Пропускная способность N-InP-субстрата 02:2.5G длина волны 1270nm эпи-вофлеры для лазерного диода FP

Пропускная способность N-InP-субстрата 02:2.5G длина волны 1270nm эпи вафли для лазерного диода FP

Обзор N-InP субстрата FP Epiwafer

Наш N-InP Substrate FP Epiwafer - это высокопроизводительная эпитаксиальная пластинка, предназначенная для изготовления лазерных диодов Fabry-Pérot (FP), специально оптимизированных для оптических коммуникационных приложений.Этот эпивафер оснащен субстратом N-типа Индий фосфида (N-InP), материал, известный своими отличными электронными и оптоэлектронными свойствами, что делает его идеальным для высокоскоростных и высокочастотных устройств.

Epiwafer предназначен для производства лазерных диодов, работающих на длине волны 1270 нм,которая является критической длиной волны для систем мультиплексирования с разделением на грубые длины волн (CWDM) в волоконно-оптической связиТочный контроль состава и толщины эпитаксиального слоя обеспечивает оптимальную производительность, причем лазерный диод FP способен достигать пропускной способности до 2,5 ГГц.Эта пропускная способность делает устройство хорошо подходит для высокоскоростной передачи данных, поддерживающие приложения, требующие быстрой и надежной связи.

структура полости лазерного диода Fabry-Pérot (FP), обеспечиваемая высококачественными эпитаксиальными слоями на субстрате InP,обеспечивает генерацию согласованного света с минимальным шумом и высокой эффективностьюЭтот эпивафер разработан для обеспечения стабильной и надежной работы, что делает его отличным выбором для производителей, стремящихся производить передовые лазерные диоды для телекоммуникаций.Центры обработки данных, и другие высокоскоростные сетевые среды.

Подводя итог, наш N-InP Substrate FP Epiwafer является критически важным компонентом для передовых систем оптической связи, предлагая отличные свойства материала, точное нацеление на длину волны,и высокая пропускная способностьОн обеспечивает прочную основу для производства лазерных диодов FP, которые отвечают строгим требованиям современных высокоскоростных коммуникационных сетей.

Свойства субстрата N-InP FP Epiwafer

The N-InP Substrate FP Epiwafer is characterized by a set of specialized properties that make it an ideal choice for the fabrication of Fabry-Pérot (FP) laser diodes used in high-performance optical communication systemsНиже приведены основные свойства этого эпивафера:

1. Материал субстрата:

   • Тип: Индий фосфид N-типа (N-InP)
   • Свойства: высокая мобильность электронов, низкая сопротивляемость и отличная теплопроводность, что делает его подходящим для высокоскоростных электронных и оптоэлектронных приложений.

1. Эпитаксиальный слой:

   • Техника роста: Эпитаксиальные слои выращиваются на N-InP-субстрате с использованием таких методов, как металлоорганическое химическое отложение паров (MOCVD) или молекулярная лучевая эпитаксия (MBE).
   • Состав слоя: Точный контроль концентрации допинга и состава материала для достижения желаемых электронных и оптических свойств.

2. Длина волны:

   • Целевая длина волны: 1270 нм
   • Применение: Идеально подходит для мультиплексирования с разделением на толстые длины волн (CWDM) в системах связи из оптических волокон.

3. Пропускная способность:

   • Операционная пропускная способность: до 2,5 ГГц
   • Производительность: Подходит для высокоскоростной передачи данных, обеспечивая надежную производительность в телекоммуникациях и сетях передачи данных.

4. Пустота Фабри-Перо:

   • Структура: Эпивафер поддерживает образование полости Фабри-Перо, необходимой для генерации когерентного света с высокой эффективностью.
   • Свойства лазера: Производит лазерные диоды с минимальным шумом, стабильным излучением длины волны и высокой выходной мощностью.

5. Качество поверхности:

   • Полировка: Поверхность подложки очень полирована, чтобы свести к минимуму дефекты, обеспечивая высококачественный эпитаксиальный слой с минимальными вывихми.

