Резюме 4-HПолуизоляция SiCСубстрат представляет собой высокопроизводительный полупроводниковый материал с широким спектром применений.Этот субстрат имеет исключительные электрические характеристики., ...Взгляд больше
Сообщения посетителяОставьте сообщение
Пока нет комментариев
Полуизоляционные пластинки SiC 3 дюйма 76,2 мм 4H типа SiC для полупроводников