logo
Хорошая цена  онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. продукты Created with Pixso.
Субстрат полупроводника
Created with Pixso.

Субстрат ГаСб антимонида галлия, монокристалл одиночного Кристл для полупроводника

Субстрат ГаСб антимонида галлия, монокристалл одиночного Кристл для полупроводника

Наименование марки: zmkj
Номер модели: ГАСб
MOQ: 3pcs
цена: by case
Детали упаковки: одиночный пакет вафли в комнате чистки 1000 рангов
Условия оплаты: T / T, Western Union
Подробная информация
Место происхождения:
Китай
Материал:
Субстрат ГаСб антимонида галлия
Метод роста:
VFG
Размер:
2-4инч
Толщина:
300-800ум
Применение:
ИИИ-В направляют материал полупроводника бандгап
поверхность:
ссп/дсп
Пакет:
одиночная коробка вафли
Поставка способности:
500PCS
Выделить:

субстрат гасб

,

вафля полупроводника

Характер продукции

монокристалл одиночного Кристл субстрата ГаСб антимонида галлия 2-4инч для полупроводника

 

Антимонид галлия (ГаСб) очень важный материал полупроводника бандгап ИИИ-В сразу. Основной материал для массивов детекторов и фокальной плоскости ункоолед средств-длинн-волны сверхрешетки класса ИИ ультракрасных; детекторы ункоолед средств-длинн-волны ультракрасные оно имеет преимущества длинной жизни, легковеса, высокой чувствительности и высокой надежности. Продукт широко использован в ультракрасных лазерах, ультракрасных детекторах, ультракрасных датчиках и термальных фотогальванических элементах.

 

Основные методы роста материалов одиночного кристалла ГаСб включают традиционную жидкост-загерметизированную технологию прям-чертежа (ЛЭК), мобильное топление/вертикальную технологию затвердевания градиента (ВГФ)/вертикал Бридгман.

Субстрат ГаСб антимонида галлия, монокристалл одиночного Кристл для полупроводника 0

2-4инч или подгонянный 
                                            спецификация
одиночный кристалл допинг тип

Концентрация несущей иона

км-3

тариф подвижности

(км2/В.с)
МПД (см-2) РАЗМЕР
ГаСб нет И (1-2) *1017 600-700 <1>

Φ2 ″ ×0.5мм

Φ3 ″ ×0.5мм

ГаСб Зн П (5-100) *1017 200-500

<1>

 

Φ2 ″ ×0.5мм

Φ3 ″ ×0.5мм

ГаСб Те Н (1-20) *1017 2000-3500 <1>

Φ2 ″ ×0.5мм

Φ3 ″ ×0.5мм

РАЗМЕР (мм) Дя50.8кс0.5мм, 10×10×0.5мм, 10×5×0.5ммКан было подгоняно
Ра Шероховатость поверхности (Ра):<>  
блеск одиночная или двойная отполированная сторона
пакет

ранг 100 очищая пластиковую коробку под комнатой чистки 1000 рангов

Субстрат ГаСб антимонида галлия, монокристалл одиночного Кристл для полупроводника 1

Субстрат ГаСб антимонида галлия, монокристалл одиночного Кристл для полупроводника 2

---вопросы и ответы –

К: Вы торговая компания или изготовитель?

А: змкдж торговая компания но имеет изготовитель сапфира 
как поставщик вафель материалов полупроводника для широкой пяди применений.

К: Сколько времени ваш срок поставки?

А: Вообще 5-10 дней если товары в запасе. или 15-20 дней если товары нет

в запасе, оно согласно количеству.

К: Вы обеспечиваете образцы? он свободен или дополнителен?

А: Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.

К: Что ваши условия платежа?

А: Паймент=1000УСД<>,
50% Т/Т заранее, баланс перед пересылкой.
Если вы имеете другой вопрос, то пльс чувствуют свободными связаться мы как ниже:

СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