Вкратце: Посмотрите этот обзор, чтобы узнать, почему многие профессионалы обращают внимание на лоток из карбида кремния высокой чистоты CVD/SSiC для обработки полупроводниковых пластин. Узнайте о его исключительной механической прочности, термической стабильности и точности размеров, разработанных для требовательных промышленных применений.
Связанные характеристики продукта:
Разработано с многозонными кольцевыми прорезями для снижения веса и оптимизации теплового потока.
Оснащен усиленной радиальной реберной сетью для повышения механической прочности и устойчивости к вращению.
Высокоточная обработанная поверхность обеспечивает плоскостность и равномерность толщины для полупроводниковых применений.
Централизованный монтажный интерфейс обеспечивает надежную установку на вращающихся валах и автоматизированных системах.
Усиление конструкции на внешнем кольце повышает виброустойчивость и стабильность периферийной нагрузки.
Доступно в различных высокопроизводительных материалах, включая карбид кремния, спеченный карбид кремния, керамику из оксида алюминия и высокопрочные металлы.
Идеально подходит для производства полупроводников, производства светодиодов, обработки передовых материалов и прецизионного машиностроения.
Предлагает тепловую эффективность, структурную прочность, стабильность процесса и настраиваемость для различных промышленных нужд.
Вопросы:
Что такое керамический поддон из SiC?
Керамический лоток из карбида кремния (SiC) - это прецизионный держатель, изготовленный из высокочистого карбида кремния, предназначенный для поддержки, загрузки и транспортировки пластин или подложек в процессе производства полупроводников, светодиодов, оптических компонентов и вакуумных процессов. Он обеспечивает исключительную термическую стабильность, механическую прочность и устойчивость к деформации в суровых условиях.
Какие преимущества использования SiC-поддонов по сравнению с кварцевыми, графитовыми или алюминиевыми поддонами?
Поддоны из SiC обеспечивают превосходные эксплуатационные преимущества, включая устойчивость к высоким температурам до 1600-1800°C, отличную теплопроводность, выдающуюся механическую прочность, низкое тепловое расширение, высокую коррозионную стойкость и более длительный срок службы в условиях непрерывного производства с высокими нагрузками.
Для каких применений в основном используются керамические поддоны из SiC?
SiC-поддоны широко используются при транспортировке полупроводниковых пластин, в процессах LPCVD, PECVD, MOCVD, термической обработки, отжига, диффузии, окисления и эпитаксии, загрузке сапфировых пластин/оптических подложек, в условиях высокого вакуума и высоких температур, а также в прецизионных платформах для CMP или полировальных приспособлений.