 |
Термооксидный слой SiO2 Толщина пластинки 20um Система оптической связи MEMS
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | China |
| Фирменное наименование: | ZMSH |
| Номер модели: | Ultra-thick silicon oxide wafer |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 5 |
|---|---|
| Время доставки: | 2-4 недель |
| Условия оплаты: | T/T, |
|
Подробная информация |
|||
| Точка кипения: | 2,230° C (4,046° F) | УЛЫБКИ: | O=[Si]=O |
|---|---|---|---|
| Толерантность толщины оксида: | +/- 5% (от обеих сторон) | Индекс преломления: | Примерно 1.44 |
| Теплопроводность: | Около 1,4 Вт/мк) @ 300 К | Молекулярная масса: | 60.09 |
| Зоны применения: | Производство полупроводников, микроэлектроника, оптические устройства и т.д. | Индекс преломления: | 550 нм из 1,4458 ± 0.0001 |
| Высокий свет: | Система оптической связи Силиконовый диоксид,Термооксидный слой SiO2 Wafer,20um SiO2 Wafer |
||
Характер продукции
СиО2 вафля Термооксидная лавка Толщина 20um+5% MEMS оптическая система связи
Описание продукта:
Кремниевый диоксид SIO2 служит основным элементом в производстве полупроводников.этот важный субстрат доступен в диаметре 6 дюймов и 8 дюймовВ первую очередь, он выступает в качестве основного изоляционного слоя, играя ключевую роль в микроэлектронике, обеспечивая высокую диэлектрическую прочность.Индекс преломления, примерно 1,4458 при 1550 нм, обеспечивает оптимальную производительность в различных приложениях.
Известный своей однородностью и чистотой, этот пластинка является идеальным выбором для оптических устройств, интегральных схем и микроэлектроники.Его свойства облегчают точные процессы изготовления устройств и поддерживают технологический прогрессПомимо своей основополагающей роли в производстве полупроводников, он расширяет свою надежность и функциональность на широкий спектр применений, гарантируя стабильность и эффективность.
Благодаря своим исключительным характеристикам, пластина с диоксидом кремния SIO2 продолжает стимулировать инновации в полупроводниковой технологии, позволяя достичь прогресса в таких областях, как интегральные схемы,оптоэлектроникаЕго вклад в передовые технологии подчеркивает его значение как краеугольного камня материала в области производства полупроводников.
Особенности:
- Наименование изделия: полупроводниковая подложка
- Индекс преломления: 550 нм 1,4458 ± 0.0001
- Точка кипения: 2230°С
- Области применения: Производство полупроводников, микроэлектроника, оптические устройства и т.д.
- Толщина: 20 мм, 10 мм, 25 мм
- Молекулярный вес: 60.09
- Полупроводниковый материал: Да
- Материал подложки: Да
- Приложения: Производство полупроводников, микроэлектроника, оптические устройства и т.д.
Технические параметры:
| Параметр | Спецификация |
| Толщина | 20 мм, 10 мм, 25 мм |
| Плотность | 2533 кг/м3 |
| Толерантность толщины оксида | +/- 5% (от обеих сторон) |
| Области применения | Производство полупроводников, микроэлектроника, оптические устройства и т.д. |
| Точка плавления | 1,600° C (2,912° F) |
| Теплопроводность | Около 1,4 Вт/мк) @ 300 К |
| Индекс преломления | Примерно 1.44 |
| Молекулярная масса | 60.09 |
| Коэффициент расширения | 00,5 × 10^-6/°C |
| Индекс преломления | 550 нм из 1,4458 ± 0.0001 |
| Ультраплотные пластины из оксида кремния | Заявления |
| Окисление поверхности | Ультратонкие вафли |
| Теплопроводность | Около 1,4 Вт/мк) @ 300 К |
Применение:
- Транзисторы с тонкой пленкой:Используется при производстве ТФТ-устройств.
- Солнечные элементы:Используется в качестве субстрата или изоляционного слоя в фотоэлектрической технологии.
- MEMS (микроэлектромеханические системы):Очень важно для разработки устройств MEMS.
- Химические датчики:Используется для чувствительного химического обнаружения.
- Биомедицинские изделия:Используется в различных биомедицинских приложениях.
- Фотоэлектрическая энергия:Поддерживает технологию солнечных батарей для преобразования энергии.
- Пассивация поверхности:Помощники в защите поверхности полупроводников.
- Водители волн:Используется в оптической связи и фотонике.
- Оптические волокна:Он встроен в системы оптической связи.
- Газовые датчики:Работает в области обнаружения и анализа газов.
- Наноструктуры:Используется в качестве субстрата для разработки наноструктуры.
- Конденсаторы:Используется в различных электрических приложениях.
- Секвенирование ДНК:Поддерживает применение в генетических исследованиях.
- Биосенсоры:Используется для биологического и химического анализа.
- Микрофлюидика:Неотъемлемая часть микрофлюидных устройств.
- Диоды светоизлучающие (LED):Поддерживает светодиодную технологию в различных приложениях.
- Микропроцессоры:Необходимо для производства микропроцессорных устройств.
Настройка:
Марка:ZMSH
Номер модели:Ультраплотные пластины из оксида кремния
Место происхождения:Китай
Наш полупроводниковый субстрат имеет высокую теплопроводность, окисление поверхности и сверхплотную пластину оксида кремния.4 W/(m·K) @ 300K и точка плавления 1Точка кипения составляет 2230°С, а ориентация <100><11><110>. Молекулярная масса этого субстрата составляет 60.09.
Поддержка и услуги:
Мы предоставляем техническую поддержку и обслуживание для нашего полупроводникового субстрата.Мы также можем оказать помощь в решении любых проблем, с которыми вы сталкиваетесь при использовании продукта.Мы также предлагаем удаленную помощь для тех, кто в ней нуждается. Наша команда поддержки доступна в обычное рабочее время, и к нам можно обратиться по телефону, электронной почте или через наш сайт.
Упаковка и перевозка:
Упаковка и транспортировка полупроводниковой подложки:
- С упакованными продуктами следует обращаться с осторожностью и использовать защитное покрытие, такое как пузырьковая оболочка или пена, когда это возможно.
- По возможности используйте несколько слоев защитного покрытия.
- Нанесите на упаковку маркировку содержимого и места назначения.
- Отправьте посылку с помощью соответствующей службы доставки.
Часто задаваемые вопросы
- Вопрос: Какое название полупроводникового субстрата?
- Ответ: торговая марка ZMSH.
- Вопрос: Какой номер модели полупроводниковой подложки?
- Ответ: Номер модели - ультра толстый оксид кремния.
- Вопрос: Где производится полупроводниковая подложка?
- О: Он изготовлен в Китае.
- Вопрос: Какова цель полупроводниковой подложки?
- О: Полупроводниковый субстрат используется при изготовлении интегральных схем, микроэлектромеханических систем и других микроструктур.
- Вопрос: Какова особенность полупроводниковой подложки?
- Ответ: К характеристикам полупроводниковой подложки относятся низкий коэффициент теплового расширения, высокая теплопроводность, высокая механическая прочность и отличная температурная стойкость.