 |
3C-N SiC вафель 4 дюймовый Кремниевый карбид Prime Grade Dummy Grade Высокая мобильность электронов RF LED
Подробная информация о продукте:
| Place of Origin: | China |
| Фирменное наименование: | ZMSH |
| Model Number: | Silicon Carbide |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 1 |
|---|---|
| Delivery Time: | 2 weeks |
| Payment Terms: | 100%T/T |
|
Подробная информация |
|||
| Исключение края: | ≤50мм | Материал: | Силиконовый карбид |
|---|---|---|---|
| Смычок/искривление: | ≤50мм | Грубость поверхности: | ≤1.2nm |
| Плоскость: | Lambda/10 | Уровень: | Манекен исследования продукции |
| ориентация: | На-ось/внеосевое | Частица: | Свободная/низкая частица |
| Выделить: | Ключевые элементы:,вафля кремниевого карбида 4inch,Радиочастотные светодиоды из карбида кремния |
||
Характер продукции
3C-N SiC вафель 4 дюймовый Кремниевый карбид Prime Grade Dummy Grade Высокая мобильность электронов RF LED
Описание Wafer 3C-N SiC:
Мы можем предложить 4-дюймовые 3C-N Кремниевые карбидные пластинки с N-типами SiC субстратов.Он имеет кристаллическую структуру карбида кремния, где атомы кремния и углерода расположены в кубической решетке с алмазной структуройОн обладает несколькими превосходными свойствами по сравнению с широко используемым 4H-SiC, такими как более высокая мобильность электронов и скорость насыщения.и легче изготавливать, чем в настоящее время основные 4H-SiC пластинкиОн исключительно подходит для мощных электронных устройств.
Характер 3C-N SiC вафры:
1Широкий разрыв.
Высокое разрывное напряжение: 3C-N SiC пластинки имеют широкий диапазон (~ 3,0 eV), что позволяет работать на высоком напряжении и делает их подходящими для силовой электроники.
2Высокая теплопроводность
Эффективное рассеивание тепла: с теплопроводностью около 3,0 Вт/см·К, эти пластины могут эффективно рассеивать тепло, позволяя устройствам работать на более высоких уровнях мощности без перегрева.
3Высокая мобильность электронов
Улучшенная производительность: высокая мобильность электронов (~ 1000 см2/В·с) приводит к более высокой скорости переключения, что делает 3C-N SiC идеальным для высокочастотных приложений.
4Механическая прочность
Прочность: 3C-N SiC-вофли обладают отличными механическими свойствами, включая высокую твердость и износостойкость, что повышает их надежность в различных приложениях.
5Химическая стабильность
Устойчивость к коррозии: материал химически стабилен и устойчив к окислению, что делает его подходящим для суровой среды.
6. Низкие потоки утечки
Эффективность: низкий ток утечки в устройствах, изготовленных из пластин 3C-N SiC, способствует повышению эффективности в силовой электронике.
Форма Wafer 3C-N SiC:
| Уровень | Уровень производства | Скриншоты |
| Диаметр | 100 мм +/- 0,5 мм | |
| Толщина | 350 мм +/- 25 мм | |
| Политип | 3С | |
| Плотность микротруб (MPD) | 5 см-2 | 30 см-2 |
| Электрическое сопротивление | 00,0005 ~ 0,001 Ом.см | 00,001 ~ 0,0015 Ом.см. |
Сравнение свойств SiC:
| Недвижимость | 4H-SiC однокристалл | 3C-SiC однокристалл |
| Параметры решетки (Å) |
a=3.076 c=10.053 |
a=4.36 |
| Последовательность складирования | ABCB | ABC |
| Плотность (г/см3) | 3.21 | 3.166 |
| Твердость Моха | - Девять.2 | - Девять.2 |
| Коэффициент теплового расширения (CTE) (/K) | 4-5 х 10-6 | 2.5-3.5 х10-6 |
| Диэлектрическая постоянная | С ~ 9.66 | С ~ 9.72 |
| Тип допинга | Тип N или полуизоляционный или тип P | Тип N |
| Разрыв полосы (eV) | 3.23 | 2.4 |
| Скорость дрейфа насыщения (м/с) | 2.0 х 105 | 2.5 х 105 |
| Размеры пластинки и подложки | Вафли: 2, 4 дюйма; меньшие подложки: 10x10, 20x20 мм, другие размеры доступны и могут быть выполнены по запросу | |
Физическая фотография 3C-N SiC Wafer:
Применение 3C-N SiC Wafer:
1Электротехника
Высокомощные устройства: используются в мощных MOSFET и IGBT из-за их высокого разрывного напряжения и теплопроводности.
Коммутационные устройства: идеально подходят для применений, требующих высокой эффективности, таких как преобразователи и инверторы постоянного тока.
2. радиочастотные и микроволновые устройства
Высокочастотные транзисторы: используются в УЗИ и микроволновых устройствах, пользующихся высокой мобильностью электронов.
Радарные и коммуникационные системы: используются в спутниковой связи и радиолокационной технологии для повышения производительности.
3. Технология светодиодных ламп
Синие и ультрафиолетовые светодиоды: 3C-SiC можно использовать при производстве светоизлучающих диодов, особенно для применения в синем и УФ-свете.
4Применение при высоких температурах
Сенсоры: Подходят для высокотемпературных датчиков, используемых в автомобильной и промышленной промышленности.
Аэрокосмическая промышленность: используется в компонентах, которые должны эффективно работать в экстремальных условиях.
Снимок применения 3C-N SiC Wafer:
Упаковка и транспортировка 3C-N SiC Wafer:
Настройка:
Продукты из кристаллов SiC могут быть изготовлены на заказ, чтобы соответствовать конкретным требованиям и спецификациям клиента.
Рекомендация продукта:
1.2-дюймовый 3-дюймовый 4-дюймовый 6-дюймовый 8-дюймовый Сик Вафля 4H-N/полутип
2.6 дюймовый Си-Си-Вейфер 4H/6H-P