Характер продукции

3 дюймовый Индий фосфидный субстрат N-тип полупроводников метод роста VGF 000 001 ориентация

Резюме продукта

Наши продукты InP (индий фосфид) предлагают высокопроизводительные решения для различных приложений в телекоммуникационных, оптоэлектроники и полупроводниковой промышленности.С превосходными оптическими и электронными свойствами, наши материалы InP позволяют разрабатывать передовые фотонические устройства, включая лазеры, фотодетекторы и оптические усилители.или специально разработанные компоненты, наши продукты InP обеспечивают надежность, эффективность и точность для ваших требовательных фотонических проектов.

Витрина продукции

Свойства продукта

1. Высокая оптическая прозрачность: InP имеет отличную оптическую прозрачность в инфракрасной области, что делает его подходящим для различных оптоэлектронных приложений.

2. Прямая полоса пропускания: Прямая полоса пропускания InP позволяет эффективно излучать и поглощать свет, что делает его идеальным для полупроводниковых лазеров и фотодетекторов.

3. Высокая мобильность электронов: InP предлагает высокую мобильность электронов, позволяя быстро транспортировать носителя заряда и облегчая высокоскоростные электронные устройства.

4. Низкая теплопроводность: низкая теплопроводность InP помогает эффективно рассеивать тепло, что делает его подходящим для высокопроизводительных оптоэлектронных устройств.

5. Химическая стабильность: InP демонстрирует хорошую химическую стабильность, обеспечивающую долгосрочную надежность устройств даже в суровых условиях эксплуатации.

6. Совместимость с III-V соединенными полупроводниками: InP может быть легко интегрирован с другими III-V соединенными полупроводниками,позволяющий разработку сложных гетероструктур и многофункциональных устройств.

7. Защитный пробел: пробел InP может быть спроектирован путем корректировки состава фосфора, что позволяет проектировать устройства со специфическими оптическими и электронными свойствами.

8. Высокое разрывное напряжение: InP имеет высокое разрывное напряжение, обеспечивающее прочность и надежность устройств в высоковольтных приложениях.

9. Низкая плотность дефектов: субстраты InP и эпитаксиальные слои обычно имеют низкую плотность дефектов, что способствует высокой производительности и производительности устройства.

10. Совместимость с окружающей средой: InP является экологически чистым и не представляет минимальных рисков для здоровья и окружающей среды во время производства и эксплуатации.

11. Параметр	2 ∆ S-допированный InP-вафла	2 ∆ Допированный Fe InP Wafer
    Материал	VGF InP однокристаллическая пластина	VGF InP однокристаллическая пластина
    Уровень	Эпи- готовый	Эпи- готовый
    Допирующее средство	S	Фэ
    Тип провода	S-C-N	С-Я
    Диаметр пластины (мм)	500,8±0.4	500,8±0.4
    Ориентация	(100) o±0,5o	(100) o±0,5o
    Местонахождение / Длина	EJ [0-1-1] / 17±1	EJ [0-1-1] /17±1
    Местонахождение / длина	EJ [0-1 1] / 7±1	EJ [0-1 1] / 7±1
    Концентрация носителя (см-3)	(1~6) E 18	1.0E7 - 5.0E8
    Сопротивляемость (Wcm)	8 ~ 15 E-4	≥1,0E7
    Мобильность (см2/Vs)	1300 ~ 1800	≥ 2000
    Средний EPD (см-2)	≤ 500	≤ 3000
    Толщина (μm)	475 ± 15	475 ± 15
    TTV/TIR (μm)	≤ 15	≤ 15
    Воронка (μm)	≤ 15	≤ 15
    Обёртка (μm)	≤ 15	≤ 15
    Количество частиц	Никаких	Никаких
    Поверхность	Передняя сторона: полированная, Черная сторона: выгравированная	Передняя сторона: полированная, Черная сторона: выгравированная
    Опаковка для вафелей	Вафель, закрепленный пауком в отдельной подносе и запечатанный N2 в статическом экране.	Вафля, закрепленная пауком в отдельной подносе и запечатанная N2 в статическом экранирующем мешке.

12. Применение продукции

13. Телекоммуникации: устройства на базе InP широко используются в телекоммуникационных сетях для высокоскоростной передачи данных.включая системы связи оптических волокон и высокочастотную беспроводной связь.

14. Фотоника: материалы InP необходимы для разработки различных фотонических устройств, таких как полупроводниковые лазеры, фотодетекторы, модуляторы и оптические усилители, используемые в телекоммуникациях,ощущение, и обработки изображений.

15. Оптоэлектроника: оптоэлектронные устройства на основе InP, такие как светоизлучающие диоды (LED), лазерные диоды и солнечные батареи, используются в дисплеях, освещении, медицинском оборудовании,и системы возобновляемой энергии.

16. Полупроводниковая электроника: InP-субстраты и эпитаксиальные слои служат платформами для изготовления высокопроизводительных транзисторов, интегральных схем и микроволновых устройств для радиолокационных систем,спутниковые связи, и военных применений.

17. Датчики и визуализация: фотодетекторы и датчики визуализации на основе InP используются в различных областях, включая спектроскопию, лидар, наблюдение и медицинскую визуализацию.из-за их высокой чувствительности и быстрого времени отклика.

18. Квантовые технологии: Квантовые точки InP и квантовые скважины изучаются для их потенциального применения в квантовых вычислениях, квантовой связи и квантовой криптографии.предлагает преимущества в области согласованности и масштабируемости.

19. Оборона и аэрокосмическая промышленность: устройства InP используются в оборонных и аэрокосмических системах за их надежность, высокую скорость работы и твердость радиации, поддерживая такие приложения, как радиолокационные системы,направление ракеты, и спутниковой связи.

20. Биомедицинская инженерия: оптические датчики и системы визуализации на основе InP используются в биомедицинских исследованиях и клинической диагностике для неинвазивного мониторинга, визуализации,и спектроскопический анализ биологических образцов.

21. Мониторинг окружающей среды: датчики на основе InP используются для мониторинга окружающей среды, включая обнаружение загрязнения, обнаружение газов и дистанционное обнаружение атмосферных параметров.содействие устойчивому развитию окружающей среды.

22. Появляющиеся технологии: InP продолжает находить применение в новых технологиях, таких как квантовая обработка информации, интеграция кремниевой фотоники и терагерцовая электроника,продвижение в области вычислений, коммуникации и чувствительности.

23.