Наименование марки:	ZMKJ
Номер модели:	UTI-AlN-100
MOQ:	3pcs
цена:	by case
Детали упаковки:	одиночный контейнер вафли в комнате чистки
Условия оплаты:	T/T, западное соединение, PayPal

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

субстрат:

кремниевая пластина

слой:

Шаблон AlN

толщина слоя:

200-1000nm

тип проводимости:

N/P

Ориентация:

0001

применение:

наивысшая мощность/высокочастотные электронные устройства

применение 2:

приборы 5G saw/BAW

толщина кремния:

525um/625um/725um

Поставка способности:

50ПКС/Монтх

Выделить:

Субстрат полупроводника фильма AlN

Субстрат нитрида алюминия AlN

вафля нитрида алюминия 1000nm

Характер продукции

фильм шаблонов 500nm AlN 4inch 6inch основанный на Кремни AlN на субстрате кремния

Применения Шаблон AlN

основанные на Кремни полупроводниковые технологии достигали свои пределы и не смогли удовлетворять требования будущего

электронные устройства. Как типичный вид материала полупроводника 3rd/4th-generation, нитрид алюминия (AlN) имеет

главные медицинский осмотр и химические свойства как широкое bandgap, высокая термальная проводимость, высокое нервное расстройство хранили,

высокое электронное сопротивление подвижности и корозии/радиации, и идеальный субстрат для электронно-оптических приборов,

электронные устройства приборов радиочастоты (RF), высокомощного/высокочастотных, etc… Особенно, субстрат AlN

самый лучший выбранный для UV-LED, УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ детекторов, УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ лазеров, приборов 5G высокомощных/высокочастотных RF и 5G SAW/BAW

приборы, которые смогли широко быть использованы в охране окружающей среды, электроника, беспроводные сообщения, печатание,

биология, здравоохранение, войска и другие поля, как УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ очищение/стерилизация, УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЙ лечить, photocatalysis, coun?

обнаружение terfeit, хранение высокой плотности, медицинское открытие phototherapy, лекарства, радиотелеграф и безопасная связь,

обнаружение космических/глубокого космоса и другие поля.

мы начинали сериалы собственнических процессов и технологий для того чтобы изготовить

высококачественные шаблоны AlN. В настоящее время, наш OEM единственная компания всемирно кто может произвести 2-6 дюйм AlN

шаблоны в широкомасштабной возможности промышленного производства с емкостью 300 000 частей в 2020 встретить взрывно

рыночный спрос от беспроводного сообщения UVC-LED, 5G, УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ детекторов и датчиков etc

Factroy новаторская высокотехнологичная компания основало в 2016 известными китайскими международными профессионалами от semicon? индустрия ductor.

они фокусируют свою основу бизнеса на развитии и коммерциализации 3rd/4th-genera? субстраты AlN полупроводника bandgap tion шириной с ультра,

Шаблоны AlN, полностью автоматические реакторы роста PVT и родственные продукты и услуга для различных промышленностей высоких технологий.

как глобальный руководитель в этом поле. Наши продукты ядра ключевые материалы стратегии перечисленные в «сделанный в Китае».

они начинали сериалы собственнических технологий и -государство- - реакторов и объектов роста искусства PVT к

изготовьте различные размеры высококачественных одиночных кристаллических вафель AlN, temlpates AlN. Мы одно из немногие мир-ведущих

высокотехнологичные компании которые собственное полное capa изготовления AlN?

bilities для произведения высококачественных boules и вафель AlN, и для того чтобы обеспечить profes? обслуживания sional и полностью готовые решения к нашим клиентам,

аранжированный от дизайна реактора и hotzone роста, моделирования и симуляции, проекта процесса и оптимизирования, выращивания кристаллов,

wafering и материальное characteriza? tion. До апреля 2019, они прикладывали больше чем 27 патентов (включая PCT).

Спецификация

Характерная спецификация

Модель UTI-AlN-100S
Тип проводимости C-самолет вафли Si одиночной кристаллической
Резистивность (Ω) 2500-8000
Структура AlN Вуртцит
Диаметр (дюйм) 4inch

Толщина субстрата (µm) 525 ± 15
Толщина фильма AlN (µm) 500nm

Ориентация C-ось [0001] +/- 0.2°
Годная к употреблению область ≥95%
Отказы Никакие
FWHM-2θXRD@ (0002) ≤0.22°
FWHM-HRXRD@ (0002) ≤1.5°
Шероховатость поверхности [5×5µm] (nm) RMS≤6.0
TTV (µm) ≤7
Смычок (µm) ≤30
Искривление (µm) -30~30
Примечание: Эти результаты характеризации могут поменять немножко в зависимости от используемых оборудований и/или программного обеспечения

2 кремний фильма дюйма 1000nm AlN основал субстрат полупроводника нитрида алюминия 1

2 кремний фильма дюйма 1000nm AlN основал субстрат полупроводника нитрида алюминия 2

Кристаллическая структура	Вуртцит
Константа решетки (Å)	a=3.112, c=4.982
Тип зоны проводимости	Сразу bandgap
Плотность (g/cm3)	3,23
Поверхностный microhardness (тест Knoop)	800
Точка плавления (℃)	2750 (бар 10-100 в N2)
Термальная проводимость (W/m·K)	320
Энергия зазора диапазона (eV)	6,28
Подвижность электрона (v·s/cm2)	1100
Электрическое поле нервного расстройства (MV/cm)	11,7

2 кремний фильма дюйма 1000nm AlN основал субстрат полупроводника нитрида алюминия 4

Теги: