Подробная информация о продукции

Дом продукты

Субстрат полупроводника

субстрат Dsp Ssp вафли окиси галлия бета коэффициента Ga2O3 1inch 2inch

Все категории

Синтетический камень самоцвета

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат

Свяжитесь мы

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Контакт теперь

Все категории

Синтетический камень самоцвета

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат

субстрат Dsp Ssp вафли окиси галлия бета коэффициента Ga2O3 1inch 2inch

Наименование марки:	ZMKJ
Номер модели:	Бета Coefficient-Ga2O3
MOQ:	5pcs
цена:	by case
Детали упаковки:	одиночный контейнер вафли в комнате чистки
Условия оплаты:	T/T, западное соединение, PayPal

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

фарфор

layer:

GaN template

layer thickness:

1-5um

Melt point (°C):

1725°C

Conductivity:

Semi-insulating, Fe-doped，Mg-doped

Electrical Resistivity:

>1E6 Ohm-cm

Density:

5.95 g/cm3

Поставка способности:

50pcs/month

Выделить:

вафля окиси галлия 2inch

Субстрат вафли бета коэффициента Ga2O3

Субстрат полупроводника окиси галлия

Характер продукции

Вафля окиси галлия Coefficient-Ga2O3 Epiwafers окиси галлия бета дала допинг субстрату Dsp Ssp квадрата Mg Fe3+

Окись галлия (Ga2O3) имеет большую энергию диапазон-зазора, и ее можно вырасти от плавит источник. В результате большие, высококачественные субстраты одно-Кристл можно изготовить по низким ценам. Эти характеристики делают Ga2O3 многообещающий материал для производительности электроники следующего поколени. Она также имеет высокое преимущество уменьшения сопротивления серии голубого СИД или СИД UVB.

Свойства Ga2O3

β-Ga2O3 смесь окиси галлия, которая широкий материал полупроводника зазора диапазона. Своя кристаллическая структура принадлежит шестиугольной кристаллографической системе, с высокой подвижностью электрона и большой шириной связи, поэтому она имеет широкую перспективу применения. Здесь некоторые детали о β-Ga2O3:

Физические свойства:

Кристаллическая структура: шестиугольная кристаллографическая система

Плотность: ³ 5,88 g/cm

Решетка постоянн: = 0,121 nm, c = 0,499 nm

Точка плавления: °C 1725

R.I.: 1.9-2.5

Прозрачный диапазон длины волны: 0.23-6.0μm

Электрические свойства:

Ширина связи: 4.8eV

Подвижность электрона: 200-600 ² /Vs см

Тариф утечки: ² 10^ -5-10 ^-10 A/cm

Потенциал РЕДОКСОВ: 2.5V против NHE

Применение Ga2O3

Из-за своих широкого зазора диапазона и высокой подвижности электрона, β-Ga2O3 имеет широкую перспективу применения в производительности электроники, photoelectronics, фотоэлементах и других полях. Специфические применения включают:

Детекторы и лазеры ультрафиолетова

Диоды MOSFETs и Schottky наивысшей мощности

Высокотемпературный датчик и потенциальный датчик

Фотоэлементы и материалы СИД

β-Ga2O3 все еще смотрит на некоторые проблемы в подготовке и применение, как выращивание кристаллов, управление примеси, изготовление прибора, etc. как бы, с непрерывным развитием технологии, перспектива применения β-Ga2O3 все еще очень широко.

Окись галлия, одиночный кристалл Ga2O3		субстраты 2inch		субстраты 10*15mm
Ориентация		(- 201)	(- 201)	(- 201)	(010)	(010)	(010)
Dopant		Sn	ООН-данный допинг	Sn	Sn	ООН-данный допинг	Fe
Проводимость		n типа	n типа	n типа	n типа	n типа	Изоляция (>1010
Nd-Na (cm-3)		5E17~9E18	5E17 или более менее	5E17~9E18	1E18~9E18	1E17~5E17	-
Размеры	A-B (mm)	50.8±0.3	50.8±0.3	15±0.3	15±0.3	15±0.3	15±0.3
	КОМПАКТ-ДИСК (mm)	41~49.8	41~49.8	10±0.3	10±0.3	10±0.3	10±0.3
	Толщина	0.68±0.02	0.68±0.02	0.68±0.02	0.5±0.02	0.5±0.02	0.5±0.02
	Ссылка (m	Fig.1	Fig.1	Fig.2	Fig.3	Fig.3	Fig.3
Угол смещения (степень)		[010]: 0±0.4	[010]: 0±0.4	[010]: 0±0.4	丄 [102]: 0±1	丄 [102]: 0±1	丄 [102]: 0±1
Угол смещения (степень)		[102]: 0.7±0.4	[102]: 0.7±0.4	[102]: 0.7±0.4	[102]: 0±1	[102]: 0±1	[102]: 0±1
FWHM (arcsec)		[010]: 150 или более менее	[010]: 150 или более менее	[010]: 150 или более менее	丄 [102]: 150 или	丄 [102]: 150 или	丄 [102]: 150 или
FWHM (arcsec)		[102]: 150 или более менее	[102]: 150 или более менее	[102]: 150 или более менее	[102]: 150 или более менее	[102]: 150 или более менее	[102]: 150 или более менее
Поверхность	Фронт	CMP	CMP	CMP	CMP	CMP	CMP
Поверхность	Назад	Грубый	Грубый	Грубый	Грубый	Грубый	Грубый

Деталь	Спецификация
Ориентация	-100
Данный допинг	UID		Mg		Fe
Электрический параметр	1 ×1017~3×1018cm-3		≥1010 Ω ·см		≥1010 Ω ·см
ширина полу-высоты кривой качания Двойн-Кристл	≤150

Плотность дислокации	см-2 <1×10 5
Размер	A-B	КОМПАКТ-ДИСК		厚度

	10mm	10.5mm		0,5 (±0.02) mm
	5mm	10mm		0,5 (±0.02) mm
Плоскостность	Длинная сторона ориентация [010]
Поверхность	DSP/SSP
	Ра<0>
	Mis<>

субстрат Dsp Ssp вафли окиси галлия бета коэффициента Ga2O3 1inch 2inch 0

субстрат Dsp Ssp вафли окиси галлия бета коэффициента Ga2O3 1inch 2inch 2

Теги:

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Вафля нитрида галлия

Субстрат полупроводника

Синтетический камень самоцвета

Части керамические

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Коробка несущей вафли

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Вафля нитрида галлия

Субстрат полупроводника

Синтетический камень самоцвета

Части керамические

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Коробка несущей вафли

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат

Подробная информация о продукции

субстрат Dsp Ssp вафли окиси галлия бета коэффициента Ga2O3 1inch 2inch

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Вафля нитрида галлия

Субстрат полупроводника

Синтетический камень самоцвета

Части керамические

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Коробка несущей вафли

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Вафля нитрида галлия

Субстрат полупроводника

Синтетический камень самоцвета

Части керамические

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Коробка несущей вафли

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат

субстрат Dsp Ssp вафли окиси галлия бета коэффициента Ga2O3 1inch 2inch

вафля окиси галлия 2inch

Субстрат вафли бета коэффициента Ga2O3

Субстрат полупроводника окиси галлия