 |
вафля ХВПЭ нитрида галлия 5кс5/10кс10 Мм освобождает стоящий шаблон обломока промышленный
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | zmkj |
| Номер модели: | ГаН-ФС-К-У-К50-ССП |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 10pcs |
|---|---|
| Цена: | 1200~2500usd/pc |
| Упаковывая детали: | одиночный случай вафли пакетом вакуума |
| Время доставки: | 1-5weeks |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 50 шт в месяц |
|
Подробная информация |
|||
| Материал: | Кристалл GaN одиночный | Размер: | 10x10/5x5/20x20 мм |
|---|---|---|---|
| Толщина: | 0.35 мм | Тип: | Тип N |
| Применение: | Полупроводниковое устройство | ||
| Выделить: | ган вафля,вафли фосфида галлия |
||
Характер продукции
2 дюймовый шаблон субстратов GaN, GaN-вольф для LED, полупроводящий галлиевой нитрид для ld, GaN-вольф для ld, mocvd GaN-вольф, свободно стоящие GaN-субстраты по индивидуальному размеру, небольшой размер GaN-вольф для LED,mocvd галлиевый нитрид 10x10 мм,5x5mm, 10x5mm GaN вафры, Неполярные свободностоящие GaN субстраты ((a-плоскость и m-плоскость)
Характеристика вафеля GaN
| Продукт | Субстраты из нитрида галлия (GaN) | ||||||||||||||
| Описание продукта: |
Сапфир GaN шаблон представлен методом эпиксиальной гидридной паровой фазы эпитаксии (HVPE). кислоту, полученную в результате реакции GaCl, которая в свою очередь реагирует с аммиаком для получения раствора нитрида галлия.Эпитаксиальная модель GaN является экономически эффективным способом замены однокристаллического субстрата нитрида галлия. |
||||||||||||||
| Технические параметры: |
|
||||||||||||||
| Спецификации: |
GaN эпитаксиальная пленка (C плоскость), N-тип, 2 "* 30 микрон, сапфир; GaN эпитаксиальная пленка (C плоскость), N-типа, 2 "* 5 микронов сапфира; GaN эпитаксиальная пленка (R плоскость), N-тип, 2 "* 5 микронов сапфира; ГаН эпитаксиальная пленка (М плоскость), N-тип, 2 "* 5 микронов сапфира. Пленка с AL2O3 + GaN (N-type doped Si); пленка с AL2O3 + GaN (P-type doped Mg) Примечание: в соответствии с требованиями заказчика специальная ориентация и размер розетки. |
||||||||||||||
| Стандартная упаковка: | 1000 чистых помещений, 100 чистых пакетов или упаковки в одну коробку |
Применение
GaN может использоваться во многих областях, таких как светодиодный дисплей, высокоэнергетическое обнаружение и визуализация,
Дисплей с лазерной проекцией, устройство питания и т.д.
- Дисплей с лазерной проекцией, устройство питания и т.д.
- Хранение даты
- Энергоэффективное освещение
- Полноцветный дисплей
- Лазерные проекции
- Высокоэффективные электронные устройства
- Высокочастотные микроволновые устройства
- Высокоэнергетическое обнаружение и воображение
- Новая энергия солнце или водородная технология
- Окружающая среда Обнаружение и биологическая медицина
- Терагерцовая полоса источника света
Спецификации:
| Неполярные свободностоящие субстраты GaN ((a-plane и m-plane) | ||
| Положение | GaN-FS-a | GaN-FS-m |
| Размеры | 5.0 мм × 5,5 мм | |
| 50,0 мм × 10,0 мм | ||
| 50,0 мм × 20,0 мм | ||
| Размер настройки | ||
| Толщина | 350 ± 25 мкм | |
| Ориентация | a-плоскость ± 1° | m-плоскость ± 1° |
| TTV | ≤ 15 мкм | |
| ВЫБОК | ≤ 20 мкм | |
| Тип провода | Тип N | |
| Сопротивляемость ((300K) | < 0,5 Ω·cm | |
| Плотность дислокации | менее 5х106см-2 | |
| Пользуемая площадь поверхности | > 90% | |
| Полировка | Передняя поверхность: Ra < 0,2 нм. | |
| Задняя поверхность: тонкая почва | ||
| Пакет | Упаковывается в чистой комнате класса 100, в контейнерах с одной пластинкой, в атмосфере азота. | |
Вопросы и ответы
Вопрос:Что такое вафля с ГаН?
А:А.Вафли с GaN(палитра нитрида галлия) - это тонкая плоская подложка, изготовленная из нитрида галлия, полупроводникового материала с широким диапазоном пропускания, широко используемого в высокопроизводительной электронике.ГаН-облаки являются основой для производства электронных устройствЭтот материал особенно важен в таких отраслях промышленности, как силовая электроника, телекоммуникации,и светодиодного освещения.
Вопрос:Почему ГаН лучше кремния?
А:GaN (нитрид галлия) лучше кремния во многих высокопроизводительных приложениях из-за егоШирокая полоса(3,4 eV по сравнению с 1,1 eV кремния), что позволяет устройствам GaN работать наболее высокие напряжения,температуры, ичастоты. ГаНвысокая эффективностьприводит кснижение теплопроизводстваиуменьшение потерь энергии, что делает его идеальным для силовой электроники,системы быстрой зарядки, ивысокочастотные приложенияКроме того, GaN имеетлучшая теплопроводностьВ результате устройства на основе GaN более компактны, энергоэффективны и надежны, чем их кремниевые аналоги.
Ключевые слова:#GaN #Nitride Gallium #PowerElectronics #HighPerformance #Efficiency #LED #LaserProjection #EnergyEfficientLighting #HighFrequencyDevices #NonPolarGaN #FreestandingGaN #GaNSubstrates #MOCVD Ключевые слова:#GaN #GalliumNitride #PowerElectronics #HighPerformance #Efficiency #LED #LaserProjection #EnergyEfficientLighting #HighFrequencyDevices #NonPolarGaN #GaNSubstrates #MOCVD