Наименование марки:	zmkj
Номер модели:	2inch SEMI
MOQ:	5pcs
цена:	by case
Детали упаковки:	одиночная вафля упакованная в 6" пластиковая коробка под N2
Условия оплаты:	T/T, западное соединение, MoneyGram

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

Китай

Материал:

Кристалл GaAs одиночный

Размер:

4Inch

Толщина:

625um или customzied

ТИПА:

квартиры

Ориентация:

(100) 2°off

Поверхность:

DSP

метод роста:

VFG

Поставка способности:

500pcs в месяц

Выделить:

Вафля арсенида галлия 4 дюймов Undoped

Semi изолируя субстрат GaAs

СИД освещая вафлю арсенида галлия

Характер продукции

тип вафля 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N GaAs арсенида галлия /Si-doped полу-изоляции

Характер продукции

Наше 2' „до 6" „полу-проводя & полу-изолируя кристалл & вафля GaAs дико использовано в применении применения интегральной схемаы полупроводника & освещения СИД общего.

Особенность и применение вафли GaAs

Особенность	Область применения
Высокая подвижность электрона	Светоизлучающие диоды
Частота коротковолнового диапазона	Лазерные диоды
Высокая эффективность преобразования	Фотовольтайческие приборы
Потребление низкой мощности	Высокий транзистор подвижности электрона
Сразу зазор диапазона	Транзистор гетероперехода двухполярный

Semi изолируя Undoped субстрат вафли арсенида галлия для СИД освещая 2inch 3inch 4inch 0

ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ

Спецификации полу-проводить вафлю GaAs

Метод роста	VGF
Dopant	p типа: Zn		n типа: Si
Форма вафли	Круг (dia: 2", 3", 4", 6")
Поверхностная ориентация *	(100) ±0.5°
* другие ориентации возможно доступные по требованию
Dopant	Si (n типа)		Zn (p типа)
Концентрация несущей (cm-3)	(0.8-4) × 1018		(0.5-5) × 1019
Подвижность (cm2/V.S.)	× 103 (1-2.5)		50-120
Вытравите плотность тангажа (cm2)	100-5000		3,000-5,000
Диаметр вафли (mm)	50.8±0.3	76.2±0.3		100±0.3
Толщина (µm)	350±25	625±25		625±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 4	≤ 4		≤ 4
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
ИСКРИВЛЕНИЕ (µm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
(mm)	17±1	22±1		32.5±1
/ЕСЛИ (mm), то	7±1	12±1		18±1
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P		E/E, P/E, P/P

Спецификации полу-изолировать вафлю GaAs

Метод роста	VGF
Dopant	Тип SI: Углерод
Форма вафли	Круг (DIA: 2", 3", 4", 6")
Поверхностная ориентация *	(100) ±0.5°
* другие ориентации возможно доступные по требованию
Резистивность (Ω.cm)	× 107 ≥ 1		× 108 ≥ 1
Подвижность (cm2/V.S)	≥ 5 000		≥ 4 000
Вытравите плотность тангажа (cm2)	1,500-5,000		1,500-5,000
Диаметр вафли (mm)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3	150±0.3
Толщина (µm)	350±25	625±25	625±25	675±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 4	≤ 4	≤ 4	≤ 4
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 10
ИСКРИВЛЕНИЕ (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 15
(mm)	17±1	22±1	32.5±1	ЗАЗУБРИНА
/ЕСЛИ (mm), то	7±1	12±1	18±1	N/A
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P

Semi изолируя Undoped субстрат вафли арсенида галлия для СИД освещая 2inch 3inch 4inch 2

вопросы и ответы –
Q: Что вы можете поставить снабжение и цену?
(1) мы признаваем DHL, Federal Express, TNT, UPS, EMS, SF и etc.
(2) если вы имеете ваш собственный срочный номер, то оно большие.
Если не, мы смогли помочь вам для того чтобы поставить. Freight=USD25.0 (первый вес) + USD12.0/kg
Q: Как оплатить?
T/T, PayPal, западное соединение, MoneyGram, безопасная оплата и торговое обеспечение на Alibaba и etc…
Q: Что MOQ?
(1) для инвентаря, MOQ 5pcs.
(2) для подгонянных продуктов, MOQ 5pcs-20pcs.
Оно зависит от количества и методов
Q: Вы имеете отчет о проверке для материала?
Мы можем поставить подробный отчет для наших продуктов.

Упаковка – Logistcs
мы относимся каждое детали пакета, чистка, противостатическая, шоковая терапия. Согласно количеству и форме продукта,
мы примем различный упаковывая процесс!

Теги:

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Вафля нитрида галлия

Субстрат полупроводника

Синтетический камень самоцвета

Части керамические

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Коробка несущей вафли

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат

субстрат сапфира

Сапфир оптически Виндовс

Вафля кремниевого карбида

Трубка сапфира

Вафля нитрида галлия

Субстрат полупроводника

Синтетический камень самоцвета

Части керамические

научное оборудование лаборатории

Случай дозора сапфирового стекла

Коробка несущей вафли

Сверхпроводящий тонкий Монокрысталлине субстрат

Подробная информация о продукции