Наименование марки:	ZMKJ
Номер модели:	UTI-AlN-150
MOQ:	3pcs
цена:	by case
Детали упаковки:	одиночный контейнер вафли в комнате чистки
Условия оплаты:	T/T, западное соединение, PayPal

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

субстрат:

кремниевая пластина

слой:

Шаблон AlN

толщина слоя:

200-1000nm

тип проводимости:

N/P

Ориентация:

0001

применение:

наивысшая мощность/высокочастотные электронные устройства

применение 2:

приборы 5G saw/BAW

толщина кремния:

525um/625um/725um

Поставка способности:

50ПКС/Монтх

Выделить:

Субстрат полупроводника AlN

субстрат aln dia 30mm

aln 30mm определяет кристаллическое

Характер продукции

диаметр 150mm фильм шаблонов 500nm AlN 8inch 4inch 6inch основанный на Кремни AlN на субстрате кремния

Применения Шаблон AlN

основанные на Кремни полупроводниковые технологии достигали свои пределы и не смогли удовлетворять требования будущего

электронные устройства. Как типичный вид материала полупроводника 3rd/4th-generation, нитрид алюминия (AlN) имеет

главные медицинский осмотр и химические свойства как широкое bandgap, высокая термальная проводимость, высокое нервное расстройство хранили,

высокое электронное сопротивление подвижности и корозии/радиации, и идеальный субстрат для электронно-оптических приборов,

электронные устройства приборов радиочастоты (RF), высокомощного/высокочастотных, etc… Особенно, субстрат AlN

самый лучший выбранный для UV-LED, УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ детекторов, УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ лазеров, приборов 5G высокомощных/высокочастотных RF и 5G SAW/BAW

приборы, которые смогли широко быть использованы в охране окружающей среды, электроника, беспроводные сообщения, печатание,

биология, здравоохранение, войска и другие поля, как УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ очищение/стерилизация, УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЙ лечить, photocatalysis, coun?

обнаружение terfeit, хранение высокой плотности, медицинское открытие phototherapy, лекарства, радиотелеграф и безопасная связь,

обнаружение космических/глубокого космоса и другие поля.

мы начинали сериалы собственнических процессов и технологий для того чтобы изготовить

высококачественные шаблоны AlN. В настоящее время, наш OEM единственная компания всемирно кто может произвести 2-6 дюйм AlN

шаблоны в широкомасштабной возможности промышленного производства с емкостью 300 000 частей в 2020 встретить взрывно

рыночный спрос от беспроводного сообщения UVC-LED, 5G, УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ детекторов и датчиков etc

Мы в настоящее время обеспечиваем клиентов с унифицированным азотом 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm высококачественным
Алюминиевый определите кристаллические продукты субстрата, и смогите также обеспечить клиентов с 10-20mm неполярным
субстрат нитрида алюминия M-самолета одиночный кристаллический, или подгонять нештатные 5mm-50.8mm к клиентам
Отполированный субстрат нитрида алюминия одиночный кристаллический. Этот продукт широко использован как лидирующий материал субстрата
Использованный в обломоках UVC-LED, УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ детекторах, УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ лазерах, и различной наивысшей мощности
температура /High/высокочастотное поле электронного устройства.

Спецификация

Характерная спецификация

Модель Кристалл UTI-AlN-030B-single
Диаметр Dia30±0.5mm;
Толщина субстрата (µm) 400 ± 50
Ориентация C-ось [0001] +/- 0.5°

Качественная ранг S-степень (супер) P-степень (продукция) R-степень (исследование)

Отказы Никакие Никакие <3mm>

FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
Шероховатость поверхности [5×5µm] (nm) Al-сторона <0>
Годная к употреблению область 90%
Absorbance<50>

1-ая ИЗ ориентации длины {10-10} ±5°;
TTV (µm) ≤30
Смычок (µm) ≤30
Искривление (µm) -30~30
Примечание: Эти результаты характеризации могут поменять немножко в зависимости от используемых оборудований и/или программного обеспечения

субстрат полупроводника Dia AlN одиночного Кристл 30mm 1

субстрат полупроводника Dia AlN одиночного Кристл 30mm 2

субстрат полупроводника Dia AlN одиночного Кристл 30mm 3

субстрат полупроводника Dia AlN одиночного Кристл 30mm 4

элемент примеси Fe Na W.P.S Ti c O Si b

PPMW 27 90 5,4 0,92 0,23 <0>

Кристаллическая структура	Вуртцит
Константа решетки (Å)	a=3.112, c=4.982
Тип зоны проводимости	Сразу bandgap
Плотность (g/cm3)	3,23
Поверхностный microhardness (тест Knoop)	800
Точка плавления (℃)	2750 (бар 10-100 в N2)
Термальная проводимость (W/m·K)	320
Энергия зазора диапазона (eV)	6,28
Подвижность электрона (v·s/cm2)	1100
Электрическое поле нервного расстройства (MV/cm)	11,7

Теги:

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Вафля нитрида галлия