SiC Wafer 4 дюймов 12 дюймов 4H N Тип полутипа Производственный класс Исследовательский класс Любопытный класс DSP Настройка

SiC Wafer 4 дюймов 12 дюймов 4H N Тип полутипа Производственный класс Исследовательский класс Любопытный класс DSP Настройка

Описание продукта из12 дюймовСи Си вафли:

The rapid development of first-generation and second-generation semiconductor materials represented by silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) has propelled the swift advancement of microelectronics and optoelectronics technologiesОднако из-за ограничений производительности материала устройства, изготовленные из этих полупроводниковых материалов, в основном работают в условиях температуры ниже 200 °C.не отвечающие требованиям современной электроники для высокотемпературных, высокочастотных, высоковольтных и радиационно-устойчивых устройств.пластинки из карбида кремния, особенно12-дюймовые пластинки SiCиПластинки SiC 300 мм, предлагают превосходные свойства материалов, которые позволяют надежно работать в экстремальных условиях.пластинки SiC большого диаметраускоряет инновации в области передовой электроники, предоставляя решения, которые преодолевают ограничения Си и ГаА.

Персонажиз12 дюймовСи Си вафли:

1Широкий диапазон:

12-дюймовые пластинки карбида кремния SiC 300 имеют широкий диапазон, обычно от 2,3 до 3,3 электронов, выше, чем у кремния.Этот широкий диапазон позволяет устройствам карбида кремния работать стабильно при высоких температурах и высокой мощности и демонстрировать высокую мобильность электронов.
2Высокая теплопроводность:

12-дюймовые пластинки из карбида кремния Теплопроводность карбидных пластин кремния примерно в три раза выше, чем у кремния, достигая 480 Вт/мК. Такая высокая теплопроводность позволяет использовать карбид кремния.устройства для быстрого рассеивания тепла, что делает их подходящими для требований теплового управления высокочастотных электронных устройств.
3Электрическое поле высокого разрыва:

12-дюймовые пластинки из карбида кремния имеют высокое расщепление электрического поля, значительно выше, чем у кремния. Это означает, что в тех же условиях электрического поля пластины карбида кремния могут выдерживать более высокое напряжение,способствующие увеличению плотности мощности в электронных устройствах.
4Низкий ток утечки:

Из-за структурных характеристик карбидных пластин кремния они имеют очень низкие потоки утечки.что делает их подходящими для применения в условиях высокой температуры, где существуют строгие требования к течению тока.

Таблица параметров 4-дюймового 12-дюймового SiC Wafer:

Физическая фотография 4-дюймового 12-дюймового Си-Си-Вейфера:

Применение SiC Wafer:

1В области электроники карбид кремния широко используется в производстве полупроводниковых устройств.Он может быть использован в производстве высокопроизводительных, высокочастотные и высокотемпературные электронные устройства, такие как транзисторы мощности, транзисторы с эффектом RF-поля и высокотемпературные электронные устройства.Кремниекарбидные пластины также могут использоваться при производстве оптических устройств, таких как светодиоды., лазерные диоды и солнечные батареи.4 дюйма 12 дюймов Кремниевого карбида (SiC) пластина используется для гибридных и электрических транспортных средств и производства экологически чистой энергии.

2В области тепловых применений карбид кремния широко используется.может использоваться в производстве высокотемпературных керамических материалов.

3В области оптики пластины из карбида кремния также имеют широкое применение.может использоваться при производстве оптических устройствКроме того, карбидные пластинки кремния также могут использоваться при производстве оптических компонентов, таких как оптические окна.

Изображение нанесения пластинки SiC:

Часто задаваемые вопросы

Рекомендация продукта:

1.2-дюймовый Силиконовый Карбидный Валер 4H-N

2.Силиконовый карбид 8 дюймов