• FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 дюймов толщина 350-650um Ингаас допинг
  • FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 дюймов толщина 350-650um Ингаас допинг
  • FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 дюймов толщина 350-650um Ингаас допинг
  • FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 дюймов толщина 350-650um Ингаас допинг
FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 дюймов толщина 350-650um Ингаас допинг

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 дюймов толщина 350-650um Ингаас допинг

Подробная информация о продукте:

Place of Origin: China

Оплата и доставка Условия:

Delivery Time: 2-4weeks
Payment Terms: T/T
Лучшая цена контакт

Подробная информация

PL Wavelength control: Better than 3nm PL Wavelength uniformity: Std.Dev better than 1nm @inner 42mm
Thickness control: Better than +3% Thickness uniformity: Better than +3% @inner 42mm
Doping control: Better than ±10% P-InP doping (cm-°): Zn doped: 5e17 to 2e18
N-inP doping (cm 3): Si doped: 5e17 to 3e18 AllnGaAs doping (cmr3): 1e17 to 2e18
Выделить:

6 дюймов толщины Epiwafer InP субстрат

,

350-650um InP субстрат

,

6-дюймовый InP субстрат

Характер продукции

FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP субстрат диа 2 3 4 6 дюймов толщина:350-650um InGaAs допинг

 

FP ((Fabry-Perot)) Абстракт субстрата Epiwafer InP

 

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 дюймов толщина 350-650um Ингаас допинг 0

 

Эпивафер Fabry-Perot (FP) на субстратах индийного фосфида (InP) является критическим компонентом при изготовлении высокопроизводительных оптоэлектронных устройств,особенно лазерные диоды, используемые в системах оптической связиИнП-субстрат предлагает отличную решетчатую совместимость с такими материалами, как InGaAsP, что позволяет выращивать высококачественные эпитаксиальные слои.диапазон длины волны 55 мкм, что делает их идеальными для волоконно-оптической связи из-за характеристик низких потерь оптических волокон в этом спектре.широко используются в интерконнекциях центров обработки данных, исследования окружающей среды и медицинская диагностика, обеспечивая экономически эффективные решения с хорошей производительностью.Простейшая структура лазеров FP по сравнению с более сложными конструкциями, такими как лазеры DFB (Distributed Feedback), делает их популярным выбором для коммуникационных приложений среднего радиуса действия.FP-эпивоферы на основе InP необходимы в отраслях, требующих высокоскоростных, надежных оптических компонентов.

 

 


FP ((Fabry-Perot)) Витрина субстрата Epiwafer InP

 

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 дюймов толщина 350-650um Ингаас допинг 1

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 дюймов толщина 350-650um Ингаас допинг 2

 


FP ((Fabry-Perot)) таблица данных субстрата Epiwafer InP

 

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 дюймов толщина 350-650um Ингаас допинг 3


FP ((Fabry-Perot)) Структура субстрата Epiwafer InP

 

FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 дюймов толщина 350-650um Ингаас допинг 4

 

  • InP субстрат (база)
  • Буферный слой (сглаживание поверхности)
  • Активная область (Квантовые колодцы)
  • Склады облицовки (оптическая изоляция)
  • Склады типа P и типа N (впрыск носителя)
  • Контактные слои (электрические контакты)
  • Отражающие стороны (FP лазерная полость)

 
FP ((Fabry-Perot)) Применение субстрата InP эпивафера
 

Эпивоферы Fabry-Perot (FP) на субстратах индийного фосфида (InP) широко используются в различных оптоэлектронных приложениях из-за их эффективных свойств излучения света, особенно в 1.от 3 мкм до 1в диапазоне длины волны.55 мкм. Ниже приведены основные применения:

1.Оптиковолоконная связь

  • Лазерные диоды: FP лазеры обычно используются в качестве источников света в волоконно-оптических системах связи, особенно для передачи данных на короткий и средний расстояние.работающие на длинах волн, минимизирующих потерю сигнала в оптических волокнах.
  • Передатчики и оптические модули: FP лазеры, интегрированные в оптические приемопередатчики, позволяют преобразовывать электрические сигналы в оптические сигналы для передачи данных по оптоволоконным сетям.

