2 / вафля 4H-N кремниевого карбида 3/4/6inch/Semi печатает слитки SiC промышленные
Подробная информация о продукте:
Место происхождения: | КИТАЙ |
Фирменное наименование: | ZMKJ |
Номер модели: | большие части 4inch SiC |
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: | 3pcs |
---|---|
Цена: | by case |
Упаковывая детали: | одиночный пакет вафли в комнате чистки 100 рангов |
Время доставки: | 2-5weeks |
Условия оплаты: | T/T, западное соединение, MoneyGram |
Поставка способности: | 1-50pcs/month |
Подробная информация |
|||
Материал: | монокристалл SiC | Твердость: | 9.4 |
---|---|---|---|
Форма: | Подгонянный | Допуск: | ±0.1mm |
Применение: | вафля семени, рефлектор | Тип: | 4h-n |
Диаметр: | 4inch 6inch 8inch | Толщина: | ок 5-15mm |
резистивность: | 0.015~0.028ohm.cm | Цвет: | Ча-зеленый цвет |
Высокий свет: | вафля кремниевого карбида 6inch,Промышленная вафля SiC,вафля кремниевого карбида 4H-Semi |
Характер продукции
Высококачественные вафли кремниевого карбида SIC вафель кремния на изоляторе подгоняли высококачественный металл сферического зеркала высокой точности Dia.700mm Sic оптически рефлектор подгонял высококачественное Dia.500mm серебр-покрыл вафли субстратов одиночного кристалла кремниевого карбида dia 150mm слитков рефлектора 2inch/3inch/4inch/6inch/8inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC сферически металла рефлектора оптически/особой чистоты 4H-N 4inch 6inch (sic),
Название продукта
|
Зеркало металла плоское
|
Материал
|
Monocrystalline кремний
|
Диаметр
|
500mm
|
Качество поверхности
|
60-40
|
Поверхностная точность
|
PV: 1/4 Lambda; RMS: Lambda 1/30
|
Покрытие
|
Reflectivity>90% Покрывая фильм: @200-1100nm
|
Применение
|
Отражая система
|
Свойство | 4H-SiC, одиночное Кристл | 6H-SiC, одиночное Кристл |
Параметры решетки | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
Штабелировать последовательность | ABCB | ABCACB |
Твердость Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Плотность | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
Therm. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Индекс @750nm рефракции |
отсутствие = 2,61 ne = 2,66 |
отсутствие = 2,60 ne = 2,65 |
Диэлектрическая константа | c~9.66 | c~9.66 |
ohm.cm термальной проводимости (N типа, 0,02) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
Термальная проводимость (Полу-изолировать) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
Диапазон-зазор | eV 3,23 | eV 3,02 |
Поле нервного расстройства электрическое | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
Дрейфовая скорость сатурации | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Тип 4H-N/вафля/слитки SiC особой чистоты
2 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC
3 вафля дюйма 4H N типа SiC 4 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC 6 вафля/слитки дюйма 4H N типа SiC |
4H Полу-изолируя/вафля SiC особой чистоты 2 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC
3 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC 4 дюйма 4H Полу-изолируя вафлю SiC 6 дюймов 4H Полу-изолируя вафлю SiC |
вафля 6H N типа SiC
2 вафля/слиток дюйма 6H N типа SiC |
Размер Customzied для 2-6inch
|
Кремниевый карбид (SiC), также известный как карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой SiC. SiC использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или both.SiC также одно из
важные компоненты СИД, это популярный субстрат для расти приборы GaN, и оно также служит как распространитель жары в высокомощном
СИД.
Свойства | блок | Кремний | SiC | GaN |
Ширина Bandgap | eV | 1,12 | 3,26 | 3,41 |
Поле нервного расстройства | MV/cm | 0,23 | 2,2 | 3,3 |
Подвижность электрона | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
Valocity смещения | 10^7 cm/s | 1 | 2,7 | 2,5 |
Термальная проводимость | W/cmK | 1,5 | 3,8 | 1,3 |
О ZMKJ Компании
ZMKJ может снабжает высококачественную одиночную кристаллическую вафлю SiC (кремниевый карбид) электронная и электронно-оптическая индустрия. Вафля SiC материал полупроводника следующего поколени, с уникальными электрическими свойствами и превосходные термальные свойства, сравненные к кремниевой пластине и вафле GaAs, вафля SiC более соответствующие для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю SiC можно поставить в дюйме диаметра 2-6, и 4H и 6H SiC, N типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный. Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации о продукте.
вопросы и ответы:
Q: Что путь доставки и цены?
: (1) мы признаваем DHL, Federal Express, EMS etc.
(2) оно отлично если вы имеете ваш собственный срочный счет, то если не, мы смогли помочь вам грузить их и
Перевозка в соответствии с фактическим поселением.
Q: Как оплатить?
: Депозит T/T 100% перед доставкой.
Q: Что ваше MOQ?
: (1) для инвентаря, MOQ 1pcs. если 2-5pcs оно лучшее.
(2) для подгонянных общих продуктов, MOQ 10pcs вверх.
Q: Что срок поставки?
: (1) для стандартных продуктов
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 через -4 недели после вас контакт заказа.
Q: Вы имеете стандартные продукты?
: Наши стандартные продукты в запасе. как вероятные субстраты 4inch 0.35mm.