 |
Сапфировая вафель 6 дюймов DSP SSP C-плана ((0001) 99,999% высокая чистота монокристаллический Al2O3 светодиод
Подробная информация о продукте:
| Place of Origin: | China |
| Фирменное наименование: | ZMSH |
| Model Number: | Sapphire subatrate |
Оплата и доставка Условия:
| Время доставки: | 2-4weeks |
|---|---|
| Условия оплаты: | T/T |
|
Подробная информация |
|||
| Молекулярная масса: | 101,96 | Толщина слоя: | 1-5um |
|---|---|---|---|
| Внутренняя сопротивляемость: | 1E16 Ω-см | Полировка: | DSP, SSP |
| Индекс преломления: | Обычно около 1,76 (при 589 Нм) | Химическая стабильность: | Отлично. |
| Грубость поверхности: | Ra < 0,5 Нм | Допуск диаметра: | ≤3% |
| Выделить: | Вафля сапфира СИД,вафля сапфира 6inch,Сапфир высокой чистоты |
||
Характер продукции
Сапфировая вафель 6 дюймов DSP SSP C-плана ((0001) 99,999% высокая чистота монокристаллический Al2O3 LED
Описание продукта 6 дюймовой сапфировой вафели:
Сапфировые пластинки - это тип минералов с такими характеристиками, как высокая твердость (9,0 Моха), хорошая прозрачность и химическая стабильность.натуральный и синтетический сапфирыСинтетические сапфировые пластинки производятся путем химических реакций при высокой температуре и высоком давлении.что делает их широко используемыми в промышленном производствеРазличные методы синтеза и условия могут производить сапфировые пластинки в различных цветах и формах, таких как золотисто-желтый, розовый и т. д.
6-дюймовый (около 150 мм) субстрат обычно имеет стандартизированную толщину и подходит для эпитаксиального роста.Выращивание методом плавления (например, методом Вернеула) или методом раствора (например, методом Цокральского), можно производить высококачественные однокристаллические сапфировые субстраты.Подходит для использования при высоких температурах и изменяющейся среде для обеспечения долгосрочной стабильности устройства. Широко используется в эпитаксиальном росте синих и белых светодиодов, обеспечивая хорошую GaN субстрат. Широко используется в эпитаксиальном росте синих и белых светодиодов, обеспечивая хорошую GaN субстрат.Он также играет важную роль в высокочастотных и мощных устройствах.
Персонаж 6-дюймовой сапфировой вафры:
1Химическая устойчивость
Устойчивость к коррозии: Сапфир обладает отличной химической устойчивостью и может противостоять коррозии различных химических веществ.
2Оптические характеристики
Прозрачность: имеет хорошую проницаемость в области видимого света и ультрафиолетового света, подходящую для фотоэлектрических устройств.
Низкая потеря света: в высокопроизводительных приложениях сапфирная подложка может эффективно уменьшить потерю света.
3. Механические свойства
Высокая твердость: твердость сапфира чрезвычайно высока, сильная износостойкость, может поддерживать стабильность в суровой среде.
Жесткость: Хотя сапфир и имеет высокую твердость, он также имеет относительно хорошую прочность и может выдерживать определенный удар.
4Тепловые свойства
Теплопроводность: имеет хорошую теплопроводность, может эффективно рассеивать тепло, подходит для применения при высоких температурах.
Тепловая стабильность: он может поддерживать стабильную производительность в условиях высокой температуры, подходящей для устройств высокой мощности.
5Электрические характеристики
Изоляция: сапфир является отличным электрическим изолятором для применения при высоком напряжении.
6Процесс роста
Высококачественные кристаллы: с помощью передовых методов, таких как метод плавления или метод Цокральского для выращивания, можно получить высококачественные однокристаллические субстраты.
7. Стандартизация размеров
6-дюймовая спецификация: стандартный 6-дюймовый (примерно 150 мм) размер, что делает его более совместимым и повторяемым во время производства.
Таблица параметров 6-дюймовой сапфировой вафры:
| Положение | 6-дюймовая C-плоскость ((0001) 1300μm Сапфировые пластинки | |
| Кристаллические материалы | 99,999%, высокая чистота, монокристаллический Al2O3 | |
| Уровень | Прим, эпи-готовы. | |
| Ориентация поверхности | С-плоскость ((0001) | |
| С-плоскость вне угла к оси M 0,2 +/- 0,1° | ||
| Диаметр | 1500,0 мм +/- 0,2 мм | |
| Толщина | 1300 мкм +/- 25 мкм | |
| Первичная плоская ориентация | А-плоскость ((11-20) +/- 0,2° | |
| Первичная плоская длина | 47.0 мм +/- 1,0 мм | |
| Одностороннее полирование | Передняя поверхность | Эпиполированный, Ra < 0,2 нм (по AFM) |
| (SSP) | Задняя поверхность | Плохо измельченный, Ra = 0,8 мкм - 1,2 мкм |
| Двухгранный полированный | Передняя поверхность | Эпиполированный, Ra < 0,2 нм (по AFM) |
| (DSP) | Задняя поверхность | Эпиполированный, Ra < 0,2 нм (по AFM) |
| TTV | < 25 мкм | |
| ВОЛ | < 25 мкм | |
| WARP | < 25 мкм | |
| Уборка / упаковка | Уборка чистых помещений класса 100 и вакуумная упаковка, | |
| 25 штук в одной кассетной упаковке или в упаковке на один кусок. | ||
Физическая фотография 6-дюймовой сапфировой вафры:
Применение 6-дюймовой сапфировой пластинки:
1Применение сапфировых пластин C-плоскости
По сравнению с сапфировыми субстратами с другими кристаллическими направлениями,С-плоскости (<0001> ориентации) сапфировые пластинки демонстрируют относительно меньшее несоответствие решетчатой константы с материалами III-V и II-VI групп (такими как GaN)Кроме того, несоответствие константы решетки между ними и тонкой пленкой AlN, которая может служить буферным слоем, еще меньше.Эта характеристика делает C-плоскость сапфировых пластин широко используемым материалом субстрата в процессах роста GaN.
