 |
GaP Wafer Gallium Phosphide Single Crystal Orientation (111)A 0°±0.2 Солнечные элементы
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | China |
| Фирменное наименование: | ZMSH |
| Номер модели: | GaP wafer |
|
Подробная информация |
|||
| Толщина: | Минус: 175 Макс:225 | Легирующая примесь: | S |
|---|---|---|---|
| Поверхность Окончание назад: | Полированные | подсчет количества частиц: | Никаких |
| Окружение края: | 0.250ммР | Местонахождение/длина: | EJ[0-1-1]/ 7±1 мм |
| Тип поведения: | S-C-N | Эпи- готовый: | Да, да. |
| Высокий свет: | Полупроводниковый субстрат GaP Wafer,Ориентация на фосфид галлия,Галиевофосфидный вафель GaP |
||
Характер продукции
GaP Wafer, Gallium Phosphide однокристаллическая ориентация (111)A 0°±0.2 Солнечные элементы
Описание продукта:
Галлиевый фосфид GaP, важный полупроводник с уникальными электрическими свойствами, как и другие III-V соединенные материалы, кристаллизуется в термодинамически стабильной кубической структуре ZB,представляет собой оранжево-желтый полупрозрачный кристаллический материал с непрямым промежутком полосы 2.26 eV (300K), который синтезируется из 6N 7N высокочистого галлия и фосфора и выращивается в однокристалл методом Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Кристалл фосфида галлия допируется серью или теллуром для получения полупроводников n-типа, и цинк допированный в качестве проводимости p-типа для дальнейшей изготовления в желаемый пластинка, которая имеет применение в оптических системах, электронных и других оптоэлектронных устройств.Однокристаллический вафли GaP может быть подготовлен Epi-ready для вашего LPEВысококачественный однокристаллический галлиевый фосфид GaP пластинки p-типа,Проводимость n-типа или недопированная в Western Minmetals (SC) Corporation может предлагаться в размерах 2′′ и 3′′ (50 мм), диаметром 75 мм), ориентация <100>,<11> с поверхностной отделкой из срезанного, полированного или готового к эпи.
Особенности:
- Широкий диапазон, подходящий для излучения конкретных длин волн света.
- GaP Wafer Отличные оптические свойства, позволяющие производить светодиоды различных цветов.
- Высокая эффективность в генерировании красного, желтого и зеленого света для светодиодов.
- Высокая способность поглощать свет на определенных длинах волн.
- Хорошая электрическая проводимость, облегчающая использование высокочастотных электронных устройств.
- GaP Wafer Соответствующая тепловая стабильность для надежной работы.
- Химическая устойчивость, подходящая для производственных процессов полупроводников.
- GaP Wafer Благоприятные параметры решетки для эпитаксиального роста дополнительных слоев.
- Способность служить субстратом для осаждения полупроводников.
- GaP Wafer Прочный материал с высокой теплопроводностью.
- Отличные оптоэлектронные возможности для фотодетекторов.
- Универсальность в проектировании оптических устройств для конкретных диапазонов длин волн.
- GaP Wafer Потенциальное применение в солнечных батареях для индивидуального поглощения света.
- Относительно соответствующие решетчатые структуры для качественного роста полупроводников.
- Очень важная роль в производстве светодиодов, лазерных диодов и фотодетекторов благодаря своим оптическим и электрическим свойствам.
Технические параметры:
| Параметр | Стоимость |
|---|---|
| Способ выращивания | LEC |
| ВЫБОК | Макс:10 |
| Диаметр | 500,6±0,3 мм |
| Количество частиц | Никаких |
| Угол ориентации | Никаких |
| TTV/TIR | Макс:10 |
| Допирующее средство | S |
| Лазерная маркировка | Никаких |
| Ориентация | (111) А 0°±0.2 |
| Мобильность | Минус:100 |
| Полупроводниковый материал | Полупроводниковый субстрат |
| Окисление поверхности | Ультраплотные пластины из оксида кремния |
Применение:
- Производство GaP Wafer LED для производства красных, желтых и зеленых огней.
- Производство GaP Wafer Laser диодов для различных оптических приложений.
- Разработка фотодетектора GaP Wafer для конкретных диапазонов длин волн.
- Использование GaP Wafer в оптико-электронных датчиках и световых датчиках.
- Интеграция солнечных элементов для адаптированного поглощения спектра света.
- GaP Wafer Производство дисплейных панелей и индикаторных фонарей.
- GaP Wafer Вклад в высокочастотные электронные устройства.
- GaP Wafer Формация оптических устройств для различных диапазонов длин волн.
- GaP Wafer Использование в телекоммуникационных и оптических системах связи.
- GaP Wafer Разработка фотонических устройств для обработки сигнала.
- Интеграция GaP Wafer в инфракрасные (IR) и ультрафиолетовые (UV) сенсоры.
- Внедрение GaP Wafer в биомедицинские и экологические датчики.
- Применение GaP Wafer в военных и аэрокосмических оптических системах.
- Интеграция GaP Wafer в спектроскопию и аналитические приборы.
- Использование GaP Wafer в исследованиях и разработке новых технологий.
Настройка:
Марка: ZMSH
Номер модели: GaP вафля
Место происхождения: Китай
TTV/TIR: максимум:10
Макс:10
Местоположение/длина: EJ[0-1-1]/ 16±1 мм
Мобильность: Min:100
Сопротивляемость: Min:0.01 Макс:0.5 Ω.cm
Особенности:
• Использование технологии тонкой пленки
• Кремниевой оксид
• Электроокисление
• индивидуальные услуги
Поддержка и услуги:
Мы предоставляем широкий спектр технической поддержки и услуг для наших полупроводниковых субстратов.
Независимо от того, нужна ли вам консультация по выбору продукта, установке, тестированию или любой другой технической проблеме, мы готовы помочь.
- Выбор и оценка продукта
- Установка и испытания
- Устранение неполадок и решение проблем
- Оптимизация производительности
- Обучение и просвещение продуктов
Наша команда опытных инженеров и техников готовы ответить на любые ваши вопросы и предоставить лучшие технические консультации и поддержку.Свяжитесь с нами сегодня и позвольте нам помочь вам найти лучшее решение для ваших потребностей.