SiC субстрат Кремниевый карбид субстрат 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10 мм P класс R класс D класс

4H/6H-P SiC субстрат 5×5 10×10 мм абстракт

Субстрат 4H/6H-P Кремниевого карбида (SiC) с размерами 5×5 мм и 10×10 мм представляет собой ключевое достижение в полупроводниковых материалах,особенно для применения на высокой мощности и высокой температуреSiC, полупроводник с широким диапазоном пропускания, обладает исключительной теплопроводностью, высокой прочностью распада электрического поля и надежными механическими свойствами.что делает его предпочтительным выбором для электротехники следующего поколения и оптоэлектронных устройствЭто исследование исследует методы изготовления, используемые для получения высококачественных 4H/6H-P SiC-субстратов, решая общие проблемы, такие как минимизация дефектов и однородность пластины.В статье подчеркивается применение субстрата в силовых устройствах., радиочастотных устройств и других высокочастотных приложений, подчеркивая его потенциал для революции в полупроводниковой промышленности.Результаты показывают, что эти SiC-субстраты будут играть решающую роль в разработке более эффективных и надежных электронных устройств, что позволяет достичь прорывов в области производительности и энергоэффективности.

4H/6H-P SiC субстрат 5×5 10×10 мм свойства

Субстрат 4H/6H-P SiC (карбид кремния), особенно в размерах 5×5 мм и 10×10 мм,обладает несколькими замечательными свойствами, которые делают его предпочтительным выбором в высокопроизводительных полупроводниковых приложениях:

1. Широкий диапазон:Широкий диапазон SiC (примерно 3,26 eV для 4H и 3,02 eV для 6H) позволяет работать при высоких температурах и напряжениях, что полезно для силовой электроники.

2. Высокая теплопроводность:SiC имеет отличную теплопроводность, около 3,7 W/cm·K, что помогает в эффективном рассеивании тепла, что делает его подходящим для высокопроизводительных устройств.

3. Электрическое поле высокого разрыва:SiC может выдерживать высокие электрические поля (до 3 МВт/см), что делает его идеальным для силовых устройств, которые требуют высокого напряжения.

4. Механическая прочность:SiC известен своей механической прочностью, высокой стойкостью к износу, что имеет решающее значение для устройств, работающих в экстремальных условиях.

5. Химическая стабильность:SiC химически стабилен, устойчив к окислению и коррозии, что делает его подходящим для суровой среды, включая аэрокосмические и автомобильные приложения.

Эти свойства позволяют использовать 4H/6H-P SiC субстраты в широком спектре приложений, включая высокомощные транзисторы, радиочастотные устройства и оптоэлектронику,где производительность и надежность имеют решающее значение.

4H/6H-P SiC субстрат 5×5 10×10 мм изображение

4H/6H-P SiC субстрат 5×5 10×10 мм применения

Субстрат 4H/6H-P SiC (карбид кремния), особенно в размерах 5 × 5 мм и 10 × 10 мм, используется в различных высокопроизводительных и требовательных приложениях во многих отраслях промышленности:

1. Электротехника:Субстраты SiC широко используются в силовых устройствах, таких как MOSFET, IGBT и диоды Шоттки, которые необходимы для электромобилей, систем возобновляемой энергетики и электросетей.Широкий диапазон пропускания и высокое разрывное напряжение SiC позволяют эффективно конвертировать энергию и работать при высоких напряжениях и температурах.

2. РЧ и микроволновые устройства:SiC является отличным материалом для радиочастотных и микроволновых устройств, используемых в телекоммуникациях, радиолокационных системах и спутниковой связи.Его способность работать на высоких частотах и температурах с низкой потерей сигнала делает его подходящим для мощных усилителей и переключателей.

3. Оптоэлектроника:Субстраты SiC используются в светодиодах и лазерных диодах, особенно в диапазоне ультрафиолетовых и синих длин волн.и экологического мониторинга.

4. Аэрокосмическая и автомобильная промышленность:Из-за своей тепловой стабильности и устойчивости к суровым условиям, SiC используется в аэрокосмических и автомобильных датчиках, приводах и силовых модулях, где надежность в экстремальных условиях имеет решающее значение.

Эти приложения подчеркивают важность 4H/6H-P SiC-субстратов в развитии технологий, требующих эффективности, долговечности и высокопроизводительной работы.

Вопросы и ответы

Что такое 4H в 4H-SiC?

4H-SiC и 6H-SiC представляютшестиугольные кристаллические структуры, с "H", обозначающей шестиугольную симметрию, а цифры 4 и 6 - слои в их единичных ячейках.который является ключевым определяющим фактором производительности полупроводникового устройства.