logo
Хорошая цена  онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. продукты Created with Pixso.
Субстрат полупроводника
Created with Pixso.

Си вафель 8 дюймов Толщина от 675 Мм до 775 МмП Тип N Тип 111 Двойная сторона полированная / односторонняя полированная

Си вафель 8 дюймов Толщина от 675 Мм до 775 МмП Тип N Тип 111 Двойная сторона полированная / односторонняя полированная

Наименование марки: ZMSH
Номер модели: ВАФЛЯ SI
Условия оплаты: T/T
Подробная информация
Место происхождения:
Китай
полированный:
Двойной/односторонний полир
ориентация:
<111>
Толщина:
от 675 до 775 мкм
RMS:
< 1 нм
TTV:
<20um
Теплопроводность:
Около 150 Вт/мк
Концентрация кислорода:
< 10 ppm
Выделить:

8-дюймовый Си-вуфер.

,

Двухсторонний полированный Си-вофли

,

Одностороннее полированное Си-вофле

Характер продукции

8 дюймовый Si Wafer Si Substrate 111 P Тип N Тип для микроэлектромеханических систем (MEMS) или силовых полупроводниковых устройств или оптических компонентов и датчиков

 

Описание продукта: 8-дюймовый кремниевый пластинка с (111) кристаллической ориентацией является высококачественным, однокристаллический материал, широко используемый в полупроводниковом производстве.(111) кристаллическая ориентация обеспечивает специфические электрические и механические свойства, которые полезны для различных высокопроизводительных приложений.

Ключевые особенности:

  • Диаметр:8 дюймов (200 мм).
  • Кристаллическая ориентация:(111), обладающие уникальными поверхностными свойствами, идеальными для некоторых полупроводниковых процессов и характеристик устройств.
  • Высокая чистота:Изготовлен с высоким уровнем чистоты для обеспечения однородности и низких показателей дефектов, критически важных для применения в полупроводниках и микроэлектронике.
  • Качество поверхности:Обычно полированы или очищены для удовлетворения строгих требований к поверхности для производства устройств.

Применение:

  • Силовые полупроводниковые устройства:Ориентация (111) предпочтительна в некоторых силовых устройствах из-за ее высокого разрывного напряжения и благоприятных тепловых свойств.
  • MEMS (микроэлектромеханические системы):Часто используется для датчиков, приводов и других устройств микромасштаба, благодаря его четко определенной кристаллической структуре.
  • Оптоэлектронные устройства:Подходит для применения в светоизлучающих устройствах и фотодетекторах, где важно высокое качество кристаллов.
  • Солнечные элементы:(111) -ориентированный кремний также используется в высокоэффективных фотоэлектрических элементах, пользующихся повышенной поглощением света и мобильностью носителя.

Картинка применения Si Wafer:

Си вафель 8 дюймов Толщина от 675 Мм до 775 МмП Тип N Тип 111 Двойная сторона полированная / односторонняя полированная 0Си вафель 8 дюймов Толщина от 675 Мм до 775 МмП Тип N Тип 111 Двойная сторона полированная / односторонняя полированная 1

Си вафель 8 дюймов Толщина от 675 Мм до 775 МмП Тип N Тип 111 Двойная сторона полированная / односторонняя полированная 2    Си вафель 8 дюймов Толщина от 675 Мм до 775 МмП Тип N Тип 111 Двойная сторона полированная / односторонняя полированная 3

Настройки:

  • Толщина и сопротивление:Они могут быть адаптированы в соответствии со спецификациями заказчика для удовлетворения конкретных требований приложения.
  • Тип допинга:Допинг P-типа или N-типа доступен для регулирования электрических характеристик пластины.

Этот тип кремниевых пластин имеет решающее значение для широкого спектра применений полупроводников, обеспечивая баланс механической прочности, электрической производительности и простоты обработки.

 

СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