2.Взаимосоединения центров обработки данных

  • Высокоскоростная связь: FP лазеры в центрах обработки данных обеспечивают высокоскоростные оптические соединения с низкой задержкой между серверами и сетевым оборудованием.

3.Ощущение окружающей среды и обнаружение газов

  • Газовые датчики: Лазеры FP используются в системах обнаружения газов для обнаружения конкретных газов, таких как CO2 и CH4, путем настройки на длины волн поглощения этих газов.Эти системы используются для мониторинга окружающей среды и промышленной безопасности..

4.Медицинская диагностика

  • Томография оптической когерентности (OCT): ФП-лазеры используются в ОТТ-системах для неинвазивной медицинской визуализации, особенно в офтальмологии, дерматологии и сердечно-сосудистой диагностике.Эти системы используют высокую скорость и точность лазеров FP для детальной визуализации тканей.

5.Системы LIDAR

  • Автономные транспортные средства и картографирование: лазеры FP используются в системах LIDAR (Light Detection and Ranging) для таких приложений, как автономное вождение, 3D-картирование и сканирование окружающей среды,где необходимы измерения расстояния с высоким разрешением.

6.Фотонические интегральные схемы (PIC)

  • Интегрированная фотоника: FP Epiwafers являются основными материалами для разработки фотонических интегральных схем, которые интегрируют несколько фотонических устройств (например, лазеры,детекторы) на одном чипе для высокоскоростной обработки сигналов и связи.

7.Спутниковая связь и аэрокосмическая промышленность

  • Высокочастотная связь: FP-лазеры на основе InP используются в системах спутниковой связи для дальнего, высокочастотного передачи данных в космических и аэрокосмических приложениях.

8.Исследования и разработки

  • Прототипирование и испытания: FP Epiwafers используются в НИОКР для разработки новых оптоэлектронных устройств, улучшения производительности лазерных диодов и изучения новых длин волн для новых технологий.

Эти приложения подчеркивают универсальность FP Epiwafers на InP-субстратах, которые обеспечивают эффективные, экономичные решения в таких областях, как телекоммуникации, медицинская диагностика,Ощущение окружающей среды, и высокоскоростные оптические системы.

 


 

 

FP ((Fabry-Perot)) Преимущество субстрата InP эпивоферы
 
  • Эффективное излучение света в ключевых длинах волны:

    • Эпивоферы FP на субстратах InP оптимизированы для излучения в диапазоне длин волн от 1,3 мкм до 1,55 мкм, что соответствует окнам передачи с низкими потерями в оптических волокнах,что делает их идеальными для оптических волокон.
  • Высокоскоростная производительность:

    • InP-субстраты обладают отличной электронной подвижностью, что позволяет FP-лазерам достигать высокоскоростной работы и поддерживать высокочастотную передачу данных.Это делает их подходящими для применения с высокой пропускной способностью, таких как центры обработки данных и телекоммуникации..
  • Эффективное производство:

    • По сравнению с более сложными лазерными структурами, такими как лазеры с распределенной обратной связью (DFB), лазеры FP имеют более простую конструкцию.Это приводит к снижению затрат на производство, при этом обеспечивая хорошую производительность для приложений с коротким и средним диапазоном..
  • Многофункциональное применение:

    • Эпивоферы FP используются в широком спектре приложений, от волоконно-оптической связи и взаимосвязей центров обработки данных до исследования окружающей среды, медицинской диагностики (OCT) и систем LIDAR.Их универсальность является основным преимуществом в разных отраслях.
  • Простейший процесс изготовления:

    • FP-лазеры проще изготавливать по сравнению с другими типами лазеров, такими как DFB-лазеры, из-за их зависимости от естественно отражающих расщепленных Facets, а не сложных решетки,снижение сложности и стоимости изготовления.
  • Хорошая гибкость длины волны:

    • FP лазеры могут настраиваться на диапазон длин волн путем регулирования тока или температуры, обеспечивая гибкость для различных применений, особенно в системах сенсорного и коммуникационного управления.
  • Низкое энергопотребление:

    • FP-лазеры, основанные на InP-эпивоферы, как правило, имеют более низкое потребление энергии, что делает их эффективными для крупномасштабного развертывания в сетях передачи данных и датчиков, где энергоэффективность имеет решающее значение.
 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 дюймов толщина 350-650um Ингаас допинг не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.