• MgO Wafer 111 100 Полированный оксид магния монокристаллический полупроводник
  • MgO Wafer 111 100 Полированный оксид магния монокристаллический полупроводник
  • MgO Wafer 111 100 Полированный оксид магния монокристаллический полупроводник
  • MgO Wafer 111 100 Полированный оксид магния монокристаллический полупроводник
  • MgO Wafer 111 100 Полированный оксид магния монокристаллический полупроводник
MgO Wafer 111 100 Полированный оксид магния монокристаллический полупроводник

MgO Wafer 111 100 Полированный оксид магния монокристаллический полупроводник

Подробная информация о продукте:

Place of Origin: China
Фирменное наименование: ZMSH
Номер модели: Вафли MgO

Оплата и доставка Условия:

Время доставки: 2-4weeks
Условия оплаты: T/T
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Метод роста: Специальное плавление дуги Типичная чистота: 99.95%
Структура кристалла: Кубический Константа единичной клетки: a = 4,212 Å
Точка плавления (°C): 2800 Плотность: 3.58 (г/см3)
Твердость: 5.5 (Мох) Коэффициент теплового расширения, CTE (/K): 11.2 х 10-6
Выделить:

Оксид магния Монокристаллический MgO вафель

,

Настраиваемая пластина MgO

,

Полированная пластина MgO

Характер продукции

MgO Wafer (111) (100) Полированный оксид магния Монокристаллический полупроводник

Описание MgO Wafer:

Однокристаллические пластины MgO являются основным компонентом лабораторий тонкой пленки для поддержки высококачественного роста оксида (и металла) эпитаксиальной тонкой пленки, включая полупроводниковые, сверхпроводниковые, диэлектрические, ферроэлектрические,и ферромагнитных оксидовКристаллы MgO хорошо растут с минимальными дефектами, что означает, что он доступен до 2 дюймов в диаметре и как материал с высокой твердостью может быть полирован с грубостью около атомного масштаба (rms <0,2 нм).
Из-за его высокой прозрачности (даже при толщине 0,5 мм > 85%), он часто используется для оптических экспериментов для исследования пленки на поверхности,в этом случае выберите двойную сторону, отполированную при выполнении этих измерений в режиме передачи.

Характер MgO вафры:

Электрическая изоляция: пластины MgO обладают отличными электрическими изоляционными свойствами, что делает их подходящими для использования в электронных устройствах и изоляционных слоях в полупроводниковых приложениях.
Тепловая устойчивость: MgO-облачки имеют высокую тепловую устойчивость и могут выдерживать высокие температуры, что выгодно для приложений, требующих теплостойкости.
Оптическая прозрачность: в определенных длинах волны MgO-палки демонстрируют хорошую оптическую прозрачность, что делает их полезными в оптико-электронных приложениях, таких как светодиоды и лазерные диоды.
Твердость: MgO-вофли характеризуются высокой твердостью, что способствует их долговечности и устойчивости к износу и абразии.
Химическая инертность: пластины MgO химически инертны и устойчивы к коррозии, что повышает их пригодность для использования в суровой среде и химических процессах.
Кристаллическая структура: MgO-облачки обычно имеют кубическую кристаллическую структуру, которая может повлиять на их физические и оптические свойства.
Диэлектрические свойства: пластины MgO обладают благоприятными диэлектрическими свойствами, что делает их подходящими для использования в конденсаторах и других электронных компонентах.
Магнитные свойства: в определенных конфигурациях пластины MgO могут обладать магнитными свойствами, которые полезны для применения в магнитных туннельных соединениях и магнитных устройствах хранения.

Форма MgO Wafer:

 

Вафель MgO
Кристаллическая ориентация(100), (110), (111)
Оптическая передача> 90% (200 ~ 400 нм), > 98% (500 ~ 1000 нм)
Диэлектрическая постоянная9.65
Размеры10x10 мм, 20x20 мм, диаметр 1 дюйм, диаметр 2 дюйма, диаметр 60 мм

3 дюймовые пластины MgO и 4 дюймовые пластины MgO доступны по запросу
Специальные размеры и ориентации доступны по запросу

Стандартная толщина0.5 мм или 1,0 мм
ПолировкаПолированные с одной или двух сторон (SSP или DSP)
Кристаллическая ориентация+/- 0,5 градуса
Грубость поверхности, Ra:< 0,5 нм (площадь 5 мм х 5 мм)
Пакетупакована в чистый пакет класса 100 в чистом помещении класса 1000

Физическая фотография MgO Wafer:

MgO Wafer 111 100 Полированный оксид магния монокристаллический полупроводник 0MgO Wafer 111 100 Полированный оксид магния монокристаллический полупроводник 1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Применение MgO Wafer:

 
1Промышленность полупроводников: в полупроводниковой промышленности пластинки MgO используются для различных целей, таких как субстрат для отложения тонкой пленки, как изоляционные слои в электронных устройствах,и в качестве буферного слоя в магнитных туннельных соединениях.
2Оптоэлектроника: MgO-вофры используются в оптикоэлектронных устройствах, таких как светодиоды (светоизлучающие диоды) и лазерные диоды, благодаря своим электрическим изоляционным свойствам и прозрачности к свету.
3Магнитное хранение: в области магнитного хранения,MgO-вофы используются в качестве туннельных барьерных слоев в магнитных туннельных соединениях для применения в магнитной памяти случайного доступа (MRAM) и магнитных датчиках.
4Тепловые барьерные покрытия: MgO пластинки используются в производстве тепловых барьерных покрытий из-за их тепловых свойств, таких как высокая температура плавления и теплопроводность.
5Медицинское изображение: MgO-олочки используются в медицинских технологиях изображения, таких как рентгеновские аппараты и КТ-сканеры, в качестве компонентов в детекторах для преобразования рентгеновских лучей в электрические сигналы.
6. Осаждение тонкой пленки: MgO-олочки используются в качестве субстратов для осаждения тонких пленок в различных приложениях, включая оптику, датчики и микроэлектронику.
7. Исследования и разработки: MgO-олочки используются в исследовательских лабораториях для экспериментальных целей, таких как изучение роста тонкой пленки, свойств поверхности и электронных структур.

Снимок применения MgO Wafer:

 
MgO Wafer 111 100 Полированный оксид магния монокристаллический полупроводник 2

Часто задаваемые вопросы

1Вопрос: Что такое субстраты оксида магния?
О: Оксид магния используется для изготовления магнитных пленок, полупроводниковых пленок, оптических пленок, высокотемпературных сверхпроводящих пленок и т. д.

2Вопрос: Как очищать МГО-субстрат?
Ответ: Оксид магния однокристаллы поглощают влагу, которая повредит поверхность кристаллов.Чтобы очистить кристаллы.Кристаллы следует удерживать в этом растворе до тех пор, пока они не готовы к росту пленки.

Рекомендация продукта:

1.2-дюймовый 4-дюймовый свободно стоящий галлиевой нитрид
 
MgO Wafer 111 100 Полированный оксид магния монокристаллический полупроводник 3
 
2.SIC Кремниевая карбидная пластина 4H - N Тип для устройства MOS 2 дюйма Диаметр 50,6 мм
 
MgO Wafer 111 100 Полированный оксид магния монокристаллический полупроводник 4
 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно MgO Wafer 111 100 Полированный оксид магния монокристаллический полупроводник не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.