Кремниевые карбидные пластины 3C-N типа 5*5 10*10 мм дюйма Диаметр толщина 350 μm±25 μm

Кремниевые карбидные пластины 3C-N типа 5*5 & 10*10 мм дюймов диаметром толщиной 350 μm±25 μm

Силиконовый карбид Wafers 3C-N типа абстракт

В данном резюме представлены пластины типа 3C-N из карбида кремния (SiC), доступные в размерах 5x5 мм и 10x10 мм с толщиной 350 мкм ± 25 мкм.Эти пластинки предназначены для удовлетворения конкретных потребностей высокопроизводительных приложений в оптоэлектроникеБлагодаря своей превосходной теплопроводности, механической прочности и электрическим свойствам, пластинки SiC 3C-N предлагают повышенную долговечность и теплораспределение.что делает их идеальными для устройств, требующих высокой тепловой стабильности и эффективного управления энергиейУказанные размеры и толщина обеспечивают совместимость в широком спектре передовых промышленных и исследовательских приложений.

Витрина типа 3C-N для пластинок из карбида кремния

Силиконокарбидные пластины типа 3C-N свойства и диаграмма данных

Тип материала: 3C-N Кремниевый карбид (SiC)

Эта кристаллическая форма обладает отличными механическими и тепловыми свойствами, подходящими для высокопроизводительных приложений.

Размер:

Доступен в двух стандартных размерах: 5x5 мм и 10x10 мм.

Толщина:

Толщина: 350 мкм ± 25 мкм

Точно контролируемая толщина обеспечивает механическую стабильность и совместимость с различными требованиями устройства.

Теплопроводность:

SiC обладает превосходной теплопроводностью, что позволяет эффективно рассеивать тепло, что делает его идеальным для приложений, требующих теплового управления, таких как очки AR и силовая электроника.

Механическая прочность:

SiC обладает высокой твердостью и механической прочностью, обеспечивая долговечность и устойчивость к износу и деформации, необходимые для требовательных условий.

Электрические свойства:

Си-цилиндровые пластины обладают высоким электрическим разрывным напряжением и низким тепловым расширением, которые имеют решающее значение для устройств с высокой мощностью и высокой частотой.

Оптическая ясность:

SiC обладает отличной прозрачностью в определенных оптических длинах волн, что делает его подходящим для использования в оптоэлектронных и AR-технологиях.

Высокая устойчивость:

Устойчивость к тепловым и химическим нагрузкам обеспечивает долгосрочную надежность в суровых условиях.

Эти свойства делают пластинки типа SiC 3C-N очень универсальными для использования в передовых электронных и оптоэлектронных устройствах, а также в технологиях AR следующего поколения.

5*5 & 10*10мм Инч SiC 晶片产品标准

5*5 & 10*10 мм дюйм диаметр СилиСкорпион Карбиды (SiC)

Примечания:

※Ограничения на дефекты применяются ко всей поверхности пластины, за исключением области исключения краев.

Применение карбидных пластинок кремния типа 3C-N

Пластинки из карбида кремния (SiC), в частности типа 3C-N, являются вариантом SiC, который обладает уникальными характеристиками из-за своей кубической кристаллической структуры (3C-SiC).Эти пластинки в основном используются в различных высокопроизводительных и специализированных приложениях из-за их отличных свойствНекоторые ключевые применения пластин SiC типа 3C-N включают:

1.Электротехника

• Высоковольтные устройства: SiC-вофры идеально подходят для изготовления энергетических устройств, таких как MOSFET, диоды Шоттки и IGBT. Эти устройства используются в условиях высокого напряжения и высокой температуры,такие как электромобили (EV), гибридные электромобили (HEV) и системы возобновляемой энергии (например, солнечные инверторы).
• Эффективное преобразование мощности: SiC позволяет повысить эффективность и уменьшить потери энергии в системах преобразования мощности, таких как преобразователи постоянного тока и двигатели.