6. Тепловые свойства:

   • Рассеивание тепла: Отличная теплопроводность субстрата N-InP поддерживает эффективное рассеивание тепла, что имеет решающее значение для поддержания производительности лазерного диода и долговечности.

7. Подходит для применения:

   • Целевые устройства: предназначен для FP лазерных диодов, используемых в системах оптической связи, центрах обработки данных и других высокоскоростных сетевых средах.

Эти свойства в совокупности способствуют способности Epiwafer поддерживать производство высококачественных лазерных диодов FP,удовлетворение строгих требований современных оптических технологий связи.

Применения субстрата N-InP FP Epiwafer

N-InP Substrate FP Epiwafer является критическим компонентом в разработке передовых оптоэлектронных устройств, в частности лазерных диодов Fabry-Pérot (FP).Его свойства делают его подходящим для широкого спектра применений в высокоскоростной связи и смежных областяхВот основные приложения:

1. Системы оптической связи:

   • Волоконно-оптическая передача: Epiwafer идеально подходит для изготовления лазерных диодов FP, работающих на длине волны 1270 нм, обычно используемых в системах мультиплексирования с разделением на длину волны (CWDM).Эти системы полагаются на точное управление длиной волны для передачи нескольких каналов данных по одному волокну, увеличивая пропускную способность без необходимости дополнительных волокон.
   • Высокоскоростные данные: пластина поддерживает лазерные диоды с рабочей полосой до 2,5 ГГц, что делает ее подходящей для высокоскоростных приложений передачи данных,включая сети метрополитена (MAN) и оптические сети дальнего следования.

2. Центры обработки данных:

   • Взаимосоединения: FP лазерные диоды, изготовленные из этого Epiwafer, используются в оптических соединениях в центрах обработки данных, где высокоскоростная связь с низкой задержкой имеет решающее значение.Эти лазеры обеспечивают эффективную передачу данных между серверами., системы хранения и сетевое оборудование.
   • Инфраструктура облачных вычислений: Поскольку облачные сервисы требуют постоянно увеличивающихся скоростей передачи данных, лазерные диоды FP помогают поддерживать производительность и надежность сетей центров обработки данных, поддерживая крупномасштабныераспределенные вычислительные среды.

3. Телекоммуникации:

   • Сети 5G: Epiwafer используется в производстве лазерных диодов для телекоммуникационной инфраструктуры 5G, где необходимы высокие скорости передачи данных и надежные соединения.Лазерные диоды FP обеспечивают оптические сигналы, необходимые для передачи данных через магистраль сетей 5G.
   • FTTx (волокно к х): Эта технология предполагает развертывание волоконно-оптических сетей ближе к конечным пользователям (дома, предприятия), а лазерные диоды FP являются ключевыми компонентами оптических передатчиков, используемых в системах FTTx.

4. Оборудование для испытаний и измерений:

   • Анализаторы оптического спектра: Лазерные диоды FP, произведенные из этого Epiwafer, используются в оптических анализаторах спектра, которые являются важнейшими инструментами для тестирования и измерения производительности систем оптической связи.
   • Томография оптической когерентности (OCT): В медицинской визуализации, особенно в системах ОТТ, лазерные диоды FP обеспечивают необходимый источник света для визуализации биологических тканей с высоким разрешением.

5. Ощущение и метрология:

   • Оптические датчики: Точность и стабильность лазерных диодов FP делают их подходящими для использования в оптических датчиках для мониторинга окружающей среды, управления промышленными процессами и биомедицинских применений.
   • Системы дистанции и позиционирования: Лазерные диоды FP также используются в системах, требующих точных измерений расстояний, таких как LIDAR (Лидерная система обнаружения и определения расстояния света) и другие технологии позиционирования.

Универсальность и высокие характеристики N-InP Substrate FP Epiwafer® делают его краеугольным камнем для широкого спектра передовых технологий в области оптической связи, центров обработки данных,телекоммуникации, и за его пределами.

Фото N-InP субстрата FP Epiwafer