Из-за их способности удовлетворять требованиям высокой температуры в процессах эпитаксии GaN, сапфировые пластинки C-плоскости идеально подходят для производства белых/синих/зеленых светоизлучающих диодов (LED),лазерные диоды, инфракрасные детекторы и другие устройства.
2Применение сапфировых пластин А-плоскости
Из-за его превосходных характеристик, особенно его превосходной прозрачности, повышающей проникновение инфракрасного света,Сапфировые монокристаллы стали идеальным средним инфракрасным окном и широко используются в военных электрооптических устройствахВ этом контексте сапфир с плоскостью А представляет собой неполярную поверхность, перпендикулярную полярной поверхности (C-плоскость).Сапфировые кристаллы, выращенные в направлении A, обладают превосходным качеством по сравнению с выращенными в направлении C., демонстрируя меньше дефектов, меньше структур двойников и более полную кристаллическую структуру.
Кроме того, из-за атомной связи Al-O-Al-O на плоскости A, а-направление сапфира может похвастаться значительно более высокой твердостью и износостойкостью по сравнению с c-направление сапфира.Следовательно,Кроме того, сапфир A-плоскости также имеет равномерные диэлектрические константы и высокие изоляционные характеристики.что делает его подходящим для применения в смешанной технологии микроэлектроникиОн также может быть использован в высокотемпературных процессах роста сверхпроводников.такие как рост гетероэпитаксиальных сверхпроводящих пленок с использованием материалов, таких как TlBaCaCuO (TbBaCaCuO) на композитных субстратах сапфира и оксида церия (CeO2).
3Применение сапфировых пластин R и M
R-плоскость сапфира является неполярным лицом, и поэтому изменения положения R-плоскости в сапфировых устройствах приводят к различным механическим, тепловым, электрическим и оптическим свойствам.В целом, R-плоскость сапфировых субстратов предпочтительнее для гетероэпитаксиального отложения с кремниевым и используются в основном в производстве полупроводников,микроволновые и микроэлектронные интегральные схемыР-плоскость сапфировых субстратов также используется в производстве рубиновых шаров, других сверхпроводящих компонентов, высокопрочных резисторов и галлиевого арсенида.
С широким использованием смартфонов, планшетов и других устройств,R-плоскость сапфировых подложки заменили существующие сложные поверхностные акустические волны (SAW) устройства, используемые в смартфонах и планшетахОни служат субстратами для устройств, которые могут повысить производительность, обеспечивая улучшенную основу для различных приложений.
Снимок применения 6-дюймовой сапфировой вафры:
Настройка:
ZMSH может предоставить сапфировые пластинки с любой кристаллической ориентацией, такие как C-плоскость, A-плоскость, R-плоскость, M-плоскость и многое другое.
Планированные сапфировые пластинки:Эти пластины обладают единообразными диэлектрическими константами и высокими изоляционными свойствами, что делает их широко используемыми в области смешанной микроэлектроники.
М-плоскость сапфировые пластинки:Перспективы применения сапфира в обнаружении ультрафиолетового излучения привели к растущему интересу к тонким пленкам MgZnO из полупроводникового сплава с широким диапазоном.
R-плоскость сапфировые пластинки:R-плоскость (1-102) сапфировые пластинки являются предпочтительными материалами для эпитаксиального отложения кремния в микроэлектронных IC-приложениях.
В дополнение к стандартным размерам и ориентации кристаллов,Различные отклоняющиеся стороны и включение ориентационных квартир также предлагаются для максимальной гибкости для клиентов в исследованиях или бизнес-приложениях.Все сапфировые пластинки очищаются и упаковываются в чистых помещениях класса 100 и применяются непосредственно для эпитаксиального роста (эпи-готовый класс), чтобы удовлетворить строгие требования клиентов к эпитаксиальному росту.С полированными или неополированными поверхностями, с или без ориентационных квартир, мы можем настроить производство в соответствии с вашими конкретными потребностями для удовлетворения различных требований в вашей области исследований.
6 дюймовый сапфировый вафли персонализированная фотография:
Часто задаваемые вопросы
1. Вопрос: Какой размер у сапфировых пластин?
A: Наши стандартные диаметры пластинок варьируются от 25,4 мм (1 дюйм) до 300 мм (11,8 дюйма) в размерах;пластины могут быть изготовлены в различных толщинах и ориентациях с полированными или неополированными сторонами и могут включать допанты.
2. Вопрос: Почему используется сапфирная подложка?
Ответ:Сапфир обладает исключительной электрической изоляцией, прозрачностью, хорошей теплопроводностью и высокими свойствами жесткости.Таким образом, он является идеальным материалом для подложки и используется в светодиодных и микроэлектронных схемах.Сверхбыстрые интегральные схемы.
3. Вопрос: Почему большие пластинки лучше?
Ответ: увеличение размера пластины означает большую площадь поверхности для каждой солнечной батареи.что приводит к более высокой мощности на ячейку и модульБолее крупные пластинки могут значительно повысить общую энергопроизводство солнечных установок.
Рекомендация продукта:
18 дюймов 6 дюймов сапфировый субстрат
(Кликните на картинку для получения дополнительной информации)
2. 4 дюйма сапфировые вафли
(Кликните на картинку для получения дополнительной информации)
3. 10*10*0.1mmt 100um Двухсторонняя полированная подложка с сапфиром 2 дюйма
(Кликните на картинку для получения дополнительной информации)