ПродуктОбзор

Поверхность производительности передовых чипов часто ограничиваетсятепловое управлениеПоскольку вычислительные технологии искусственного интеллекта, высокочастотная связь, мощные полупроводники и передовые упаковки продолжают быстро развиваться, плотность мощности чипа значительно увеличивается.Традиционные тепловые материалы и пути рассеивания тепла приближаются к своим физическим пределам.

Алмазный тонкий пленка, с егосверхвысокая теплопроводность, высокая твердость, превосходнаяэлектрическийизоляция, широкий диапазон, низкий диэлектрикпотеря, коррозиясопротивление, иневыполненный устойчивость, являетсярассматриваетсякак ключевой материал для следующего поколениячиптепловаяУправлениеи высокого классафункциональный устройства.

Через.продвинутый Технологии отложения MPCVD/CVD, высококачественные бриллиантовые тонкие пленки могут выращиваться на таких субстратах, как кремний, карбид кремния, сапфир, кварц и металлы.обработанныев самоподдерживающиеся алмазные мембраны для распределения тепла на уровне пластины,ПакетТепловая температураУправление, высокий...частота устройства, оптоэлектронныеустройства, и высокой мощностичипохлаждениеЗаявления.

ЯдроЛинии продукции

1Ультратонкая бриллиантовая тонкая пленка на кремниевом

На основезрелыйТехнология MPCVD, сверхтонкие поликристаллические алмазные пленки толщинойменее 1 мкмможет бытьпрямовыращенные на4-дюймовые, 6-дюймовые и 8-дюймовые кремниевые субстраты, покаподдержаниеОтличная теплопроводность.

Эта структура позволяет бриллианту теплораспространениеслойбытьинтегрированный прямо нана основе кремнияустройство поверхностьво время пластинкиПроизводствоОн действует кактеплораспределятель, расположенный вблизи соединения,позволяетТепло распространяется по бокам в данный момент этогенерируетсяиподавляющееместная температураподъемв источнике.

Что еще важнее, бриллиант на кремниевомПроцессэтовысоко совместимыссуществующиеКремниевые пластинкиПроизводство ПроцессыОна может быть введена без существенных изменений втекущийпроизводственных линий, обеспечивающихэффективныйрешение для тепловых проблем в RFустройства, мощностьустройства, высокий...частота чипсы, ипродвинутый упаковка.

Типичный Спецификации

2Ультратонкий самоподдерживающийсяГибкийАлмазная мембрана

В областинезависимыйсамоподдерживающиеся алмазные мембраны, сверхтонкие алмазные пленки толщиной5 ‰ 25 мкмВ сравнении собычноиспользуются 50 мкм алмазные мембраны впромышленность, этот продукт достигает значительной толщиныуменьшениепокаподдержаниевысокая теплопроводность, хорошая толщинаединообразие, и гладкийповерхность.

Ультратонкая самоподдерживающаяся алмазная мембрана предлагает макроскопическиегибкостьи поддержкилазерРезание и настройка размера.устраняет- Да.зависимостьна клейких лентах илижесткий перевозчикии может быть бесшовныминтегрированныйспродвинутыйзадней частиПроцессынапример, на уровне пластиныупаковка, 3Dнакладывание, и неоднородныеинтеграция.

Этот продукт предоставляет новое решение дляПакетТепловая температураУправлениеи демонстрирует сильную конкурентоспособность вгибкий устройствоохлаждение, высоко-частота устройствоизоляция и теплопроводность, оптоэлектронные субстраты и высокомощныечиптепловаяУправление.

Типичный Спецификации

Ключевые особенности

1Ультравысокая теплопроводность

Диамант - один из лучших...известныйДиамантные тонкие пленки могутбыстроРаспространение локализованного тепла отчипсы,уменьшитьТемпература горячей точки, и улучшитьнадежностьвысокой мощности, высокой...частота, и оптоэлектронныеустройства.

2Сильное распространение тепла вблизи соединенияСпособность

Диамант на кремниевых тонких пленках может бытьпрямо интегрированный напластинки иличип поверхности, образуя теплораспространение вблизи соединенияслойЭто помогает.поведениетепла от источника тепла большеэффективнои улучшаетограниченияизобычныедлинные тепловые пути вупаковка.

3. Уровень вафеляПроцессСовместимость

4-дюймовые, 6-дюймовые и 8-дюймовые бриллиантовые на кремниевых тонких пленкахсовместимыссуществующиена основе кремнияПроцесс платформы, что делает их подходящими для пластинкиПроизводствои масштабируемыйпромышленный Заявления.

