 |
SOI вафля P Тип N Тип 6 дюймов 8 дюймов 12 дюймов Поверхностный лак SSP/DSP
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | КНР |
| Фирменное наименование: | ZMSH |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 25 |
|---|---|
| Цена: | undetermined |
| Упаковывая детали: | пенообразованный пластик+картон |
| Время доставки: | 2-4weeks |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 1000 шт/неделю |
|
Подробная информация |
|||
| Толщина верхнего слоя кремния: | 0.1 - 20 мкм | Толщина погруженного оксидного слоя: | 0.1 - 3 мкм |
|---|---|---|---|
| Тип субстрата: | Кремний (Si), Кремний высокой резистивности (HR-Si) или другие | Сопротивляемость слоя устройства: | 1 - 10 000Ω·cm |
| Сопротивляемость оксидного слоя: | 1 × 106 до 108Ω·см | Теплопроводность: | 1.5 - 3,0 Вт/м·К |
| Выделить: | 8-дюймовый SOI Wafer,12-дюймовый SOI-вофлер,6-дюймовый SOI Wafer |
||
Характер продукции
SOI вафля P Тип N Тип 6 дюймов 8 дюймов 12 дюймов Поверхностный лак SSP/DSP
Аннотация к материалу "SOI wafer"
Кремний на изоляторе (SOI) - это передовая технология полупроводников, в которой тонкий изоляционный слой, обычно диоксид кремния (SiO2),помещается между кремниевым субстратом и активным кремниевым слоемЭта структура значительно уменьшает паразитарную емкость, улучшает скорость переключения, снижает расход энергии и повышает устойчивость к излучению по сравнению с традиционной технологией сыпучего кремния.
SOI означает кремний на изоляторе, или кремний на подложке, который вводит слой погребенного оксида между верхним слоем кремния и основной подложкой.
Спецификация СОИ
| Теплопроводность | Относительно высокая теплопроводность |
| Толщина активного слоя | Обычно от нескольких до нескольких десятков нанометров (нм) |
| Диаметр пластины | 6 дюймов 8 дюймов 12 дюймов |
| Преимущества процесса | Более высокая производительность устройства и меньшее потребление энергии |
| Преимущества производительности | Отличные электрические свойства, уменьшенные Размер устройства, минимизация пересечения между электронными компонентами |
| Сопротивляемость | Обычно диапазон от нескольких сотен до тысяч ом-см |
| Характеристики энергопотребления | Низкое потребление энергии |
| Концентрация нечистоты | Низкая концентрация примеси |
| Кремниевая опора на изоляторной пластинке | 4-дюймовый Кремниевый вафля SOI, CMOS трехслойная структура |
Структура ГЧП
Обычно пластинки SOI состоят из трех основных слоев:
1верхний слой кремния (устройственный слой): тонкий кремниевый слой, в котором изготавливаются полупроводниковые устройства.
2.Оксидный слой (BOX): тонкий слой диоксида кремния (SiO2), обеспечивающий электрическую изоляцию.
3.Упаковка с ручкой (подложка): Механический слой опоры, обычно изготовленный из большого количества кремния или других высокопроизводительных материалов.
Толщина как верхнего кремния, так и погребенного оксида может быть настроена для оптимизации производительности для конкретных приложений.
Производственные процессы СОИ
Плоски СОИ производятся с использованием трех основных методов:
1.SIMOX (отделение имплантированным кислородом)
Включает в себя имплантацию ионов кислорода в кремниевую пластинку и их окисление при высоких температурах, чтобы сформировать скрытый слой оксида.
Производит высококачественные пластинки СОИ, но относительно дорогостоящие.
2.Smart CutTM (разработан Soitec, Франция)
Использует имплантацию ионов водорода и связывание пластин для создания структур SOI.
Наиболее широко используемый метод в коммерческом производстве СОИ.
3.Wafer Bonding & Etch-Back
Это связывание двух кремниевых пластин и выборочное выгравирование одной до желаемой толщины.
Используется для толстых SOI и специализированных приложений.
Применение ЗГУ
Благодаря своим уникальным преимуществам, технология SOI широко используется в различных отраслях промышленности:
1Высокопроизводительные вычисления (HPC)
Такие компании, как IBM и AMD, используют SOI в высокопроизводительных серверных процессорах для повышения скорости обработки и снижения энергопотребления.
SOI широко используется в суперкомпьютерах и процессорах ИИ.
2Мобильные и маломощные устройства
Технология FD-SOI используется в смартфонах, носимых устройствах и устройствах Интернета вещей для сбалансирования производительности и энергоэффективности.
Производители микросхем, такие как STMicroelectronics и GlobalFoundries, производят микросхем FD-SOI для низкомощных приложений.
3.RF и беспроводная связь (RF SOI)
RF SOI широко используется в 5G, Wi-Fi 6E и миллиметровой связи.
Используется в частотных коммутаторах, усилителях низкого шума (LNA) и модулях RF front-end (RF FEM).
4Автомобильная электроника
Power SOI широко используется в электромобилях (EV) и передовых системах помощи водителю (ADAS).
Он позволяет работать при высокой температуре и высоком напряжении, обеспечивая надежность в суровых условиях.
5Силиконовая фотоника и оптические приложения
SOI-субстраты используются в кремниевых фотонических чипах для высокоскоростной оптической связи.
Приложения включают в себя центры обработки данных, высокоскоростные оптические соединения и LiDAR (Лифтовое обнаружение и диапазон).
Преимущества SOI-вофры
1.Снижение паразитарной емкости и увеличение скорости работыПо сравнению с сыпучими кремниевыми материалами, устройства SOI достигают улучшения скорости на 20-35%.
2.Низкое потребление энергииВ связи с уменьшением паразитарной емкости и минимизацией тока утечки, устройства SOI могут снизить расход энергии на 35-70%.
3Устранение эффектов замыканияТехнология SOI предотвращает замыкание, улучшая надежность устройства.
4.Устранение шума на подложке и уменьшение мягких ошибокSOI эффективно смягчает воздействие импульсного тока с субстрата, уменьшая возникновение мягких ошибок.
5Совместимость с существующими кремниевыми процессамиТехнология SOI хорошо интегрируется с традиционной кремниевой фабрикой, сокращая этапы обработки на 13-20%.
Тэг:#SOI вафля # P Type # N Type # 6 дюймов # 8 дюймов # 12 дюймов # Поверхностный лак SSP/DSP