Полуизоляционные композитные субстраты SiC-On-Si 4H имеют высокую резистивность

Полуизоляционный SiC на Si композитных субстратах 4H показывает высокую резистивность LED

Описание продукта SiC On Si Composite Substrates:

Полуизоляционный карбид кремния (SiC) на пластине из кремниевых соединений - это специализированный тип пластины, который сочетает в себе свойства карбида кремния и кремниевых материалов.Пластинка состоит из слоя полуизолирующего карбида кремния на поверхности кремниевой подложкиТермин "полуизоляция" указывает на то, что материал обладает электрическими свойствами, которые не являются чисто проводящими или чисто изоляционными, но где-то посередине.

Характер SiC на Си композитных субстратах:

1Высокая сопротивляемость: полуизоляционный SiC на Si-палитрах имеет высокую сопротивляемость, что означает, что они имеют низкую электрическую проводимость по сравнению с обычными проводящими материалами.

2. Низкая утечка: из-за своей полуизоляционной природы эти пластины имеют низкие утечные токи, что делает их подходящими для применений, требующих минимальной электрической утечки.

3. Высокое разрывное напряжение: они обычно имеют высокое разрывное напряжение, что позволяет им выдерживать высокие электрические поля без разрыва.

Список параметров SiC On Si композитных субстратов:

Применение SiC на композитных субстратах Si:

1. Высокочастотные устройства: полуизоляционный SiC на стеклянных пластинах соединения Si обычно используется в высокочастотных устройствах, таких как радиочастотные транзисторы, усилители и микроволновые системы.

2Электроэлектроника: они находят применение в силовых электронных устройствах, где высокое разрывное напряжение и низкие электрические потери имеют решающее значение для эффективного преобразования энергии.

3Датчики: Эти пластинки используются в датчиковых технологиях, где требуется высокая сопротивляемость и низкие характеристики утечки для точного обнаружения и измерения.

4. Оптоэлектроника: В оптоэлектронных устройствах, таких как фотодетекторы и светодиоды, полуизоляционный SiC на Si-олочках может обеспечить улучшенную производительность из-за их уникальных электрических свойств.

Применение SiC на композитных субстратах:

Часто задаваемые вопросы