 |
вафли вафли 6H-N/4H-N фиктивные SiC Кристл кремниевого карбида 2Inch 4inch для теста прибора
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | ZMKJ |
| Номер модели: | 2инч*0.625ммт |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 10pcs |
|---|---|
| Цена: | by case |
| Упаковывая детали: | одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов |
| Время доставки: | 2-4 Weeks |
| Условия оплаты: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Поставка способности: | 1-50пкс/монтх |
|
Подробная информация |
|||
| Материал: | Тип 4H-N SiC одиночный кристаллический | Ранг: | Манекен/ранг продукции исследования |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.625MM | Suraface: | как-отрезок |
| Применение: | польский тест прибора | Диаметр: | 50.8mm |
| Высокий свет: | субстрат кремниевого карбида,вафля сик |
||
Характер продукции
Вафли sic как-отрезка субстратов wafersS/Customzied одиночного кристалла кремниевого карбида dia 150mm слитков Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/особой чистоты 4H-N 4inch 6inch (sic)
Около кремниевый карбид (SiC) Кристл
Кремниевый карбид (SiC), также известный как карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой SiC. SiC использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или both.SiC также один из важных компонентов СИД, это популярный субстрат для расти приборы GaN, и оно также служит как распространитель жары в высокомощном СИД.
СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА
|
Свойство |
4H-SiC, одиночное Кристл |
6H-SiC, одиночное Кристл |
|
Параметры решетки |
a=3.076 Å c=10.053 Å |
a=3.073 Å c=15.117 Å |
|
Штабелировать последовательность |
ABCB |
ABCACB |
|
Твердость Mohs |
≈9,2 |
≈9,2 |
|
Плотность |
3,21 g/cm3 |
3,21 g/cm3 |
|
Therm. Коэффициент расширения |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
|
Индекс @750nm рефракции |
отсутствие = 2,61 ne = 2,66 |
отсутствие = 2,60 ne = 2,65 |
|
Диэлектрическая константа |
c~9.66 |
c~9.66 |
|
ohm.cm термальной проводимости (N типа, 0,02) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
|
Термальная проводимость (Полу-изолировать) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
|
Диапазон-зазор |
eV 3,23 |
eV 3,02 |
|
Поле нервного расстройства электрическое |
3-5×106V/cm |
3-5×106V/cm |
|
Дрейфовая скорость сатурации |
2,0×105 m/s |
2,0×105 m/s |
спецификация субстрата кремниевого карбида 2 дюймов диаметра (SiC)
|
Ранг |
Ранг продукции |
Ранг исследования |
Фиктивная ранг |
|
|
Диаметр |
50,8 mm±0.38 mm |
|||
|
Толщина |
330 μm±25μm или customzied |
|||
|
Ориентация вафли |
На оси: <0001> ±0.5° для 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI с оси: 4.0° к 1120 ±0.5° для 4H-N/4H-SI |
|||
|
Плотность Micropipe |
см-2 ≤5 |
см-2 ≤15 |
см-2 ≤50 |
|
|
Резистивность |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·см |
||
|
6H-N |
0.02~0.1 Ω·см |
|||
|
4/6H-SI |
>1E5 Ω·см |
(90%) >1E5 Ω·см |
||
|
Основная квартира |
{10-10} ±5.0° |
|||
|
Основная плоская длина |
15,9 mm±1.7 mm |
|||
|
Вторичная плоская длина |
8,0 mm±1.7 mm |
|||
|
Вторичная плоская ориентация |
Кремний лицевой: 90° CW. от основного плоского ±5.0° |
|||
|
Исключение края |
1 mm |
|||
|
TTV/Bow /Warp |
≤15μm/≤25μm/≤25μm |
|||
|
Шершавость |
Польское Ra≤1 nm |
|||
|
CMP Ra≤0.5 nm |
||||
|
|
Никакие |
Никакие |
1 позволенный, ≤1 mm |
|
|
Плиты наговора светом высокой интенсивности |
Кумулятивное area≤ 1% |
Кумулятивное area≤ 1% |
Кумулятивное area≤ 3% |
|
|
|
Никакие |
Кумулятивное area≤ 2% |
Кумулятивное area≤5% |
|
|
|
3 царапины к длине диаметра 1×wafer кумулятивной |
5 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной |
8 царапин к длине диаметра 1×wafer кумулятивной |
|
|
Обломок края |
Никакие |
3 позволенного, ≤0.5 mm каждое |
5 позволенных, ≤1 mm каждое |
|
|
Тип 4H-N/вафля/слитки SiC особой чистоты
2 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC
3 вафля дюйма 4H N типа SiC 4 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC 6 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC |
2 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
3 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC 4 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC 6 дюймов 4H Полу-изолируя вафлю SiC |
|
вафля 6H N типа SiC
2 вафля/слиток дюйма 6H N типа SiC |
Размер Customzied для 2-6inch
|
О ZMKJ Компании
ZMKJ может снабжает высококачественную одиночную кристаллическую вафлю SiC (кремниевый карбид) электронная и электронно-оптическая индустрия. Вафля SiC материал полупроводника следующего поколени, с уникальными электрическими свойствами и превосходные термальные свойства, сравненные к кремниевой пластине и вафле GaAs, вафля SiC более соответствующие для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю SiC можно поставить в дюйме диаметра 2-6, и 4H и 6H SiC, N типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный. Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации о продукте.
Наши продукты отношения
Вафли LaAlO3/SrTiO3/вафли объектива LiTaO3 кристаллические SiC wafer& сапфира зазора шарика вафель рубиновые
вопросы и ответы:
Q: Что путь условия доставки и цены и оплаты?
: (1) мы принимаем 100% T/T заранее DHL, Federal Express, EMS etc.
(2) если вы имеете ваш собственный срочный счет, то оно большие. Если не, мы смогли помочь вам грузить их.
Перевозка в соответствии с фактическим поселением.
Q: Что ваше MOQ?
: (1) для инвентаря, MOQ 2pcs.
(2) для подгонянных продуктов, MOQ 10pcs вверх.
Q: Могу я подгонять продукты основанные на моей потребности?
: Да, мы можем подгонять материал, спецификации и форму, размер основанный на ваших потребностях.
Q: Что срок поставки?
: (1) для стандартных продуктов
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 недели после того как вы делаете заказ заказ.
(2) для в форме особенн продуктов, доставка 4 рабочей недели после того как вы делаете заказ заказ.