3C-N тип Кремниевого карбида пластинки 2 дюймов 4 дюймов 6 дюймов или 5 * 5 10 * 10 мм Размер Производственный класс Исследовательский класс

Тип 3C-N вафли из карбида кремния размером 2 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов или 5*5 и 10*10 мм, уровень исследований производственного уровня

Краткое описание пластин карбида кремния типа 3C-N

Пластины из карбида кремния (SiC) типа 3C-Nпредставляют собой особый вариант пластин SiC, в которых используется кубический политип 3C. Эти пластины, известные своими исключительными тепловыми, электрическими и механическими свойствами, разработаны с учетом строгих требований передовых технологий в электронике, оптоэлектронике и силовых устройствах.

3С политипимеет кубическую кристаллическую структуру, дающую ряд преимуществ по сравнению с гексагональными политипами, такими как 4H-SiC и 6H-SiC. Одним из ключевых преимуществ 3C-SiC является егоболее высокая подвижность электронов, что делает его идеальным для высокочастотных приложений и силовой электроники, где критически важны быстрое переключение и низкие потери энергии. Кроме того, пластины 3C-N SiC имеютнижняя запрещенная зона(около 2,36 эВ), что по-прежнему позволяет им эффективно справляться с высокой мощностью и напряжением.

Эти пластины доступны в стандартных размерах, таких как5x5 мми10x10 мм, столщина 350 мкм ± 25 мкм, обеспечивая точную совместимость для различных процессов изготовления устройств. Они хорошо подходят для использования вмощныйивысокочастотные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды Шоттки и другие полупроводниковые компоненты, обеспечивающие надежную работу в экстремальных условиях.

теплопроводностьПластины 3C-N SiC обеспечивают эффективное рассеивание тепла, что является важной характеристикой для устройств, работающих с высокой плотностью мощности. Более того, их механическая прочность и устойчивость к тепловым и химическим нагрузкам делают их долговечными в сложных условиях, что еще больше расширяет возможности их применения всиловая электроника,AR-технологии, ивысокотемпературные датчики.

Таким образом, пластины SiC типа 3C-N сочетают в себе превосходные электронные, тепловые и механические характеристики, что делает их незаменимыми для электронных устройств нового поколения и высокопроизводительных приложений.

Фотографии пластин карбида кремния типа 3C-N

Свойства пластин карбида кремния типа 3C-N

Кристаллическая структура:

Кубическая (3C) политипная структура, обеспечивающая более высокую подвижность электронов по сравнению с гексагональными политипами SiC, такими как 4H-SiC и 6H-SiC, что делает ее подходящей для высокочастотных применений.

Варианты размера:

Доступны размеры 5x5 мм и 10x10 мм, что обеспечивает гибкость для различных применений.

Толщина:

Точно контролируемая толщина 350 ± 25 мкм, обеспечивающая механическую стабильность и совместимость с широким спектром производственных процессов.

Высокая подвижность электронов:

Кубическая кристаллическая структура приводит к улучшению транспорта электронов, что делает ее выгодной для высокоскоростных приложений с низкими потерями энергии в силовой электронике и радиочастотных устройствах.

Теплопроводность:

Превосходная теплопроводность обеспечивает эффективное рассеивание тепла, что крайне важно для устройств, работающих с высокой плотностью мощности, помогая предотвратить перегрев и увеличить срок службы устройства.

Ширина запрещенной зоны:

Более низкая ширина запрещенной зоны около 2,36 эВ подходит для высоковольтных и мощных приложений, сохраняя при этом эффективную работу в экстремальных условиях.

Механическая прочность:

Пластины 3C-N SiC обладают высокой механической прочностью, устойчивостью к износу и деформации, обеспечивая долговременную надежность в суровых условиях.

Оптическая прозрачность:

Хорошие оптические свойства, особенно для оптоэлектронных приложений, таких как светодиоды и фотодетекторы, благодаря прозрачности для определенных длин волн.

Химическая и термическая стабильность:

Высокая устойчивость к тепловым и химическим воздействиям, что делает его пригодным для использования в экстремальных условиях, например, в высокотемпературной электронике и датчиках.

Эти свойства делают пластины 3C-N SiC идеальными для широкого спектра современных приложений, включая силовую электронику, высокочастотные устройства, оптоэлектронику и датчики.

Таблица данных пластин карбида кремния типа 3C-N

晶格领域 2 英寸 Карбид кремния 晶片产品标准

2 Диаметр дюйма КремнийКарбидная (SiC) подложка Спецификация

Примечания:

※Предельные значения дефектов применяются ко всей поверхности пластины, за исключением области исключения краев. # Царапины следует проверять только на лицевой стороне Si.

Применение пластин карбида кремния типа 3C-N

Применение пластин карбида кремния (SiC) типа 3C-N в полупроводниковой и микроэлектронной промышленности.

Пластины карбида кремния типа 3C-N играют решающую роль в полупроводниковой и микроэлектронной промышленности, предлагая уникальные свойства, повышающие производительность и эффективность различных устройств.

Силовая электроника:

В силовой электронике пластины 3C-N SiC широко используются в мощных устройствах, таких какМОП-транзисторы,Диоды Шоттки, исиловые транзисторы. Их высокая теплопроводность и подвижность электронов позволяют этим устройствам эффективно работать при высоких напряжениях и температурах, сводя к минимуму потери энергии. Это делает 3C-N SiC идеальным для использования всистемы преобразования энергии,электромобили (EV), исистемы возобновляемой энергии, где эффективное управление энергопотреблением имеет решающее значение.

Высокочастотные устройства:

Превосходная подвижность электронов пластин 3C-N SiC делает их пригодными длярадиочастота (РЧ)имикроволновые применения, такой какусилители,осцилляторы, ифильтры. Эти пластины позволяют устройствам работать на более высоких частотах с меньшими потерями сигнала, улучшая производительность систем беспроводной связи, спутниковых технологий и радиолокационных систем.

Высокотемпературная электроника:

Пластины 3C-N SiC также используются в полупроводниковых устройствах, работающих в экстремальных условиях, таких каквысокотемпературные датчикииприводы. Механическая прочность, химическая стабильность и термостойкость материала позволяют этим устройствам надежно работать в таких отраслях, как аэрокосмическая, автомобильная и нефтегазовая, где устройства должны выдерживать суровые условия эксплуатации.

Микроэлектромеханические системы (МЭМС):

В микроэлектронной промышленности пластины 3C-N SiC используются вМЭМС-устройства, для которых необходимы материалы с высокой механической прочностью и термической стабильностью. Эти устройства включают в себядатчики давления,акселерометры, игироскопы, которые выигрывают от долговечности и производительности SiC при различных температурах и механических нагрузках.

Оптоэлектроника:

Пластины 3C-N SiC также используются всветодиоды,фотодетекторыи других оптоэлектронных устройств благодаря их оптической прозрачности и способности выдерживать большую мощность, обеспечивая эффективное излучение света и возможности обнаружения.

Таким образом, пластины SiC типа 3C-N необходимы в полупроводниковой и микроэлектронной промышленности, особенно в приложениях, требующих высокой производительности, долговечности и эффективности в экстремальных условиях.