 |
Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | zmkj |
| Номер модели: | 6инч С-К-Н |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 5 шт |
|---|---|
| Цена: | by case |
| Упаковывая детали: | одиночная вафля упаковала в 6" пластиковая коробка под Н2 |
| Время доставки: | 2-4 Weeks |
| Условия оплаты: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Поставка способности: | 500pcs в месяц |
|
Подробная информация |
|||
| Материал: | Кристалл ГаАс одиночный | Размер: | 6inch |
|---|---|---|---|
| Толщина: | 650ум или кустомзид | типа: | зазубрина или квартиры |
| Ориентация: | (100) 2°офф | поверхность: | DSP |
| Метод роста: | VFG | ||
| Высокий свет: | субстрат гасб,вафля полупроводника |
||
Характер продукции
тип 2инч/3инч /4inch /6inch С-К-Н Си-дал допинг вафле ГаАс арсенида галлия
Характер продукции
Вафли арсенида галлия (ГаАс)
ПВАМ начинает и изготовляет кристалл и вафлю арсенида субстрат-галлия сложного полупроводника. Мы использовали предварительную технологию выращивания кристаллов, вертикальное замораживание градиента (ВГФ) и вафлю ГаАс технологический прочесс, установили производственную линию от выращивания кристаллов, вырезывания, меля к полируя обработке и построили комнату 100 классов чистую для чистки и упаковки вафли. Наша вафля ГаАс включает слиток/вафли 2~6 дюймов для СИД, ЛД и применений микроэлектроники. Мы всегда предназначены для того чтобы улучшить качество в настоящее время подсостояний и начать крупноразмерные субстраты.
Вафли арсенида галлия (ГаАс) для применений СИД
- 1. Главным образом использованный в электронике, сплавы низкой температуры, арсенид галлия.
- 2. Основное химическое соединение галлия в электронике, использовано в цепях микроволны, высокоскоростных цепях переключения, и ультракрасных цепях.
- 3. Нитрид галлия и нитрид галлия индия, ибо пользы полупроводника, производят голубые и фиолетовые светоизлучающие диоды (LEDs) и лазеры диода.
|
СПЕЦИФИКАЦИЯ --6 вафля арсенида галлия СИ-Допант Н типа ССП/ДСП ЛЭД/ЛД дюйма
|
|
|
Метод роста
|
ВГФ
|
|
Ориентация
|
<100>
|
|
Диаметр
|
150,0 +/- 0,3 мм
|
|
Толщина
|
650ум +/- 25ум
|
|
Блеск
|
Определите, который встали на сторону отполированное (SSP)
|
|
Шероховатость поверхности
|
Отполированный
|
|
ТТВ/Бов
|
<10um>
|
|
Допант
|
Си
|
|
Тип проводимости
|
Н типа
|
|
Резистивность (на РТ)
|
(см ома 1.2~9.9) *10-3
|
|
Плотность ямы травления (ЭПД)
|
СИД <5000>2; ЛД <500>
|
|
Подвижность
|
Км2 СИД >1000/в.с; Км2 ЛД >1500/в.с
|
|
Концентрация несущей
|
СИД > (0.4-4) *1018 /cm 3; ЛД > (0.4-2.5) *1018 /cm3
|
Спецификации полу-проводить вафлю ГаАс
|
Метод роста |
ВГФ |
|||
|
Допант |
п типа: Зн |
н типа: Си |
||
|
Форма вафли |
Круглый (ДИА: 2", 3", 4", 6") |
|||
|
Поверхностная ориентация * |
(100) ±0.5° |
|||
|
* другие ориентации возможно доступные по требованию |
||||
|
Допант |
Си (н типа) |
Зн (п типа) |
||
|
Концентрация несущей (км-3) |
(0.8-4) × 1018 |
(0.5-5) × 1019 |
||
|
Подвижность (км2/В.С.) |
× 103 (1-2.5) |
50-120 |
||
|
Плотность тангажа Этч (км2) |
100-5000 |
3,000-5,000 |
||
|
Диаметр вафли (мм) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
|
|
Толщина (µм) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
|
|
ТТВ [П/П] (µм) |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
|
|
ТТВ [П/Э] (µм) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
|
|
ИСКРИВЛЕНИЕ (µм) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
|
|
(мм) |
17±1 |
22±1 |
32.5±1 |
|
|
/ЕСЛИ (мм), то |
7±1 |
12±1 |
18±1 |
|
|
Полиш* |
Э/Э, П/Э, П/П |
Э/Э, П/Э, П/П |
Э/Э, П/Э, П/П |
|
Спецификации полу-изолировать вафлю ГаАс
|
Метод роста |
ВГФ |
|||
|
Допант |
Тип СИ: Углерод |
|||
|
Форма вафли |
Круглый (ДИА: 2", 3", 4", 6") |
|||
|
Поверхностная ориентация * |
(100) ±0.5° |
|||
|
* другие ориентации возможно доступные по требованию |
||||
|
Резистивность (Ω.км) |
× 107 ≥ 1 |
× 108 ≥ 1 |
||
|
Подвижность (км2/В.С) |
≥ 5 000 |
≥ 4 000 |
||
|
Плотность тангажа Этч (км2) |
1,500-5,000 |
1,500-5,000 |
||
|
Диаметр вафли (мм) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
150±0.3 |
|
Толщина (µм) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
675±25 |
|
ТТВ [П/П] (µм) |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
|
ТТВ [П/Э] (µм) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
|
ИСКРИВЛЕНИЕ (µм) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 15 |
|
(мм) |
17±1 |
22±1 |
32.5±1 |
ЗАЗУБРИНА |
|
/ЕСЛИ (мм), то |
7±1 |
12±1 |
18±1 |
Н/А |
|
Полиш* |
Э/Э, П/Э, П/П |
Э/Э, П/Э, П/П |
Э/Э, П/Э, П/П |
Э/Э, П/Э, П/П |
вопросы и ответы –
К: Что вы можете поставить снабжение и цену?
(1) мы признаваем ДХЛ, Федерал Экспресс, ТНТ, УПС, ЭМС, СФ и етк.
(2) если вы имеете ваш собственный срочный номер, то оно большие.
Если не, мы смогли помочь вам для того чтобы поставить. Фрайгхт=УСД25.0 (первый вес) + УСД12.0/кг
К: Что срок поставки?
(1) для стандартных продуктов как объектив шарика, объектив Пауэлла и объектив центрира:
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после заказа.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 рабочей недели после заказа.
(2) для -стандартных продуктов, доставка 2 или 6 рабочей недели после того как вы делаете заказ заказ.
К: Как оплатить?
Т/Т, ПайПал, западное соединение, МонейГрам, безопасное обеспечение оплаты и торговли на Алибаба и етк…
К: Что МОК?
(1) для инвентаря, МОК 5пкс.
(2) для подгонянных продуктов, МОК 5пкс-20пкс.
Оно зависит от количества и методов
К: Вы имеете отчет о проверке для материала?
Мы можем поставить подробный отчет для наших продуктов.
Упаковка – Логисткс
мы относимся каждое детали пакета, чистка, противостатическая, шоковая терапия. Согласно количеству и форме продукта,
мы примем различный упаковывая процесс!