 |
2" сапфир основало субстрат GaN-На-SiC полупроводника шаблонов GaN
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | ZMKJ |
| Номер модели: | GaN-сапфир 4inch |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 2pcs |
|---|---|
| Цена: | by case |
| Упаковывая детали: | одиночный контейнер вафли в комнате чистки |
| Время доставки: | в 20days |
| Условия оплаты: | T/T, западное соединение, PayPal |
| Поставка способности: | 50pcs/month |
|
Подробная информация |
|||
| Субстрат: | GaN-На-сапфир | Слой: | Шаблон GaN |
|---|---|---|---|
| Толщина слоя: | 1-5um | тип проводимости: | N/P |
| Ориентация: | 0001 | Применение: | наивысшая мощность/высокочастотные электронные устройства |
| применение 2: | приборы 5G saw/BAW | толщина кремния: | 525um/625um/725um |
| Высокий свет: | Субстрат полупроводника шаблонов GaN,2" основанный сапфиром субстрат полупроводника,Субстрат полупроводника GaN-На-SiC |
||
Характер продукции
2inch 4inch 4" 2" сапфир основало фильм GaN шаблонов GaN на окнах GaN субстратов GaN вафель GaN GaN-На-сапфира субстрата сапфира
1) На комнатной температуре, GaN неразрешимо в воде, кислоте и алкалие.
2)Растворенный в горячем щелочном растворе на очень медленном тарифе.
3) NaOH, H2SO4 и H3PO4 могут быстро вытравить низкое качество GaN, можно использовать для этих обнаружение дефекта кристалла GaN низкого качества.
4) GaN в HCL или водоподе, на высокой температуре представляет неустойчивые характеристики.
5) GaN самые стабилизированные под азотом.
Электрические свойства GaN
1) Электрические свойства GaN большинств важные факторы влияя на прибор.
2) GaN без давать допинг было n во все случаи, и концентрация электрона самого лучшего образца была о 4* (10^16) /c㎡.
3) Вообще, подготовленные образцы p сильно компенсированы.
Оптически свойства GaN
1) Широкий материал сложного полупроводника зазора диапазона с высокой шириной связи (2.3~6.2eV), может покрыть красное желтое зеленое, голубой, фиолетовый и спектр ультрафиолетова, до сих пор что любые другие материалы полупроводника неспособны достигнуть.
2) Главным образом использованный в голубом и фиолетовом светоиспускающом приборе.
Свойства материала GaN
1) Высокочастотное свойство, приезжает на 300G Hz. (Si 10G & GaAs 80G)
2) Высокотемпературное свойство, нормальные работа на 300℃, очень соответствующее для космической, военной и другой высокотемпературной окружающей среды.
3) Дрейф электронов имеет высокую скорость сатурации, низкую диэлектрическую константу и хорошую термальную проводимость.
4) Сопротивление кислоты и алкалиа, коррозионную устойчивость, можно использовать в жесткой окружающей среде.
5) Высоковольтные характеристики, сопротивление удара, высокая надежность.
6) Большая сила, оборудование связи жаждет очень.
Главное использование GaN
1) светоизлучающие диоды, СИД
2) транзисторы влияния поля, FET
3) лазерные диоды, LD
| Кристаллическая структура |
Вуртцит |
| Константа решетки (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Тип зоны проводимости | Сразу bandgap |
| Плотность (g/cm3) | 3,23 |
| Поверхностный microhardness (тест Knoop) | 800 |
| Точка плавления (℃) | 2750 (бар 10-100 в N2) |
| Термальная проводимость (W/m·K) | 320 |
| Энергия зазора диапазона (eV) | 6,28 |
| Подвижность электрона (v·s/cm2) | 1100 |
| Электрическое поле нервного расстройства (MV/cm) | 11,7 |