Детали блога

Новый 12-дюймовый SiC-вафла запустили, приводя революцию в высокопроизводительной полупроводниковой промышленности

Шанхай, 20 февраля 2025 года Шанхайская известная торговая компания объявляет о запуске своего нового12-дюймовая (300 мм) пластина из карбида кремния (SiC), знаменующий собой значительный прорыв в области высокопроизводительных полупроводниковых материалов.Этот продукт отвечает строгим требованиям как исследовательской, так и производственной среды., и широко используется в таких отраслях промышленности, как электромобили (EV), силовая электроника и технология радиочастот (RF).

Ключевые характеристики высокопроизводительных SiC-вафель

Новая 12-дюймовая пластина SiC имеет кристаллическую ориентацию 4H-N и толщину 750±25μm, предлагая исключительные электрические, тепловые и механические свойства.По сравнению с традиционными кремниевыми материалами, высокая теплопроводность SiC, высокое разрывное напряжение и отличная мобильность электронов позволяют ему работать при более высоких напряжениях, температурах и частотах,значительное повышение эффективности и надежности устройства.

• Материальные преимущества: SiC имеет широкий диапазон пропускания, высокую теплопроводность и высокую толерантность к напряжению, что делает его идеальным для высокомощных электронных устройств с высокой температурой, таких как мощные MOSFET и мощные диоды.
• Механические свойства: твердость и жесткость SiC® значительно превосходят традиционные кремниевые материалы, повышая долговечность и структурную целостность устройств.
• Широкое применение: Новый 12-дюймовый SiC-вафля особенно подходит для высокопроизводительных требований в электромобилях, силовой электронике, высокочастотных коммуникациях, светодиодном освещении и многом другом,продвижение прогресса в таких отраслях, как новые энергетические автомобили, возобновляемые источники энергии и промышленные энергосистемы.

Спецификации продукции

• Диаметр: 12 дюймов (300 мм)
• Толщина: 750±25 мкм
• Кристаллическая ориентация: тип 4H-N, <0001> (на оси) и 4° от оси <1120>
• Сопротивляемость: 0,015 0,03 Ω· см
• Плотность микротруб (MPD): ≤10/см2
• Грубость поверхности: польский Ra ≤1nm, CMP Ra ≤0,2nm
• Опаковка: Одноразовый контейнер для пластинок

Перспективы прорывного применения

Новый 12-дюймовый SiC-вафля будет широко применяться в высокопроизводительных электронных продуктах, особенно в системах управления электроэнергией для электромобилей, интеллектуальных сетях, хранилищах энергии и системах преобразования энергии.Устойчивость к высоким температурам SiC, мощные возможности обработки энергии и характеристики быстрого переключения делают его идеальным выбором для энергоэффективных полупроводниковых устройств следующего поколения с низкой мощностью.

Кроме того, эти пластины будут играть ключевую роль в высокочастотных приложениях, таких как связи 5G, аэрокосмические и военные радиолокационные системы.Поскольку спрос на высокопроизводительные электронные устройства продолжает расти, 12-дюймовая пластина с Си-Си готовы стать главной движущей силой в полупроводниковой промышленности.

О Шанхайской известной торговой компании.

Shanghai Famous Trade Co., Ltd. специализируется на исследованиях, разработке и поставке высокопроизводительных полупроводниковых материалов.Мы стремимся предоставить передовые технологии и высококачественные продукты для глобальных клиентовБлагодаря многолетнему технологическому опыту и опыту работы на рынке, мы стали признанным лидером и надежным партнером в отрасли.

Для получения дополнительной информации о продукте или запросов на заказ, пожалуйста, посетите наш официальный сайт или свяжитесь с нашей командой продаж.Мы с нетерпением ждем возможности присоединиться к вам в развитии нового поколения высокопроизводительных полупроводников..