Кремниевая пластина толщина 4 дюйма 500+/-20 Сопротивляемость 1-10 ом·см Ориентация100 двойной стороной полировки

Резюме продукта

Наш высокоточный сверхчистый кремниевый субстрат тщательно разработан, чтобы служить основой для высокопроизводительных полупроводниковых устройств.Изготовлен с использованием передовой технологии монокристаллического кремния плавающей зоны, этот субстрат обладает исключительной чистотой и однородностью, обеспечивая превосходные электронные свойства.наша подложка позволяет изготавливать передовые полупроводниковые устройства с повышенной надежностью и производительностьюНезависимо от того, используется ли он в интегральных схемах, силовой электронике или фотоэлектрических приложениях, наш кремниевый субстрат способствует инновациям в различных отраслях,продвижение технологий и техники.

Витрина продукции

Свойства продукта

1. Ультрачистый кремний: наш субстрат состоит из монокристаллического кремния плавающей зоны, обеспечивающего исключительный уровень чистоты, необходимый для высокопроизводительных полупроводниковых устройств.

2.  

3. Единая кристаллическая структура: субстрат имеет единую кристаллическую структуру, свободную от дефектов или нерегулярностей, обеспечивающую постоянные электрические свойства на всей поверхности.

4.  

5. Низкий уровень нечистоты: с тщательным контролем концентрации нечистоты, наш субстрат демонстрирует низкий уровень допантов и загрязнителей,минимизация нежелательных электронных эффектов и обеспечение надежности устройства.

6.  

7. Высокая тепловая стабильность: субстрат демонстрирует высокую тепловую стабильность, что позволяет надежно работать в широком диапазоне температур без ущерба для производительности или целостности.

8.  

9. Точный контроль размеров: Каждый подложка изготавливается с точным контролем размеров, обеспечивая постоянную толщину и плоскость для облегчения точных процессов изготовления устройства.

10.  

11. Отличное качество поверхности: наша подложка имеет гладкую и бездефектную поверхность, необходимую для отложения тонких пленок и формирования высококачественных интерфейсов устройств.

12.  

13. Настраиваемые спецификации: мы предлагаем целый ряд настраиваемых спецификаций, включая концентрацию допинга, сопротивляемость и ориентацию,для удовлетворения специфических требований различных применений полупроводников.

14.  

15. Совместимость с полупроводниковыми процессами: субстрат совместим с различными методами обработки полупроводников, включая эпитаксию, литографию и гравировку,обеспечивает бесперебойную интеграцию в существующие производственные процессы.

16.  

17. Электрическая производительность: наш субстрат обладает отличными электрическими свойствами, включая высокую подвижность носителя, низкие утечки токов и равномерную электрическую проводимость,необходимые для оптимизации производительности и эффективности устройства.

18.  

19. Надежность и долговечность: предназначены для долгосрочной надежности,наша подложка подвергается строгим мерам контроля качества, чтобы обеспечить постоянную производительность и долговечность на протяжении всего срока эксплуатации.

20. Спецификация FZ монокристаллического кремния

     

    Тип	Тип провода	Ориентация	Диаметр ((мм)	Проводимость ((Ω•см)
    Высокое сопротивление	Н&П	<100>&<111>	76.2-200	> 1000
    NT1	N	<100>&<111>	76.2-200	30-800
    CFZ	Н&П	<100>&<111>	76.2-200	1-50
    ГД	Н&П	<100>&<111>	76.2-200	0.001-300

     

     

     

    Спецификация пластинки

     

    Параметр слитка	Положение	Описание
    	Способ выращивания	ФЗ
    	Ориентация	<111>
    	Неориентированность	4±0,5 градуса до ближайшего <110>
    	Тип/допант	П/борон
    	Сопротивляемость	10-20 W.cm
    	РРВ	≤15% (макс. край-Cen) /Cen

     
     

     

     

     

    Параметр вафеля	Положение	Описание
    	Диаметр	150±0,5 мм
    	Толщина	675±15 мм
    	Первичная плоская длина	570,5±2,5 мм
    	Первичная плоская ориентация	<011>±1 степень
    	Вторичная плоская длина	Никаких
    	Вторичная плоская ориентация	Никаких
    	TTV	≤ 5 мм
    	Поклонитесь.	≤ 40 мм
    	Варп	≤ 40 мм
    	Профиль края	SEMI стандарт
    	Передняя поверхность	Химико-механическая полировка
    	ЛПД	≥ 0,3 um@≤15 шт.
    	Задняя поверхность	Кислотно-этированные
    	Чипсы Edge	Никаких
    	Пакет	Вакуумная упаковка; внутренний пластик, внешний алюминий

21. Применение продукции

     

    Интегрированные схемы (IC): Наш высокоточный ультрачистый кремниевый субстрат служит основным строительным блоком для изготовления интегральных схем, используемых в широком спектре электронных устройств,включая смартфоны, компьютеров и автомобильной электроники.

    Электроэлектроника: субстрат используется в устройствах с полупроводниками, таких как диоды, транзисторы и тиристоры,позволяет эффективно конвертировать и контролировать энергию в таких приложениях, как электромобили, системы возобновляемых источников энергии и промышленная автоматизация.

    Фотоэлектрическая энергия (PV): наш субстрат играет решающую роль в производстве высокоэффективных солнечных элементов,обеспечивая стабильную и равномерную основу для отложения полупроводниковых слоев и металлических контактов, что приведет к повышению эффективности преобразования солнечной энергии.

    Светоизлучающие диоды (LED): В производстве светодиодов наша субстрата служит платформой для эпитаксиального роста полупроводниковых слоев,обеспечение единообразия и надежности производительности светодиодов для таких приложений, как освещение, дисплеев и автомобильного освещения.

    Микроэлектромеханические системы (MEMS): наш субстрат облегчает изготовление устройств MEMS, включая акселерометры, гироскопы и датчики давления,позволяет точное обнаружение и управление в потребительской электронике, автомобильных систем и медицинских изделий.

    Радиочастотные (RF) устройства: субстрат используется в производстве RF устройств, таких как RF усилители, осцилляторы и фильтры, поддерживающие системы беспроводной связи, спутниковой связи,и радиолокационные системы с высокочастотным функционированием и надежностью.

    Оптоэлектронные устройства: наш субстрат позволяет разрабатывать оптоэлектронные устройства, такие как фотодетекторы, оптические модуляторы и лазерные диоды,содействие применению в телекоммуникациях, передачи данных и оптического обнаружения.

    Биомедицинские датчики: в биомедицинской инженерии наш субстрат используется для изготовления биодатчиков и биоэлектронных устройств для таких приложений, как медицинская диагностика,системы доставки наркотиков, и имплантируемые медицинские устройства.

    Аэрокосмическая и оборонная: субстрат используется в аэрокосмических и оборонных приложениях, включая радарные системы, спутники связи и системы наведения ракет, где надежность, стабильность,и производительность имеют решающее значение в суровых условиях.

    Появляющиеся технологии: наш субстрат поддерживает достижения в новых технологиях, таких как квантовые вычисления, нейроморфные вычисления и передовые датчики, стимулирующие инновации в вычислениях,искусственный интеллект, и сенсорные приложения.