Этот полупроводник с широким диапазоном пропускания обладает превосходными характеристиками в суровых условиях работы по сравнению с традиционными материалами на основе кремния, что делает его критически важным для применения в силовой электронике,радиочастотные (RF) системы и оптоэлектроника.
- Что?Расширение применения :
Сфера применения расширилась от традиционной быстрой зарядки смартфонов и адаптеров питания до сценариев средней и высокой мощности, включая бортовые зарядные устройства для новых энергетических транспортных средств (OBC),телекоммуникационные базовые станции, фотоэлектрические инверторы, серверы центров обработки данных, промышленные источники питания и системы хранения энергии.
- Что?1.Технические тенденции - Что?
- Что? - Что?2. Сценарии расширения применения - Что?
- Что?Область применения - Что? | - Что?Примеры применения - Что? |
---|---|
- Что?Потребительская электроника - Что? | Быстрые зарядные устройства мощностью 45 Вт ≈ 240 Вт, адаптеры питания, зарядные устройства для игровых ноутбуков |
- Что?Автомобильная электроника - Что? | OBC (Встроенное зарядное устройство), преобразователи DC-DC, альтернативные решения SiC |
- Что?Промышленное хранение энергии - Что? | Инверторы, резонансные преобразователи, серверные источники питания, модули электропередачи железнодорожных перевозок |
- Что?Коммуникации/Аэрокосмический - Что? | Модули ПА (усилителя мощности) базовой станции 5G, спутниковые энергосистемы |
IV. Резюме и перспективы
Галлиевый нитрид (GaN), как основной представитель полупроводников третьего поколения, ускоряет свое проникновение в такие основные области, как преобразование мощности, быстрая зарядка,и автомобильных электрических систем управления, используя преимущества высокой частоты, высокой эффективности и высокой интеграции.
- Что?Прогнозы на ближайшие пять лет :
Этот полупроводник с широким диапазоном пропускания обладает превосходными характеристиками в суровых условиях работы по сравнению с традиционными материалами на основе кремния, что делает его критически важным для применения в силовой электронике,радиочастотные (RF) системы и оптоэлектроника.
- Что?Расширение применения :
Сфера применения расширилась от традиционной быстрой зарядки смартфонов и адаптеров питания до сценариев средней и высокой мощности, включая бортовые зарядные устройства для новых энергетических транспортных средств (OBC),телекоммуникационные базовые станции, фотоэлектрические инверторы, серверы центров обработки данных, промышленные источники питания и системы хранения энергии.
- Что?1.Технические тенденции - Что?
- Что? - Что?2. Сценарии расширения применения - Что?
- Что?Область применения - Что? | - Что?Примеры применения - Что? |
---|---|
- Что?Потребительская электроника - Что? | Быстрые зарядные устройства мощностью 45 Вт ≈ 240 Вт, адаптеры питания, зарядные устройства для игровых ноутбуков |
- Что?Автомобильная электроника - Что? | OBC (Встроенное зарядное устройство), преобразователи DC-DC, альтернативные решения SiC |
- Что?Промышленное хранение энергии - Что? | Инверторы, резонансные преобразователи, серверные источники питания, модули электропередачи железнодорожных перевозок |
- Что?Коммуникации/Аэрокосмический - Что? | Модули ПА (усилителя мощности) базовой станции 5G, спутниковые энергосистемы |
IV. Резюме и перспективы
Галлиевый нитрид (GaN), как основной представитель полупроводников третьего поколения, ускоряет свое проникновение в такие основные области, как преобразование мощности, быстрая зарядка,и автомобильных электрических систем управления, используя преимущества высокой частоты, высокой эффективности и высокой интеграции.
- Что?Прогнозы на ближайшие пять лет :