• Субстрат ГаСб антимонида галлия, монокристалл одиночного Кристл для полупроводника
  • Субстрат ГаСб антимонида галлия, монокристалл одиночного Кристл для полупроводника
  • Субстрат ГаСб антимонида галлия, монокристалл одиночного Кристл для полупроводника
Субстрат ГаСб антимонида галлия, монокристалл одиночного Кристл для полупроводника

Субстрат ГаСб антимонида галлия, монокристалл одиночного Кристл для полупроводника

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: zmkj
Номер модели: ГАСб

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 3pcs
Цена: by case
Упаковывая детали: одиночный пакет вафли в комнате чистки 1000 рангов
Время доставки: 2-4 Weeks
Условия оплаты: T / T, Western Union
Поставка способности: 500PCS
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Материал: Субстрат ГаСб антимонида галлия Метод роста: VFG
Размер: 2-4инч Толщина: 300-800ум
Применение: ИИИ-В направляют материал полупроводника бандгап поверхность: ссп/дсп
Пакет: одиночная коробка вафли
Высокий свет:

субстрат гасб

,

вафля полупроводника

Характер продукции

монокристалл одиночного Кристл субстрата ГаСб антимонида галлия 2-4инч для полупроводника

 

Антимонид галлия (ГаСб) очень важный материал полупроводника бандгап ИИИ-В сразу. Основной материал для массивов детекторов и фокальной плоскости ункоолед средств-длинн-волны сверхрешетки класса ИИ ультракрасных; детекторы ункоолед средств-длинн-волны ультракрасные оно имеет преимущества длинной жизни, легковеса, высокой чувствительности и высокой надежности. Продукт широко использован в ультракрасных лазерах, ультракрасных детекторах, ультракрасных датчиках и термальных фотогальванических элементах.

 

Основные методы роста материалов одиночного кристалла ГаСб включают традиционную жидкост-загерметизированную технологию прям-чертежа (ЛЭК), мобильное топление/вертикальную технологию затвердевания градиента (ВГФ)/вертикал Бридгман.

Субстрат ГаСб антимонида галлия, монокристалл одиночного Кристл для полупроводника 0

2-4инч или подгонянный 
                                            спецификация
одиночный кристалл допинг тип

Концентрация несущей иона

км-3

тариф подвижности

(км2/В.с)
МПД (см-2) РАЗМЕР
ГаСб нет И (1-2) *1017 600-700 <1>

Φ2 ″ ×0.5мм

Φ3 ″ ×0.5мм

ГаСб Зн П (5-100) *1017 200-500

<1>

 

Φ2 ″ ×0.5мм

Φ3 ″ ×0.5мм

ГаСб Те Н (1-20) *1017 2000-3500 <1>

Φ2 ″ ×0.5мм

Φ3 ″ ×0.5мм

РАЗМЕР (мм) Дя50.8кс0.5мм, 10×10×0.5мм, 10×5×0.5ммКан было подгоняно
Ра Шероховатость поверхности (Ра):<>  
блеск одиночная или двойная отполированная сторона
пакет

ранг 100 очищая пластиковую коробку под комнатой чистки 1000 рангов

Субстрат ГаСб антимонида галлия, монокристалл одиночного Кристл для полупроводника 1

Субстрат ГаСб антимонида галлия, монокристалл одиночного Кристл для полупроводника 2

---вопросы и ответы –

К: Вы торговая компания или изготовитель?

А: змкдж торговая компания но имеет изготовитель сапфира 
как поставщик вафель материалов полупроводника для широкой пяди применений.

К: Сколько времени ваш срок поставки?

А: Вообще 5-10 дней если товары в запасе. или 15-20 дней если товары нет

в запасе, оно согласно количеству.

К: Вы обеспечиваете образцы? он свободен или дополнителен?

А: Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.

К: Что ваши условия платежа?

А: Паймент=1000УСД<>,
50% Т/Т заранее, баланс перед пересылкой.
Если вы имеете другой вопрос, то пльс чувствуют свободными связаться мы как ниже:

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно Субстрат ГаСб антимонида галлия, монокристалл одиночного Кристл для полупроводника не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.