квартире | |||
| Электрические свойства | Давать допинг | Резистивность | ||
| N типа⑸ licon) | < 0=""> | |||
| UID | < 0=""> | |||
| Полу-изолировать (углерод) | > ом-см 1E8 | |||
| Делает ямки сортируя система | Плотность (pits/cm2) | 2" (ямы) | 4" (ямы) | |
| Продукция | < 0=""> | < 10=""> | < 40=""> | |
| Исследование | < 1=""> | < 30=""> | < 120=""> | |
| Манекен | < 2=""> | < 50=""> | < 200=""> | |
О НАШЕЙ фабрике OEM
Наше зрение предприятия Factroy
мы обеспечим высококачественный субстрат GaN и технологию применения для индустрии с нашей фабрикой.
Высококачественное GaNmaterial задерживая фактор для применения III-нитридов, например длинной жизни
и высокая стабильность LDs, наивысшая мощность и высокие приборы микроволны надежности, высокая яркость
и высокая эффективность, энергосберегающее СИД.
- вопросы и ответы –
Q: Что вы можете поставить снабжение и цену?
(1) мы признаваем DHL, Federal Express, TNT, UPS, EMS, SF и etc.
(2) если вы имеете ваш собственный срочный номер, то оно большие.
Если не, мы смогли помочь вам для того чтобы поставить. Freight=USD25.0 (первый вес) + USD12.0/kg
Q: Что срок поставки?
(1) для стандартных продуктов как вафля 2inch 0.33mm.
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после заказа.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 4 рабочей недели после заказа.
Q: Как оплатить?
100%T/T, PayPal, западное соединение, MoneyGram, безопасная оплата и торговое обеспечение.
Q: Что MOQ?
(1) для инвентаря, MOQ 5pcs.
(2) для подгонянных продуктов, MOQ 5pcs-10pcs.
Оно зависит от количества и методов.
Q: Вы имеете отчет о проверке для материала?
Мы можем поставить отчет о ROHS и достигнуть отчеты для наших продуктов.