Твердотельный вакуумный столик из SiC – ультраплоская несущая пластина для обработки тонких пластин

Введение в вакуумный столик из SiC

Ультраплоский керамический вакуумный столик для пластин изготовлен с использованием высокочистого карбида кремния (SiC), предназначенного для передовых процессов обработки пластин. Оптимизированный для использования в оборудовании MOCVD и для выращивания полупроводников, он обладает превосходной термостойкостью и коррозионной стойкостью, обеспечивая исключительную стабильность в экстремальных условиях обработки. Это способствует улучшению управления выходом годных изделий и надежности при производстве полупроводниковых пластин.

Его конфигурация с низким поверхностным контактом помогает минимизировать загрязнение частиц на обратной стороне, что делает его идеальным для высокочувствительных применений с пластинами, где чистота и точность имеют решающее значение.

Это решение сочетает в себе высокую производительность и экономичность, поддерживая требовательные производственные среды надежной и долговечной работой.

Принцип работыизВакуумный столик из SiC

В высокотемпературных процессах пластина-носитель из SiC служит опорой для переноса пластин или тонкопленочных материалов. Его высокая теплопроводность обеспечивает равномерное распределение тепла, повышая стабильность и однородность процесса. Кроме того, благодаря своей твердости и химической инертности пластина сохраняет структурную целостность даже в агрессивных средах, обеспечивая чистоту продукта и безопасность оборудования.

Параметры вакуумного столика для пластин

Особенности вакуумного столика для пластин

● Ультраплоские возможности

● Зеркальная полировка

● Исключительно легкий вес

● Высокая жесткость

● Низкое тепловое расширение

● Диаметр Φ 300 мм и более

● Чрезвычайная износостойкость

Применение пористого вакуумного столика из SiC

В полупроводниковой и оптоэлектронной промышленности ультратонкие пластины часто помещают на пористые вакуумные столики из карбида кремния (SiC). Подключив к вакуумному генератору, отрицательное давление прикладывается для надежного удержания пластины на месте без механических зажимов. Это обеспечивает точную и стабильную обработку на следующих этапах:

• Монтаж воском

• Тончение обратной стороны (шлифовка или притирка)

• Удаление воска

• Очистка

• Резка / распиловка

Использование высокочистого пористого вакуумного столика из SiC обеспечивает превосходную термическую и химическую стабильность на протяжении всех этих процессов, сводя к минимуму загрязнение и поддерживая плоскостность пластины. Его превосходная механическая прочность и теплопроводность также снижают риск поломки пластины во время обработки, особенно для хрупких или ультратонких подложек, таких как GaAs, InP или SiC.

Часто задаваемые вопросы (FAQ) – Пористый вакуумный столик из SiC

В1: Какова основная цель пористого вакуумного столика из SiC?
A: Он используется для надежного удержания тонких или хрупких пластин во время критических этапов обработки, таких как монтаж воском, утоньшение, очистка и резка. Вакуумное всасывание через пористый материал SiC обеспечивает равномерное и стабильное удержание без повреждения поверхности пластины.

В2: Какие материалы можно обрабатывать с использованием вакуумного столика из SiC?
A: Он поддерживает широкий спектр полупроводниковых материалов, включая:

• Кремний (Si)

• Арсенид галлия (GaAs)

• Фосфид индия (InP)

• Карбид кремния (SiC)

• Сапфир
  Обычно это тонкие или хрупкие пластины которые требуют стабильного обращения во время обработки на заднем конце.

В3: В чем преимущество использования пористого SiC по сравнению с металлическими или керамическими столиками?
A: Пористый SiC предлагает несколько преимуществ:

• Excellent теплопроводность – предотвращает накопление тепла во время обработки

• Высокая механическая прочность – минимизирует риск деформации

• Химическая инертность – совместимость с агрессивными чистящими химикатами

• Низкое образование частиц – подходит для чистых помещений

• Стабильное распределение вакуума – равномерное всасывание по поверхности пластины

Сопутствующие товары

12-дюймовая пластина SiC 300 мм Пластина из карбида кремния Проводящая, имитационная, N-типа, исследовательского класса

4H/6H P-типа Sic пластина 4 дюйма 6 дюймов Z класса P класса D класса Off Axis 2.0°-4.0° Направление к P-типу легирования