Name: Толщиной 350 um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 2 дюймов основной
Uploaded: 2026-03-10CDT21:17:53-05:00
Duration: 5 s
Description: Discover the high-quality Single Crystal InP Indium Phosphide Wafers with thickness ranging from 350-650um. Ideal for high-frequency, high-speed, and high-power microwave devices, these wafers are precision-engineered for superior performance in electronics and optics.

Чат контактные данные

Толщиной 350 um субстрат полупроводника InP одиночного Кристл 2 дюймов основной

Другие видео

February 20, 2023

Ключевое слово: Субстрат полупроводника

Чат контактные данные

Теги:

#вафля полупроводника #субстрат вафли #субстрат гасб

Описание видео:

Discover the high-quality Single Crystal InP Indium Phosphide Wafers with thickness ranging from 350-650um. Ideal for high-frequency, high-speed, and high-power microwave devices, these wafers are precision-engineered for superior performance in electronics and optics.

Родственные видео