 |
4 дюйма исследовательский класс 0,4 мм свободно стоящий GaN вафель для полупроводников
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | zmkj |
| Номер модели: | ранг исследования 2inch |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 2pcs |
|---|---|
| Цена: | 1000~2500usd/pc |
| Упаковывая детали: | одиночный случай вафли пакетом вакуума |
| Время доставки: | 1-5векс |
| Условия оплаты: | T/T, западное соединение |
| Поставка способности: | 50pcs в месяц |
|
Подробная информация |
|||
| Материал: | Кристалл GaN одиночный | Размер: | 2 дюйма |
|---|---|---|---|
| Толщина: | 0.35 ~ 0.5 мм | Тип: | Си-тип/недопированный, Fe-допированный, |
| Применение: | Дисплей лазерной проекции, устройство питания | Рост: | HVPE |
| Поверхность: | ssp или dsp | ориентация: | 0001 |
| Пакет: | одиночный контейнер вафли | ||
| Выделить: | Свободная стоящая gan вафля,вафля 0.4mm gan,полупроводники gan на кремниевой пластине |
||
Характер продукции
2 дюймовый GaN субстраты шаблон, GaN пластина для LeD, полупроводниковый галлиевый нитрид пластина для ld, GaN шаблон, mocvd GaN пластина, свободно стоящие GaN субстраты по индивидуальному размеру,небольшой размер GaN-оферты для светодиодов, mocvd галлиевый нитрид 10x10 мм, 5x5 мм, 10x5 мм гаммусовая пластина, неполярные самостоятельные гаммусовые субстраты ((a-plane и m-plane)
Характеристика вафеля GaN
- III-нитрид ((GaN,AlN,InN)
Нитрид галлия является одним из видов широкоразрывных полупроводников.
Высококачественный однокристаллический субстрат, изготовленный с использованием оригинального метода HVPE и технологии обработки пластин, которая была первоначально разработана в течение 10+ лет в Китае.Особенности высококристаллические., хорошая однородность и превосходное качество поверхности. ГаН субстраты используются для многих видов применений, для белых светодиодов и LD ((фиолетовый, синий и зеленый).Развитие продвинулось в области применения мощных и высокочастотных электронных устройств.
Запретная полоса (излучающий и поглощающий свет) охватывает ультрафиолетовый, видимый и инфракрасный свет.
Заявления
GaN может использоваться во многих областях, таких как светодиодный дисплей, высокоэнергетическое обнаружение и визуализация,
Дисплей с лазерной проекцией, устройство питания и т.д.
- Высокочастотные микроволновые устройства Высокоэнергетическое обнаружение и воображение
- Новая энергия солнцеводородные технологии Окружающая среда Детекция и биологическая медицина
- Терагерцовая полоса источника света
- Дисплей с лазерной проекцией, устройство питания и т.д. Хранение данных
- Энергоэффективное освещение
- Высокоэффективные электронные устройства
Спецификация 2 дюймовых свободно стоящих субстратов GaN
Наше видение предприятия Factroy
Мы предоставим высококачественный ГаН субстрат и технологию применения для промышленности с нашей фабрикой.
Высококачественный GaN материал является ограничивающим фактором для применения III-нитридов, например, длительный срок службы
и высокой стабильности LD, высокой мощности и высокой надежности микроволновых устройств, высокая яркость
и высокоэффективные, энергосберегающие светодиоды.
Подробная информация о поставке
- Часто задаваемые вопросы
Вопрос: Что вы можете предоставить логистику и стоимость?
(1) Мы принимаем DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF и т.д.
(2) Если у вас есть свой экспресс-номер, это здорово.
Если нет, мы можем помочь вам доставить.
В: Сколько времени на доставку?
(1) Для стандартных изделий, таких как 2 дюймовые 0,35 мм пластины.
Для инвентаря: доставка осуществляется через 5 рабочих дней после заказа.
Для индивидуальных изделий: доставка осуществляется через 2 или 4 рабочих недели после заказа.
Вопрос: Как платить?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, безопасные платежи и торговая гарантия.
Вопрос: каков MOQ?
(1) Для инвентаря MOQ составляет 1 шт.
(2) Для индивидуальных изделий MOQ составляет 5-10 штук.
Это зависит от количества и техники.
Вопрос: У вас есть отчет об инспекции материала?
Мы можем предоставить отчет ROHS и достичь отчетов для наших продуктов.