SiC wafer

Другие видео

October 13, 2022

Связь Категорий: Вафля кремниевого карбида

Чат контактные данные

Теги:

#субстрат кремниевого карбида #вафля сик #кремний на вафлях сапфира

Вкратце: Discover the high-performance 2 Inch and 4 Inch Dummy Prime SiC Substrate, designed for thermal shock resistance and superior durability. Ideal for semiconductor electronics and high-power LED applications, these silicon carbide wafers come in customizable sizes and types, including 4H-N and 6H-N. Explore the next generation of semiconductor materials with ZMKJ.

Связанные характеристики продукта:

Customizable sizes: 2inch, 3inch, 4inch, and 6inch available.
High purity 4H-N and 6H-N type SiC wafers for superior performance.
Excellent thermal shock resistance for high-temperature applications.
Ideal for semiconductor electronics and high-power LED devices.
Available in both N-type and semi-insulating types.
Mohs hardness of ≈9.2 for exceptional durability.
Thermal conductivity up to 4.9 W/cm*K for efficient heat dissipation.
Suitable for high-voltage and high-temperature environments.

Вопросы:

Какие размеры доступны для пластин SiC?

Кремниевые пластины SiC доступны в размерах 2, 3, 4 и 6 дюймов, с возможностью индивидуальной настройки.
What types of SiC wafers does ZMKJ offer?

ZMKJ offers 4H-N type, 6H-N type, and semi-insulating SiC wafers, catering to various industrial needs.
What is the delivery time for customized SiC wafers?

For customized products, the delivery time is typically 2-4 weeks after order confirmation.
How does the thermal conductivity of SiC wafers benefit applications?

The high thermal conductivity (up to 4.9 W/cm*K) ensures efficient heat dissipation, making them ideal for high-power and high-temperature devices.

SiC wafer

2 дюйма кремниевого карбида сопротивления термального удара субстрата SiC 4 дюймов вафля фиктивного основного керамического одиночная

вафля кремниевого карбида пользы 2inch 4inch 6inch 8inch промышленная с шероховатостью поверхности ≤0.2nm

Эпитаксиальные пластины 4H-SiC для высоковольтных MOSFET (100–500 мкм, 6 дюймов)

Полуизолирующая подложка из карбида кремния (SiC) высокой чистоты для AR-очков

Карбид кремния (SiC) подложка 10×10 мм / Маленький квадратный чип – Высокопроизводительный SiC

Защита сапфировой трубы оптический лазер высокого давления высокой температуры

1-дюймовая кассетная коробка для пластин из карбида кремния, сапфира и кремния

Трубки сапфира одиночного Кристл и выросли штангами, который точная земля и отполированная поверхность

Эпитаксиальные пластины 4H-SiC для высоковольтных MOSFET (100–500 мкм, 6 дюймов)

Машина для резки бриллиантовой проволоки стабильное регулирование напряжения

Вафля Sic эпитаксиальная

4-дюймовые индивидуальные сапфировые пластинки для эпитаксиального роста 430um SSP DSP

Иттрий-алюминиевый гранат Вафли YAG Слитки Er:YAG Ce:YAG Nd:YAG Yb:YAG

Шампанский моссанит

Рубиновые подшипники для высокопроизводительных деталей