2.Высокочастотные устройства

• Радиочастотные приложения: 3C-SiC подходит для использования в радиочастотных и микроволновых системах, включая радиолокационные системы, спутниковую связь и технологии 5G, благодаря высокой мобильности электронов.
• Усилители высокочастотные: Устройства, работающие в диапазоне частот GHz, пользуются низким расходом энергии и высокой тепловой стабильностью 3C-SiC.

3.Датчики высокой температуры и суровой среды

• Датчики температуры: SiC-олочки могут использоваться в устройствах для экстремальных температурных условий, таких как аэрокосмические, автомобильные и промышленные процессы.
• Датчики давления: 3C-SiC используется в датчиках давления, которые должны работать в экстремальных условиях, таких как глубоководные исследования или высоковакуумные камеры.
• Химические датчики: 3C-N SiC химически инертен, что делает его полезным в газовых или химических датчиках для мониторинга в коррозионной среде.

4.Светодиоды и оптоэлектроника

• Синие и ультрафиолетовые светодиоды: Широкий диапазон 3С-СиС делает его идеальным для изготовления синих и ультрафиолетовых светодиодов (ЛЭД), используемых в дисплейных технологиях, хранении данных (Blu-ray) и процессах стерилизации.
• Фотодетекторы: SiC-олочки могут использоваться в ультрафиолетовых (УФ) фотодетекторах для различных применений, включая обнаружение пламени, мониторинг окружающей среды и астрономию.

5.Квантовые вычисления и исследования

• Квантовые устройства: 3C-SiC изучается в квантовых вычислениях для разработки спинтроники и других квантовых устройств из-за его уникальных дефектных свойств, которые позволяют хранить и обрабатывать квантовую информацию.
• Исследование материалов: Поскольку 3C-SiC является относительно менее распространенным политипом SiC, он используется в исследованиях для изучения его потенциальных преимуществ по сравнению с другими типами SiC (например, 4H-SiC или 6H-SiC).

6.Аэрокосмическая промышленность и оборона

• Электроника для суровой среды: SiC-устройства имеют решающее значение в аэрокосмической и оборонной промышленности для таких приложений, как силовые модули, радиолокационные системы и спутниковая связь, где крайние условия и надежность являются ключевыми.
• Прочная электроникаСпособность к выдержке высоких уровней радиации делает его идеальным для использования в космических миссиях и военном оборудовании.

Подводя итог, пластинки SiC типа 3C-N в основном используются в силовой электронике, высокочастотных устройствах, датчиках для суровой среды, оптоэлектронике, квантовых устройствах и аэрокосмических приложениях,где их уникальные свойства, такие как широкий диапазон, тепловая устойчивость и высокая мобильность электронов обеспечивают значительные преимущества по сравнению с традиционными материалами на основе кремния.

Вопросы и ответы

Что такое карбид кремния 3С?

Карбид кремния 3C (3C-SiC)является одним из политипов карбида кремния, характеризуется кубической кристаллической структурой, отличающей его от более распространенных шестиугольных форм, таких как 4H-SiC и 6H-SiC.Кубическая решетка из 3C-SiC обеспечивает несколько значительных преимуществ.

Во-первых, экспонаты 3C-SiCповышенная мобильность электронов, что делает его выгодным для высокочастотных и мощных электронных устройств, особенно в приложениях, требующих быстрого переключения.пробелыявляется более низким (около 2,36 eV) по сравнению с другими политипами SiC, он по-прежнему хорошо работает в условиях высокого напряжения и высокой мощности.

Кроме того, 3C-SiC сохраняетвысокая теплопроводностьимеханическая прочностьУказанные характеристики характерны для карбида кремния, что позволяет ему работать в экстремальных условиях, таких как высокие температуры и высокие напряжения.оптическая прозрачность, что делает его подходящим для оптико-электронных приложений, таких как светодиоды и фотодетекторы.

В результате 3С-СиС широко используется вэлектроника мощности,высокочастотные устройства,оптоэлектроника, идатчики, особенно в условиях высокой температуры и высокой частоты, где его уникальные свойства предлагают значительные преимущества.