4Ультратонкая и легкая конструкция

Алмазные тонкие пленки могут бытьизготовленныена подмикронной толщине, в то время как самоподдерживающие алмазные мембраны могут контролироваться в пределах5 ‰ 25 мкм, что делает их подходящими для миниатюрных, высоко-плотность, ивысоко интегрированный устройства.

5Отлично.ЭлектрическиеИзоляция иЧастотаПроизводительность

Диамант предлагает превосходныеэлектрическийизоляция и низкий диэлектрикпотеря, что делает его подходящим для RFустройства, высокий...частота чипсы, оптоэлектронныеустройства, и мощный полупроводникЗаявленияЧтотребуюткак изоляции, так и теплопроводности.

6.Выдающийся Механическиеи ХимическиеСтабильность

Диамантные тонкие пленки отличаются высокой твердостью, износомсопротивление, коррозиясопротивление, и высокотемпературныеустойчивость, что позволяет имподдерживать надежныйпроизводительность втребовательная окружающая среда.

Типичный Заявления

Полупроводниковые тепловыеУправление

Используется дляэффективныйрассеивание тепла при высокой мощностичипсы, АЛчипсы, графические процессоры, ASIC, мощность GaN/SiCустройства,лазердиоды и радиочастотныеустройства.

Распространение тепла на уровне пластины

Диамантные тонкие пленки на кремнии могут служить рассеивателями тепла на уровне пластинки,позволяеттепловаяУправлениевнедряться в течениечип Производство.

Усовершенствованный Опаковка

Самообеспечениегибкийалмазные мембраны могут использоваться в 2.5D / 3DупаковкаЧиплет.интеграция, на уровне пластиныупаковка, и высоко-плотностьнеоднороднаяинтеграциядляПакетТепловая температураУправление.

Высокий...Частотаи RFУстройства

Подходит для радиочастотного интерфейсаустройства, высокий...частотакоммуникациякомпоненты, имиллиметр- волнаустройства требуетнизкийпотеря, высокая изоляция и высокая теплопроводность.

ОптоэлектронныеУстройстваиЛазеры

Может использоваться в качестве теплораспределяющего субстрата или тепловогоУправление слоидлялазердиоды, оптическая связьустройства, фотодетекторы, и высокомощные фотоническиечипсы.

Гибкий Электроника

Сверхтонкие самоподдерживающиеся алмазные мембраны с макроскопическимигибкостьможет применяться вгибкий устройствоохлаждение и следующее поколениегибкий электронныеСистемы.

НастраиваемыйСпецификации

Заключение

Алмазный тонкий пленка переопределяетграницыизчиптепловаяУправлениеОт теплового распространения на уровне пластины.слоидоПакет- уровеньгибкийСамоподдерживающиеся мембраны, алмаз больше не простопассивныйнагрева-проведениеОн становитсяфункциональный слойЧтопозволяетвышечиппроизводительности.

Снепрерывный прорывыв4-дюймовые, 6-дюймовые и 8-дюймовые сверхтонкие алмазные на силиконовых пленкахи5 ‰ 25 мкм сверхтонкий самоподдерживающийсягибкийалмазные мембраны, алмазная тонкая пленкарасширяетсяегоприменениепространство в высокопроизводительныхвычислительная,продвинутый упаковка, оптическиечипсы, полупроводники питания, радиочастотыустройства, игибкий электроники.

Когда рассеивание тепла больше не являетсяограничивающее фактор, следующийэпохаизчипи выступление начнётся.

Частые вопросы

Вопрос 1: Что такое бриллиантовая тонкая пленка?

Алмазный тонкий пленка является высокопроизводительнойфункциональныйФильм подготовленныйЭто может быть сделано с помощью CVD или MPCVD технологии.комбайнысверхвысокая теплопроводность, превосходнаяэлектрическийизоляция, высокая твердость, низкий диэлектрикпотеря, и сильные химическиеустойчивость, что делает его подходящим для полупроводниковых тепловыхУправление,продвинутый упаковка, RFустройства, мощностьустройства, и оптоэлектронныеЗаявления.

Вопрос 2: Какиеглавныйвиды продукциидоступные?

Вглавныйвиды продукции:тонкие пленки из алмаза на кремниевомисамоподдерживающиеся алмазные мембраны. Алмазные пленки на кремниевомобычноиспользуется для распределения тепла на уровне пластины, а самоподдерживающиеся алмазные мембраны подходят дляПакетТепловая температураУправлениеипродвинутый упаковка интеграция.

Q3: Какие размерыдоступныедля тонких пленок с бриллиантом на кремниевом?

Диамант на кремниевых тонких пленках может бытьпоставляетсяна4-дюймовые, 6-дюймовые и 8-дюймовые кремниевые субстратыАлмаз.слойтолщина может быть меньше1 мкм, стипичный 00,5 мкм.