GaP Wafer 2-дюймовый N Тип Недопированный S Допированный 100 DSP SSP CZ Высокая чистота 5N 99,999%

Описание GaP Wafer:

В полупроводниках фосфид галлия представляет собой соединенный полупроводник типа III-V, который имеет широкий косвенный диапазон фосфида галлия (разрыв).Кристаллическая структура этого соединения такая же, как у кремния.Его решетчатая константа составляет 0,545 нм, а мобильность электронов и отверстий составляет приблизительно 100 и 75 см2/В-с соответственно.Он использовался при изготовлении многих электронных устройств., включая коммутаторы CMOS и RF/V/A.

Основным субстратом для светодиодов является фосфид галлия, и он прозрачен для красного, желтого и оранжевого света.Эти диоды прозрачны для большинства светаОднако есть проблема, связанная с этим материалом. Хотя он высокопроводящий, он не может быть использован в электронике.не излучает достаточно света, чтобы быть полезным в качестве источника освещения.

1Пробел в диапазоне: GaP имеет прямой пробел примерно 2,26 eV при комнатной температуре.
2Оптические свойства: GaP-вофы обладают отличными оптическими свойствами, такими как высокая прозрачность видимого спектра.Эта прозрачность выгодна для оптоэлектронных устройств, работающих в диапазоне видимого света.
3Электрические свойства: GaP обладает хорошими электрическими свойствами, включая высокую мобильность электронов и низкий темный ток,изготовление, при котором он подходит для высокоскоростных электронных устройств и низкошумных оптоэлектронных устройств.
4Тепловые свойства: GaP-вофы имеют относительно хорошую теплопроводность, что помогает рассеивать тепло от электронных устройств.Это свойство важно для поддержания производительности и надежности устройства.
5Кристаллическая структура: GaP имеет кристаллическую структуру цинковой смеси, что влияет на его электронные и оптические свойства.Кристаллическая структура также влияет на процесс роста и производства устройств на основе GaP.
6Допинг: GaP пластинки могут быть допированы различными примесями для изменения их электрической проводимости и оптических свойств.Этот контроль допантов необходим для адаптации GaP устройств для конкретных приложений.
7Совместимость с III-V соединениями: GaP совместим с другими III-V соединениями полупроводников,позволяет расти гетероструктуры и интеграции различных материалов для создания передовых устройств.

Форма GaP вафеля:

Физическая фотография GaP Wafer:

1. Светодиоды (LED):
GaP-вофры обычно используются при изготовлении светодиодов для различных применений освещения, включая индикаторные огни, дисплеи и автомобильное освещение.
2Лазерные диоды:
GaP-волки используются при производстве лазерных диодов для таких приложений, как хранение оптических данных, телекоммуникации и медицинские устройства.
3Фотодетекторы:
GaP-вофры используются в фотодетекторах для светочувствительных приложений, включая оптическую связь, системы визуализации и мониторинг окружающей среды.
4Солнечные элементы:
GaP-вофы используются в разработке высокоэффективных солнечных элементов, особенно в многосоединенных солнечных элементах для космических приложений и наземных фотоэлектрических концентраторов.
5. Оптоэлектронные устройства:
GaP-волки являются неотъемлемой частью различных оптоэлектронных устройств, таких как фотонические интегральные схемы, оптические датчики и оптоэлектронные модуляторы.
6Высокоскоростная электроника:
GaP-вофры используются в высокоскоростных электронных устройствах, включая высокочастотные транзисторы, микроволновые интегральные схемы и усилители мощности радиочастот.
7Полупроводниковые лазеры:
GaP-вофы используются при изготовлении полупроводниковых лазеров, используемых в таких приложениях, как оптическая связь, сканеры штрих-кодов и медицинское оборудование.
8Фотоника:
GaP-вофры играют решающую роль в применении фотоники, включая волноводы, оптические переключатели и фотонические кристаллы для манипулирования светом в наномасштабе.
9Технология датчиков:
GaP-палитра используется при разработке датчиков для различных применений, таких как детекция газов, мониторинг окружающей среды и биомедицинская диагностика.
10.Гетеросоединения:
GaP-вофы интегрируются с другими III-V полупроводниками для создания устройств гетеросоединения, что позволяет использовать расширенные функциональные возможности в электронных и оптоэлектронных системах.

Приложения изображения GaP Wafer:

Часто задаваемые вопросы

1. Вопрос: Для чего используется фосфид галлия?
Ответ: Фосфид галлия используется в производстве недорогих красных, оранжевых и зеленых светодиодов с низкой и средней яркостью с 1960-х годов.Используется самостоятельно или вместе с галлиевым арсенидом

Рекомендация продукта:

1.SOI Wafer Кремний на изоляторе Wafer Dopant P BOX слой 0,4-3 Ориентация субстрата 100 111

2.8 дюймовый GaN-on-Si Epitaxy si субстрат ((110 111 110) для реакторов MOCVD или применения RF энергии